稀土配合物有机电致发光

稀土元素具有独特的电子层结构，是一类丰富的发光材料宝库。将稀土配合物应用于有机电致发光显示器件（OLED）对于实现全彩色显示具有重要意义。与通常的有机电致发光显示器件相比。稀土配合物有机电致发光器件具有高色纯度发射和高内量子效率的优点。本文概述了稀土配合物分类、稀土配合物有机电致发光器件研究进展和优点，着重研究了稀土离子及其OLED器件的发光机理。     

镧系配合物发光研究

镧系配合物发光体,从广义上说,包括了现在使用的全部稀土无机发光材料及相应有机配合物发光材料。因为稀土无机发光体化合物实际上也是一种配合物,如过去彩电用的YVO_4:Eu~(3 ),其中Eu~(3 )发光中心离子就是由VO_4~(3-)配位而成。     

稀土铕铽四元配合物的光学性能研究

为了得到发光性能更好的稀土荧光配合物,合成了以BA、1,10-phen为第1和第2配体系列铕、铽双核稀土有机配合物Eu1-xTbx(BA)3phen,并测试了不同浓度下各个配合物的紫外吸收光谱和荧光光谱,同时对双核稀土配合物的能量转移过程进行了讨论.结果表明,在合成的系列配合物中,配体苯甲酰丙酮和1,10-phen是Eu3+的优良配体,第2种稀土离子Tb3+的掺入对稀土离子Eu3+的发光有明显的敏化效应.目标配合物是一种发光性能良好的稀土配合物.     

稀土配合物中的有机配体长余辉发光现象

稀土配合物中的有机配体长余辉发光现象＠李文连＠田明真＠赵旭￥中国科学院长春物理研究所稀土配合物中的有机配体长余辉发光现象李文连田明真赵旭（中国科学院长春物理研究所，长春，１３００２１）ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｗｉｔｈａＬｏｎｇＤｅｃａｙＴｉｍｅｉｎＲａｒｅ...     

Tb(p-MBA)3phen与PVK混合体系发光性质研究

研究了铽配合物Tb(p-MBA)3phen与聚乙烯咔唑PVK共掺杂体系的电致发光(EL)和光致发光(PL)特性。结果发现,在EL中,PVK的发光完全被抑制,只能看到明显的Tb^3 绿光发射;而在PL中,除了Tb^3 发光外,还可以看到明显的PVK发光。这是由于两种发光机理不同造成的。通过测量材料的发射光谱和激发光谱,初步探讨了器件的发光机理,认为Tb^3 的发光可能来源于2个方面：1)PVK到稀土配合物的Foerester能量传递;2)PVK作为一种空穴传输材料,而稀土配合物作为电子陷阱,受激的空穴和电子直接被稀土配合物俘获,在稀土配合物上形成激子复合发光。所制作的单层器件的最大亮度达24．8cd／m^2。     

无机电致发光平板显示技术研究进展

无机电致发光（EL）平板显示是一项有着广泛应用前景的自发光型平板显示技术。本文简单介绍了无机EL平板显示器的结构、原理和实现全彩色显示的方法，阐述了所使用的电极、介质和发光材料的作用、要求及研究现状，分析了存在的问题，并展望了其产业化的前景。     

稀土有机配合物电致发光器件的研究进展

概述了稀土有机配合物电致发光薄膜器件的材料、结构、发光机理以及目前研究的状况、出现的问题和研究的发展趋势.     

稀土铕、钕、镧配合物的激光激发荧光特性

对三种稀土离子（Eu^3 ,Nd^3 ,La^3 )的配合物,以可见激光作为激发光进行了荧光光谱测量,比较了它们的荧光光谱特性,讨论了Eu^3 配合物的荧光光谱所提供的丰富的光谱信息。     

稀土发光材料的发光机理及其应用

稀土是我国的重要战略资源,稀土发光材料在一些方面已得到普遍应用并在新能源和生物医学等方面具有重要的应用前景。该文给出了稀土离子发光材料的基本原理,介绍了含稀土离子发光材料在节能灯、白光半导体发光二极管显示(LED)用荧光粉、等离子显示(PDP)用荧光粉等领域的应用,对在上转换发光、生物荧光标记和下转换提升太阳能效率等方面的应用前景进行了总结和展望。     

掺铕稀土配合物的光学树脂荧光光谱研究

报道了将多种稀土铕配合物复合于苯乙烯(ST)／甲基丙烯酸(HMA)的共聚体系,研究了含稀土配合物透明光学树脂的光学性能。发现其具有发光效率高,光谱呈现尖锐的线状谱带及相对于纯稀土配合物粉末来说掺有稀土配合物的光学树脂的发射产生光谱红移等特点。特别是用电子云重排效应(当中心稀土离子与不同配体结合时,其相同的J能级间的跃迁谱带位置略有移动的现象)解释了掺有稀土配合物的光学树脂发射光谱红移现象。并推断出在含稀土配合物复合于光学树脂后。稀土中心离子和配位原子间距离有所减小。     

Growth and characterization of lead-tin-ytterbium-telluride for diode lasers

PbSnYbTe is a new and potentially useful material for fabricating double hetero junction PbSnTe diode lasers by molecular b<sam epitaxy. These lasers should have improved carrier and photon confinement, resulting in improved external quantum efficiency and higher device operating temperature. It is found from room temperature optical transmission studies that the band gap of Pb_1−x Yb_x Te increases approximately as dEg/dx =; 3.3 eV for x < 0.04, and that the index of refraction decreases with increasing x. Doping studies of (Pb_1−y Sn_y )_0.97 Yb_0.03Te indicate that> it can be doped heavily p-type at low temperatures for y ∼ 0.10. The lattice constant of (Pb_0.85 Sn_0.15)_1−x Yb_x Te is independent of x up to x ∼ 0.10. these characteristics make (Pb_1−y Sn_y )_1−x Yb_x Te well-suited for the fabrication of lattice-matched double heterojunction lasers with y∼ 0.10.     

ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质

采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的 Zn O纳米晶 ,并对其结构与发光性质进行了研究 ,结果表明掺铽的 Zn O纳米晶为六方纤锌矿结构 ,纳米颗粒表面有醋酸根络合物使颗粒之间互相分散 ,Zn O纳米基质与发光中心之间存在能量传递 ,引起稀土铽的特征发光 .     

钕离子注入单晶硅光致发光的起源

Nd离子注入到 (111)单晶硅中形成钕掺杂层 ,室温下 ,紫外光 (2 2 0 nm )激发得到了钕掺杂层的蓝紫光的光致发光谱 ,且发光强度随离子注入的剂量增大而增强 .X射线光电子能谱分析表明掺杂层存在 Si— O,Nd— O,Si— Si和 O— O键 .发光主要是由于 Nd3+ 的 4f内层电子的辐射跃迁所致 ,同时 ,离子注入带来的缺陷和损伤也能发光     

温度变色有机电致发光研究

本文报道一种以铕钆络合物(Eu_0.1Gd_0.9)(TTA)₃(TPPO)₂为发光材料的新型有机电致发光器件,该器件工作在77K至300K间不同温度时,电致发光呈现不同的颜色.研究分析表明,温度变色现象源于铕钆络合物配体三重态磷光强度对温度的依赖特性和铕钆络合物之间的能量转移.本文研究了不同温度下,铕钆铬合物配体三重态的磷光强度及三价铕离子荧光强度随温度的变化特性,测定了铕钆络合物的荧光和磷光量子效率.     

La_2O_3对激光熔覆镍基纳米Al_2O_3复合涂层组织和性能的影响

采用激光熔覆技术在Q235钢基体上制备了不同La2O3含量的镍基纳米Al2O3复合涂层。通过扫描电镜观察分析了熔覆层的微观组织结构,并对熔覆层的显微硬度和摩擦磨损性能进行了测试。试验结果表明,加入1.5wt%稀土La2O3时,熔覆层组织显著细化,由细小的等轴树枝晶和共晶组织组成,熔覆涂层的显微硬度在651.4HV0.2至732.4HV0.2之间,耐磨性能显著提高。     

Effect of strontium nitride on the properties of Sr2Si5N8：Eu2＋ red phosphor

The nitride phosphor Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺ was synthesized by the high temperature solid-state method. The properties of Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺ were discussed by X-ray diffraction (XRD) scanning electron microscope (SEM) and spectra analysis. The XRD pattern shows that the single phase produces when strontium nitride is a bit excessive. The SEM photo implies that the excessive strontium nitride works as a flux in the reaction system. The position of emission peak is also located at about 612 nm as strontium nitride is excessive. The luminescent intensity of the phosphor adding excessive strontium nitride is higher than that of the phosphor introducing stoichiometric strontium nitride. The optimized content of nitride strontium was 2.05 mol/mol for the obtained phosphor with excellent properties.     

Effect of strontium nitride on the properties of Sr2Si5N8∶Eu2+ red phosphor

The nitride phosphor Sr2Si5Ng:Eu2+ was synthesized by the high temperature solid-state method. The properties of Sr2Si5N8:Eu2+ were discussed by X-ray diffraction (XRD) scanning electron microscope (SEM) and spectra analysis. The XRD pattern shows that the single phase produces when strontium nitride is a bit excessive. The SEM photo implies that the excessive strontium nitride works as a flux in the reaction system. The position of emission peak is also located at about 612 nm as strontium nitride is excessive. The luminescent intensity of the phosphor adding excessive strontium nitride is higher than that of the phosphor introducing stoichiometric strontium nitride. The optimized content of nitride strontium was 2.05 mol/mol for the obtained phosphor with excellent properties.     

频率上转换掺稀土氧氟纳米微晶玻璃的研究进展

综述了近年来用于上转换发光的掺稀土离子氧氟微品玻璃的研究概况,阐述了氧氟微品玻璃作为上转换发光材料的发展和研究中问题,提出了值得进一步研究的工作并对掺稀土离子氧氯微晶玻璃未来的前景作了展望。     

Effect of strontium nitride on the properties of Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+) red phosphor

The nitride phosphor Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+) was synthesized by the high temperature solid-state method.The properties of Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+) were discussed by X-ray diffraction(XRD) scanning electron microscope(SEM) and spectra analysis.The XRD pattern shows that the single phase produces when strontium nitride is a bit excessive. The SEM photo implies that the excessive strontium nitride works as a flux in the reaction system.The position of emission peak is also located at about 612 nm as strontium nitrid...