稀土铈参杂的钛酸钡陶瓷的制备和结构特性

采用冷压陶瓷处理技术制备了铈参杂的钛酸钡陶瓷.应用X光衍射谱来调查铈在钛酸钡晶格中的固溶性以及铈的参杂对钛酸钡介电陶瓷结构的影响.     

锆和铈掺杂对钛酸锶钡结构的影响

铈和锶、锆和锶两组不同元素离子在钛酸钡的双位掺杂的固溶性对室温高介电扩散的材料开发具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了以上两组离子共同掺杂的钛酸钡陶瓷．XRD被测量,比较并评价了铈和锶、锆和锶在钛酸钡晶格双位并入与锶在钡位并入对钛酸钡晶格固溶性的影响．     

稀土离子掺杂对钛酸钡铁电记忆的影响

少量稀土离子并入钛酸钡晶格时降低晶粒尺寸和提高电绝缘性能的优势适于电子器件微小型化的开发,尤其是对于基于钛酸钡的铁电记忆功能的评价具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了镧系稀土中两个特殊元素铈和铕掺杂的钛酸钡陶瓷,电滞回线被测量,评价了稀土铈和铕在钛酸钡晶格并入对钛酸钡铁电记忆功能的影响．     

镨对锰掺杂钛酸钡陶瓷结构和介电性能的影响

采用冷压陶瓷技术制备了锰掺杂及镨锰共掺杂钛酸钡陶瓷.1.0%锰在钛酸钡中的掺杂导致形成四方和六方钙钛矿混合结构;镨的进一步掺杂导致六方相消失,形成四方钙钛矿单相结构.同时研究了镨对锰掺杂钛酸钡陶瓷介电性能的影响.     

高介电率钛酸钡陶瓷的制备(英文)

采用冷压陶瓷处理技术制备了高介电率钛酸钡陶瓷材料.应用X光衍射谱、扫描电子显微镜、介电率的温度与频率依存关系以及电滞回线测量,调查和研究所制备的钛酸钡陶瓷的结构、微结构、介电和铁电性质.这项工作为高介电的单片电容器材料的应用打下实验基础.     

(Ba_(1-x)La_x)(Ti_(1-x/2)Mg_(x/2))O_3陶瓷的结构相变

采用冷压陶瓷技术在1350℃12 h条件下制备了镧镁双掺杂的钛酸钡基陶瓷(Ba1-xLax)(Ti1-x/2Mgx/2)O3,并进行了密度、XRD、Raman测试,结果发现镧镁双掺杂能引起钛酸钡基陶瓷由四方相到立方相的结构相变.     

大型钛酸钡基高介电陶瓷制备和绝缘电阻评价

采用固相反应的冷压陶瓷制备工艺,制备出以钛酸钡为基的双稀土掺杂大型Φ60和小型Φ10陶瓷材料BPTC．通过XRD和介电温谱测试,研究了稀土元素在钛酸钡晶格双位并入、晶体结构和介电性能．采用静电计对稀土掺杂钛酸钡基大型陶瓷材料的体电阻率进行了研究测量,侧面反应出了小型陶瓷片的高绝缘性能．     

铁微量掺杂对二钛酸钡陶瓷介电性能的影响

采用常规固相反应法,以碳酸钡、二氧化钛和三氧化二铁为原料,制备微量铁掺杂的二钛酸钡陶瓷,研究了铁掺杂含量对二钛酸钡陶瓷的相纯度、相对密度和介电性能的影响.采用X射线粉末衍射仪检测二钛酸钡陶瓷的相成分,利用精密阻抗分析仪测量其介电性能.结果表明,微量铁元素进入了二钛酸钡晶格,能够获得单相二钛酸钡陶瓷的最大铁掺杂量在0.5%～1%之间.随着铁含量的增加,铁电相变居里温度快速减小,从未掺杂时的415 ℃降至铁含量为0.02%时的376 ℃和铁含量为0.5%时的324 ℃.同时介电常数逐渐减小,介电峰不断发生宽化,但并没有导致弛豫性铁电体的出现.微量铁元素的掺杂在实验测量误差范围内对陶瓷的密度影响不大.     

镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改在介电领域的进展

元素周期表中的镧系包含14种元素,作为“现代化学工业维他命”,当它们的离子被并入钛酸钡晶格中时,可以大大降低钛酸钡的介电损失、温度系数和晶粒尺寸,适于电子器件微小化和成为替代目前的基于钛酸铅高介电材料的环境友好材料,并提高钛酸钡的介电性能.因此,镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改以提高钛酸钡陶瓷的介电物性在高介电材料基础研究与应用领域成为当前国际上的一个热点.在这篇评论中,系统地评价镧系离子因镧系收缩而并入钛酸钡陶瓷的位占据倾向、介电响应规律、一级相变和扩散相变、以及材料在室温高介电扩散的实现.     

热障涂层用稳定ZrO_2基陶瓷材料研究现状

综述了氧化物稳定的热障涂层用ZrO2陶瓷的研究现状.氧化物稳定ZrO2陶瓷材料主要适用于在1000℃左右工作的热障涂层,而不宜用作新型高温热障涂层表面陶瓷层材料.随着航空发动机技术的发展,稀土铈酸盐陶瓷材料有望替代氧化物稳定的ZrO2陶瓷.根据声子导热理论和晶体化学原理,选用合适的氧化物对稀土铈酸盐陶瓷材料进行掺杂,可进一步降低其热导率并改善热膨胀系数,这将为热障涂层技术应用开辟广阔的空间.     

Dy在BaTiO_3中的位占据研究

应用冷压陶瓷技术制备Dy分别掺杂在BaTiO3中的Ba位、Ti位和Ba/Ti位的陶瓷.采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(RS)和电子顺磁共振(EPR)测试技术调查了Dy在BaTiO3中的位占据倾向.结果表明:Dy倾向于占据Ba位优于Ti位;无论在Ba位还是Ti位占据的名义配比下,Dy都以少量Dy3+形式不可避免地进入BaTiO3中的另一位.x=0.01时,(Ba1-xDyx)TiO3和(Ba1-xDyx)Ti1-x/4O3陶瓷出现很强的g=1.974的Ba空位缺陷信号.Ba(Ti1-xDyx)O3陶瓷在x=0.01时有第二相Ba12Dy4.67Ti8O35析出并且出现一个较弱的g=2.002的Ti空位缺陷信号.(Ba1-xDyx)(Ti1-xDyx)O3陶瓷的固溶度大于x=0.03,在825 cm-1处有较强的拉曼电荷效应.     

Yb在BaTiO_3陶瓷中的缺陷化学

采用冷压陶瓷技术制备了名义分子式为(Ba1-xYbx)Ti1-x/4O3(x=0.005,0.01,0.015)的陶瓷.由X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(RS)和电子顺磁共振(EPR)技术调查该陶瓷的缺陷化学.结果表明:该陶瓷的固溶度为x=0.01,且陶瓷具有单相四方钙钛矿结构;当x=0.015时,有少量Yb2Ti2O7相析出.在x=0.005时,Yb占据Ba位并形成Ti空位缺陷.当x增加到0.01时,Yb开始进入Ti位,但并不能完全填充Ti空位,导致Ba空位和Ti空位缺陷的共存.     

Electric characteristics of Nd_2O_3 doped BaTiO_3 ceramics

0　INTRODUCTIONBaTiO3hasbeenextensivelystudiedandwidelyuti lizedasaceramicmaterialforelectronicapplications .TheuseofadditivespermitsvaryingoftheCurietemperatureandpresentsapeculiarvariationoftheresistancewithtemperature[1,2 ] .Commonadditivesaredopantionssuchasyttrium ,whichsubstituteforbariumandpromotean typesemiconductivity .Therare earthelementsinBa TiO3ceramicscouldlowertheresistivitiy ,improvethedi electriccharacteristicsanddecreasethesinteringtempera turenoticeably[3,4 ] ,sotheim…     

包覆MgO对BaTiO3基陶瓷性能的影响

采用均匀沉淀法将MgO均匀地包覆在BaTiO3基陶瓷粉体表面,制备包覆MgO的BaTiO3基陶瓷复合粒子,研究了不同包覆量对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、绝缘性能和击穿电压的影响。实验表明：包覆剂MgO能有效抑制晶粒长大,从而获得晶粒均匀的陶瓷,此细晶效应是由于晶界区MgO的抑制作用;MgO有助于形成“壳-芯”结构晶粒,降低并展宽BaTiO3基陶瓷的ε峰,增加电阻率和击穿电压强度。     

拉曼光谱在Ba(Ti_(1-x)Fe_x)O_(3-δ)陶瓷中的“电荷效应”湮灭

采用冷压陶瓷技术制备具有六方钙钛矿结构的Ba(Ti1-xFex)O3-δ(x=0.05,0.08)陶瓷.由拉曼光谱(RS)技术研究Ba(Ti1-xFex)O3-δ陶瓷在840 cm-1处的"电荷效应".实验观察到代表电荷效应的840 cm-1带消失,其原因最可能是:Fe3+相对于Ti4+具有更小的离子半径、Fe3+-Vo-Fe3+缺陷复合体的形成以及具有低对称性晶格点阵的六方畸变导致电荷效应湮灭.     

Bi1/2Na1/2TiO3-Bi1/2Na1/2(Nb2/3Zn1/3)O3-BaTiO3无铅陶瓷压电介电性能

采用传统陶瓷制备方法,制备出新型无铅压电陶瓷,并对该体系无铅陶瓷的相结构、介电和压电性能进行了研究.结果表明:所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体;随着BaTiO3含量的增加,压电系数d33先增大后减小.同时陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弛豫铁电体特征.