真空紫外和质子辐照对BaO-TiO2系微波介质陶瓷介电性能的影响

考察了几种Ba0—Ti02系微波介质陶瓷材料在其空环境中经紫外和质子辐照后的介电性能变化。结果表明，辐照后材料表面均出现发灰黑色现象。材料的介电性能变化规律与材料的组成、初始原料的形态及处理条件密切相关，即质子辐照后的试祥的介电常数均有提高，提高幅度在10％左右。紫外线辐照后不合稀土元素试祥的介电常数会略有提高，而含稀土元素试样的介电常数呈下降趋势。除由纳米酚制成的BaTi409 5％Pr(摩尔分数)试样外，经质子和紫外辐照后试祥的介质损耗都增大，且质子辐照后试样的介质损耗增大的程度比紫外辐照后试样的大。     

Sr-Bi-Ti系高压介质结构与性能的研究

研究了Dy2 O3 、MnO2 添加剂及工艺对Sr Bi Ti系高压介质显微结构及介电性能的影响规律。结果表明 ,适量的Dy2 O3 能提高介质的介电常数 ,MnO2 能降低材料的介质损耗。同时 ,试样的烧成温度及原料种类对该介质的显微结构及介电性能也会产生影响。     

Sr—Bi—Ti系高压介质结构与性能的研究

研究了Ｄｙ２Ｏ３、ＭｎＯ２添加剂及工艺对Ｓｒ－Ｂｉ－Ｔｉ系高压介质显微结构及介电性能的影响规律。结果表明，适量的Ｄｙ２Ｏ３能提高介质的介电常数，ＭｎＯ２能降低材料的介质损耗，同时，试样的烧成温度及原料种类对介质的显微结构及介电性能也会产生影响。     

晶粒尺寸对BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷介电性能的影响

通过固相反应工艺制备锆钛酸钡Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷,通过控制晶粒尺寸的大小研究晶粒尺寸对介电性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪对样品晶体结构、相组成、微观形貌和晶粒尺寸、介电性能进行了分析。结果表明:所有陶瓷样品均为钙钛矿结构无杂峰出现,晶粒尺寸不大于5μm时随着晶粒尺寸的增大介电常数逐渐提高,当晶粒尺寸在5μm时介电常数达到最大值12 293,介质损耗仅为0.009 95,然后随晶粒尺寸的增大介电常数降低。     

二次烧成对CaO-B_2O_3-SiO_2系微晶玻璃结构和性能的影响

研究一次和二次烧成对CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃的烧结性能与介电性能的影响。用X线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析探讨二次烧成对CBS微晶玻璃的微观结构与介电性能的关系。结果表明:与一次烧成相比,二次烧成能够促进玻璃体中的小晶粒生长,试样的收缩率和体积密度有所增加,有利于介电常数提高和介质损耗的降低,且体系中没有出现新的晶相;875℃烧结的试样,X/Y轴收缩率均为14.33%,体积密度达到2.46 g/cm3,10MHz介电常数和损耗相应为6.21和3.5×10-3,热膨胀系数为11.86×10-6/℃,抗折强度为157.36MPa。     

Bi2O3-CaO-ZnO-Nb2O5系陶瓷介电性能研究

借助XRD,SEM,HP4140B微电流计和HP4274A阻抗分析仪等测试手段,研究实验制备的BCZN[(Bi1.5Ca0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7]陶瓷试样介电性能,并第一次提出了介电常数临界温度和介质损耗临界温度的概念。结果表明:BCZN陶瓷是高频稳定形陶瓷,具有面心立方焦绿石结构,且在最佳烧结温度和保温时间下,为均一的α相单相结构;在很宽的频率范围内,介电常数较高(εr≈81)且很稳定,介质损耗很小(tanδ≈-1.0×10-4);它的介电常数在温度低于介电常数临界温度时,与温度呈线性关系,在温度高于介电常数临界温度时,发生高温突变;介质损耗在温度低于介质损耗临界温度时几乎不变,在温度高于介质损耗临界温度时,发生高温突变;介电常数临界温度和介质损耗临界温度都随频率的升高而升高。     

熔融石英陶瓷材料介电性能影响因素分析

采用凝胶注模成型工艺制备熔融石英陶瓷,通过XRD、SEM和电性能网络分析仪对陶瓷样品的晶体结构、微观形貌、介电性能进行分析,研究了熔融石英陶瓷介电性能的影响因素,为筛选制备石英陶瓷材料最优工艺方案提供依据。研究结果表明：材料制备工艺一定时,制备不同厚度的石英陶瓷板,平铺烧结,同一块方板沿垂直方向自上而下,密度逐渐下降,密度与介电常数呈正相关,密度每上升0.01 g/cm³,介电常数对应上升0.01～0.02,密度对损耗角正切数值影响不大;同一块板同样厚度位置,边角与中间位置的密度几乎没有变化;同一块板,同样厚度方向,介电常数变化不大;石英陶瓷板中引入松香导致试样更致密,密度升高,介电常数随之增大;相同密度的试样,采用不同的介电测试方式计算所得的介电常数有约0.03的偏差。     

复合泡沫塑料的性能改进研究

为改善复合泡沫塑料的介电性能,采用金属氧化物粒子填充改性双马来酰亚胺空芯玻璃微球复合泡沫塑料得到了高介电常数、低介质损耗因数、低密度、力学性能良好的电介质材料。     

高性能陶瓷微波介质材料

微波介质陶瓷可使微波通信和其他微波设备小型化,是有良好发展前景的一种介电材料。目前已经研制出许多具有高介电常数、高品质因数、低介质损耗及小谐振频率温度系数的优质微波介质陶瓷。本文综述近年来微波介质陶瓷在制备工艺、改良介电性能及应用方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。     

硼硅酸盐玻璃/Al2O3低温共烧陶瓷介电性能研究

采用硼硅酸盐玻璃与氧化铝复合烧结制备了硼硅酸盐玻璃/Al2O3系低温共烧陶瓷基板材料,研究了玻璃含量以及玻璃中碱金属离子的含量对介电性能的影响.结果表明,该体系复合材料介电常数随碱金属离子的增加有所增大,复合材料介电常数符合李赫德涅凯对数法则,并随复合材料玻璃含量的增加而减小;复合材料介质损耗随碱金属离子的增加而显著增大.     

Bi基微波介质材料研究进展

低温烧结微波介质陶瓷是近年来电介质材料方面的一个重要研究方向,也是发展片式多层微波器件的基础材料.Bi基材料具有较低的烧结温度和优良的介电性能,因而受到了广泛的关注.据此,对不同介电常数Bi基微波介质材料体系的研究进展及应用作了综合介绍,并分析了低熔点氧化物掺杂、离子取代对不同体系微波介质材料结构、介电性能的影响.     

0-3型压电陶瓷/硫铝酸盐水泥复合材料的介电性能和压电性能

用压制成型法，以水泥为基体，铌镁锆钛酸铅(lead magnesium niobate-lead zireonate-lead titanate，PMN)陶瓷颗粒为功能体制备了水泥基压电复合材料。分析讨论了复合材料的压电性能和介电性能。研究了水泥水化龄期对复合材料压电性能的影响，并对其机理进行了初探。结果表明：随着PMN含量的增加，压电复合材料的压电应变常数d33和介电常数均增大；不像压电陶瓷或压电复合材料的压电性能随时问的延长而减弱，水泥基压电复合材料的压电性则是随着水泥水化龄期的延长而增加，当到达一定龄期后，压电性能趋于稳定。     

DIELECTRIC PROPERTIES OF MATERIALS AND MEASUREMENT TECHNIQUES

The dielectric properties of materials are defined, and the nature of their dependence on moisture content, frequency of the applied electric field, temperature of the material, and density of particulate materials is discussed. Dielectric properties of liquid water are summarized. The influence of moisture content, frequency, temperature, and density on the values of the dielectric constant and loss factor, real and imaginary parts of the relative complex permittivity, respectively, are illustrated for several different kinds of materials. Examples include dielectric properties for the cereal grains corn and wheat, pecans, and pulverized coal. Techniques for the measurement of dielectric properties of materials at high frequencies and microwave frequencies useful for dielectric heating and drying applications are discussed briefly, and numerous publications describing these methods in greater detail are cited for reference.     

复合钙钛矿陶瓷的结构与微波介电性能

介绍了复合钙钛矿化合物结构的本质特征，讨论了钙钛矿结构对微波介质陶瓷材料的介电性能（介电常数、介质损耗、频率温度系数）的各种影响因素。     

烧结助剂对多孔氮化硅陶瓷的力学性能及介电性能的影响

通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%～54%)的氮化硅陶瓷.采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度.用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构.用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10.2 GHz的介电特性.结果表明:材料具有优良的介电性能.随着烧结助剂的减少,样品中气孔率增加,力学性能有所下降,介电常数和介电损耗降低.添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷.当气孔率高于50%时,多孔氮化硅陶瓷(添加入5%的Y2O3或Lu2O3,或Eu2O3,质量分数)的抗弯强度可达170 MPa,介电常数为3.0～3.2,介电损耗为0.000 6～0.002.     

单相钛酸镁微波介电陶瓷的制备和性能(英文)

以碱式碳酸镁和二氧化钛为原料,采用机械力化学法合成了超细MgTiO3粉体,研究了超细MgTiO3粉体的低温制备条件和单相MgTiO3陶瓷的介电性能.结果表明:高能球磨30 h后,原料趋向于无定形态,在700℃煅烧1 h后,可以得到单相MgTiO3粉体.MgTiO3粉体的烧结性能和MgTiO3陶瓷的介电性能的改善丰要是因为超细粉体具有较大的比表面积.在1400℃烧结3 h后,可以得到致密的微波介性能优良的MgTiO3陶瓷,介电常数和品质因数与谐振频率的乘积分别为16.94和4.8 × 10 4 GHz.     

AlN陶瓷的介电性能

着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理,应用基本的电介质物理理论,结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点,研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性,结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理及空间电荷极化;经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷;ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好,导热率较高崦有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瘊性能更加优良的基板材料。     

AlN—BN复合陶瓷的介电性能

以ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷为研究对象，着重探讨了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷的极化机理，应用基本的介电介质物理理论，结合ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷组成和结构特点，研究了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷介电性能（介电常数，介电损耗角正切值）随测量温度，测量频率变化而发生变化的温度特性和频率特性。     

稀土氧化物对氮化铝瓷介电性能的影响(英文)

研究了添加Nd2O3和Er2O3对氮化铝陶瓷烧结性能、介电性能和显微结构的影响。结果表明:在氮化铝瓷中添加Nd2O3和Er2O3,有利于降低氮化铝陶瓷烧结温度,提高致密性,并且介电性能能够得到显著改善。添加3%(质量分数)Er2O3的AlN陶瓷的相对密度达98.8%,介电损耗为1.3×10-4,是纯AlN陶瓷的5%。其显微结构分析表明,氮化铝晶粒尺寸更均匀,并且其晶格参数更接近理论值,晶界相较少,从而使得其介电性能得到较大改善。