低能X射线自由空气电离室散射和荧光光子修正因子的研究

为了减少散射和荧光光子在低能X射线自由空气电离室复现空气比释动能的影响,需要引入散射和荧光光子修正因子。运用EGSnrc MC模拟程序中的DOSXYZnrc程序包对6~50 ke V能量范围内X射线自由空气电离室的散射和荧光光子修正因子进行模拟计算,获得散射和荧光光子修正因子的值;参考CCRI的国际比对规范,对低能X射线规范下的5个辐射质的散射和荧光光子修正因子进行了模拟计算,得出散射和荧光光子修正因子的值。研究结果表明:所得散射和荧光光子修正因子不确定度为0.1%,可为低能X射线空气比释动能的国际比对提供数据支持。     

用半导体探测器测量1.5-60keV的X射线

本文阐述X射线能谱测量用的半导体探测器,对硅与锗X射线探测器进行了比较。扼要介绍了X荧光分析用的探测器的制备方法和性能,分析了影响探测器效率的因素。实际量测了1.5-60keV的X和低能γ射线。对于能量>5keV的X射线,探测效率用~(241)Am源刻度,<5keV时,用玻璃荧光源测量窗吸收及其他效率损失的标准技术。测量结果与文献发表过的数据进行了比较。     

高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器

本文叙述了高阻NTD硅低能β,γ和X射线探测器的制备工艺和性能,探测器的灵敏面积为15mm~2,厚2.3mm。在77K温度下用脉冲光反馈前置放大器对最大端点能量为18.6keV的氚β,~(241)Am 59.5keV的低能γ和X射线的能谱及~(55)Fe 5.9keV的X射线进行了测量。对~(55)Fe 5.9keV的X射线能量分辨率为190eV,并可在室温下存放。     

钨玻璃与铅玻璃对X射线辐射屏蔽效果的数值计算分析

通过 WINXCOM理论计算X射线能量在20~100 keV下,钨和铅硅酸盐玻璃的质量衰减系数、有效原子序数和半值层。结果发现,随着 WO3和PbO 含量的增加质量衰减系数增加。钨玻璃在70 keV能量下,由于光电效应发生突变,质量衰减系数突然增强。随后,利用 MCNP 5计算5种能量下钨玻璃的积累因子,以便进一步修正模拟结果以达到真实情况。     

钨玻璃与铅玻璃对X射线辐射屏蔽效果的数值计算分析

通过WINXCOM理论计算X射线能量在20~100keV下,钨和铅硅酸盐玻璃的质量衰减系数、有效原子序数和半值层。结果发现,随着WO_3和PbO含量的增加质量衰减系数增加。钨玻璃在70 keV能量下,由于光电效应发生突变,质量衰减系数突然增强。随后,利用MCNP 5计算5种能量下钨玻璃的积累因子,以便进一步修正模拟结果以达到真实情况。     

钨玻璃与铅玻璃对X射线辐射屏蔽效果的数值计算分析

通过WINXCOM理论计算X射线能量在20~100 keV下,钨和铅硅酸盐玻璃的质量衰减系数、有效原子序数和半值层。结果发现,随着WO_3和PbO含量的增加质量衰减系数增加。钨玻璃在70 keV能量下,由于光电效应发生突变,质量衰减系数突然增强。随后,利用MCNP 5计算5种能量下钨玻璃的积累因子,以便进一步修正模拟结果以达到真实情况。     

一种可测低能γ和X射线的高纯n型硅探测器

采用蒸发金、钯和离子注入硼作势垒接触,低温扩散锂制备欧姆接触的方法,制成性能良好的低能γ和X射线高纯硅探测器。介绍其制作方法和性能。探测器有效面积为14.5mm~2,厚度3.3mm。在液氮温度下对~(55)Fe 5.9kev X射线的最佳能量分辨率为162eV,对~(241)Am59.5keV低能γ射线的最佳能量分辨率为373eV。同时对三种不同制作方法所得的高纯硅探测器和Si(Li)X射线探测器进行了对比。     

充Xe多丝室中Xe 的KX射线对成像性能影响的MC模拟

对不同能量（20－100keV)的X射线在充3个大气压Xe的多丝室中与Xe原子相互作用的过程进行了蒙特卡罗模拟研究，讨论康普顿散射和Xe的特征X射线对高气压丝室的定位性能的影响，并通过对低密度试模成像的模拟，观察KX射线在高气压丝室中引起的图象畸变，同时提出了一种对特征KX射线和散射线引起的图象畸变的修正方法。     

自制低能自由空气电离室(PRS—2)与电离室(NPL2561)的比对

1 引言 低能自由空气电离室（RPS—2）是本实验室在70年代末为解决K荧光X参考辐射照射量率的测量问题而自行研制的,见图1。 用于仪表刻度的K荧光X参考辐射源给出的低能X辐射可低达6keV或更低,ISO4073推荐的能量下限为8.6keV,而本实验室的参考仪器NPL2560次级标准照射量仪主要是用于过滤X参考辐射照射量的测量,在16.5keV以下的能区就无法给出量值。低能自由空气电离室的研制,解决了这一问题,它是从伦琴的基本定义出发,主要参考了美国NBS Ritz的类似工作而设计的,设计使用的能量范围小于     

HPGe探测器测量低能γ射线241Am的研究

目前,广泛使用的HPGe探测器已经很好地应用于能量范围从100～2000keV之间的γ射线测量,但是在低能区(<100keV),测量分析结果不是很理想.通过实验的方法测量241Am的59.5keVγ射线,然后对结果采用不同的修正并与参考值进行比较分析,得到一种测量低能γ射线的实验方法.     

半导体望远镜β射线谱仪

本文介绍了由厚度为0.3mm、面积为200mm~2的Si(Au)ΔE探测器和厚度为15mm、面积为500mm~2的HPGe E探测器组成的一套半导体望远镜β射线谱仪。其对单能电子的能量分辨为20keV。β谱处理程序可以很方便地用来分析多分支β谱,包括探测器响应函数修正和端点能量及分支比的提取。实验提取的~(152)Eu、~(90)Y和~(56)Mn三个已知β发射体核的端点能量及分支比结果与文献值符合得较好。HPGe探测器也可作为低能γ射线探测器。     

电子束与复合靶作用后辐射特性的数值模拟

建立了复合靶的蒙特卡罗粒子输运计算模型,以“闪光二号”加速器为电子束源,模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律,研究了钽和聚乙烯组成的复合阳极靶对辐射X射线场的影响。模拟结果表明：随着钽厚度的增加,辐射X射线平均能量增大,能量转换效率先增大后减小;聚乙烯可明显减小辐射场中的电子份额。当钽和聚乙烯的厚度分别取20 μm、3 mm时,辐射场中平均光子能量为102.68 keV;光子总能量为88.62 J,远大于电子总能量0.02 J;X射线能量转换效率为0.57%。根据数值模拟结果和实验条件设计了复合靶,计算和测得的X射线平均能量分别为108和121 keV,二者符合得较好。     

铍窗正比计数管的制造、性能及其应用

正比计数管是测量核辐射的一种基本探测元件。在测量X射线和低能γ射线时,和闪烁计数器比较,在两者的探测效率大体相同的情况下,正比计数管具有较高的能量分辨本领,并且能够测量较低的能量。因此,在X射线和低能γ射线(<100keV)的测量方面,正比计数管获得广泛的应用。     

MC法确定微型X射线管点源电子束最佳入射角

利用MC法,模拟不同电子入射方向的微型X射线管出射X射线谱,从而得出最佳入射角。模拟了50 keV能量的点源电子束、2μm银靶、250μm铍窗的X射线管,得到电子的最佳入射角为15°。结果表明:与传统微型透射式X射线管结构相比,调节电子入射角后的原能谱中低能X射线本底对待测元素的特征X射线的干扰减少了,并且电子束轰击靶材产生连续的韧致辐射和特征X射线的相对强度也提高了,有利于EDXRF分析的精度与准确性。     

一种估算沉积在头颅中~(241)Am的模拟方法的初步试验

一、引言 ~(239)Pu、~(241)Am、~(90)Sr、~(210)Pb和天然铀等核素放出的射线的能量远低于300keV(表1)。然而,随着γ(或x)射线能量的降低,本底迅速地增加,以致在低能区严重地阻碍了进行统计上可靠的测量。     

碘化汞探测器的稳定性

低能光子与探测器物质的相互作用主要是光电效应。其光电吸收系数μ_(PE)是: μ_(PE)∝E_r~(-7/2)ρZ~5式中,E_4是入射射线能量(eV);ρ和z分别为探测器材料密度和原子序数。对低能X、γ射线探测,就必须考虑选择原子序数高、密度大的探测器材料。碘化汞作为低能光子探测器,基本满足上述要求。它的特点是:(1)原子序数高,对X射线有很好的阻止本领和相当高的灵敏度;(2)禁带宽度大,可在40℃以下温度范围内工作和保存;(3)体积小、重量轻、牢固可靠、可构成小型的便携式谱仪;(4)适用于低能(<100keV)X射线的探测,有很好的能量分辨率和能量线性,在核医学、X荧光分析、野外探测等方面有着广阔的应用前景。     

准单色X射线机替代~(241)Am放射源的测厚应用研究

应用自制的能量50~60 keV的准单色X射线机替代~(241)Am低能光子源(1.11×10~9 Bq)应用于BS-03测厚仪进行测厚研究,分别测试了BS-03测厚仪输出电流范围,测试X射线在钢板、铝板、有机玻璃的衰减规律以及准单色X射线机稳定性,结果表明,准单色X射线机可以替代~(241)Am放射源用于BS-03测厚仪。     

一种监测低能X射线的Si探测器

低能(50keV以下)光子探测器广泛应用于外大气层核爆监测,天体物理现象研究。采用半导体探测单元试制了低能X射线探测器模块。说明了配置多探测器系统的方法,并介绍了探测单元模块的设计、主要试验和技术指标。室温下噪声等效输入光子能量为2.1keV。     

带有透射窗的背散射式探测器

本文提出了用于~(57)Fe穆斯堡尔谱测量的带有透射窗的高分辨、背散射式探测器的设计,用它可测内转换电子或6.3keV的转换X射线。探测器对6.3keV X射线的能量分辨率是18％,对14.4keV的γ光子能量分辨率是13％,并且对较低能量粒子呈现出更高的检测效率。 这种在样品盒内设置透射铍窗的探测器结构非常适于组成双通道穆斯堡尔谱仪,有利于同时进行吸收谱与背散射谱的测量。     

医用同位素~(125)I放射性强度的测定

~(125)I是发射低能γ的同位素,衰变纲图见图1。它通过电子俘获衰变到~(125)Te的激发态(其中产生的27.5keV KX射线,分支比为68.5％),然后经γ跃迁(发射35keVγ,分支比为6.4％)或发射内转换电子(也产生 上述KX射线,分支比为66.0％)退激到基态。 测定~(125)I溶液放射性强度的较好办法是采用单晶 NaI闪烁谱仪,利用γ能谱上的符合和峰(coincident sum peak)面积来推求之,它的γ能谱见图2。在这个 衰变过程中发射的LX射线能量3.8keV,很低,谱上记