产品汇总：分立半导体

面向各种无线通信应用的超小封装场MOSFET,超小型SOT-963封装MOSFET,高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块,新型2．3A PolyZen电路保护器件,30V TrenchFET功率MOSFET.     

Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这3款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下,可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET,节省七成的电路板空间。     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。     

Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET

正Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款采用业界最小的晶片级封装,并将导通电阻降至1.2 V的MOSFET。Vishay Siliconix的Si8802 TrenchFet功率MOSFET是第一款采用最小的0.8 mm×0.8 mm晶片级封装,亦即Vishay的MICRO FOOT,将导通电阻降至1.2 V的N通道元件。8V N通道Si8802的安装面积比第二小的晶片级元件还要小36%,而且提供相等甚至更低的导通电阻。     

Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET

正日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。     

元器件与组件

MLP封装的ULTRAFET器件；无卤素树脂二极管；针对CPU稳压器的集成驱动器MOSFET;用于照明系统的MOSFET；采用WL-CSP封装的功率MOSFET。     

ST最新MDmesh V功率MOSFET技术

ST宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS（ON）降到0．079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。     

200V DireotFET型MOSFET

该MOSFET可应用于36～75V输入范围内工作的隔离式DC／DC转换器。其在10V下的导通电阻RDS（on）为51mΩ，电流额定值为25A；面积与0．7mm高的SO-8封装产品相同；能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。     

元器件与组件

提高效率的150V功率MOSFET 两种150V大功率MOSFET由于其导通电阻减小了30％,相当于200V MOSFET。IXFH70N15是以TO-247封装,额定电流70A,导通电阻28mΩ;     

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,扩充其采用超小PowerPAK~ SC-70封装的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2×2 mm,在-4.5 V和-10 V栅极驱动下的导通电阻是-12 V、-20 V和-30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。