AlSiCu反应离子刻蚀技术

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。     

PSpice Modeling of Opto-electronic devices Using ABM Components

ＰＳｐｉｃｅＭｏｄｅｌｉｎｇｏｆＯｐｔｏ┐ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓＵｓｉｎｇＡＢＭＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓＪｉａｎｐｉｎｇＣＨＥＮＤｉｅｔｅｒＳＴＯＬＬ１（ＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｎＬｏｃａｌＦｉｂｅｒ－ＯｐｔｉｃＣｏｍｍｕｎｉ...     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀     

Au／a—Ge双层膜分形晶化及其V—I非线性研究

本文报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶化现象，测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜在分形晶化后的Ｖ－Ｉ特性。实验结果表明：Ｗ发形晶化后的Ａｕ／Ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特生，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）。模型对该合理的解释。     

利用准分子激光制备Cu，Al化合物的纳米粒子

利用准分子脉冲激光（ＸｅＣｌ，λ＝３０８ｕｍ）对Ｃｕ，Ａｌ靶进行消融，从而得到Ｃｕ，Ａｌ化合物的纳米级粉末。ＣＵ的产物为（ＣｕＯ）６·Ｃｕ２Ｏ，Ａｌ的产物为Ａ１Ｎ。用透射电镜对粉末进行分析，并对消融产生的纳米颗粒在其颗粒大小及分布上予以分析统计。结果表明，（ＣｕＯ）６·Ｃｕ２Ｏ粒子的平均直径为１１ｕｍ，Ａ１Ｎ粒子的平均直径为６ｕｍ左右，基本符合对数正态分布。     

双束共蒸发制备Fe－Cu包埋团簇

基于气体聚集（ＧＡ）形成团簇的过程，利用双束蒸发共沉积方法，在室温下成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包埋团簇样品。对样品的ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，平均直径为２０ｎｍ左右的Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ原子为壳的良好的芯－壳式包埋结构。     

分形晶化的Au／a—Ge双层膜的非线性V—I特征

本报道了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜的分形晶体现象，并首次测量了Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜分形晶化的Ｖ－Ｉ特性，实验结果表明：分表晶化后的Ａｕ／ａ－Ｇｅ双层膜具有反常的非线性Ｖ－Ｉ特征，应用隧道结网络（ＲＴＪＮ）模型对实验结果给予了合理的解释。     

如何提高呼叫建立成功率

呼叫建立成功率是衡量一个网络质量的重要指标之一,所以想办法提高网络的呼叫建立成功率是非常重要的。 下面详细说明根据呼叫建立成功率计算公式分析可能原因,最后定位到哪套ＲＦ硬件问题。 一、呼叫建立成功率计算公式 Ｃａｌｌ_Ｓｅｔｕｐ_Ｓｕｃｃｅｓｓ_Ｒａｔｅ＝（ＴＯＴＡＬ_ＣＡＬＬＳ＋ＣＯＮＧＥＳＴ_ＡＳＳＩＧＮ　ＨＯ　ＳＵＣ）／（ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ＳＥＲＶ_ＲＥＱ_ＣＡＬＬ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ ＲＥＥＳＴＡＢＬＩＳＨ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ ＰＲＯＣ：ＰＡＧＥ_ ＲＥ-ＳＰＯＮＳＥ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ…     

宁波GSM系统LAC调整方案

宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,…     

NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM

ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单...     

Cu－Zn－Al合金中贝氏体的扫描隧道显微镜分析

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在天气中研究了Ｃｕ－２７．２ｗｔ．％Ｚｎ－４．７ｗｔ．％Ａｌ合金中的贝氏体的精细结构，并与透射电镜（ＴＥＭ）及扫描电镜（ＳＥＭ）下的形态进行了比较，发现Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体是由亚片条或亚单元组成，亚单元由超亚单元构成，进而为贝氏体相变机制的再认识提供了重要的实验基础，并在此基础上提出Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体的形成模型。     

Cu—Zn—Al合金中贝氏体的扫描隧道显微镜分析

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在大气中研究了Ｃｕ－２７．２ｗｔ．％Ｚｎ－４．７ｗｔ．％Ａｌ合金中的贝氏体的精细结构，并与透射电镜（ＴＥＭ）及扫描电镜（ＳＥＭ）下的形态进行了比较，发现Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中虫氏体是由亚片条或亚单元组成，亚单元由超亚单元构成，进而为贝氏相变机制的再认识提供了重要的实验基础，并在此基础上提出Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体的形成模型。     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究

用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。     

Electroluminescent Excitation Mechanism of Erbium－activated Zinc Sulfide Semiconductor Thin Film Devices

ＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＥｘｃｉｔａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＥｒｂｉｕｍ－ａｃｔｉｖａｔｅｄＺｉｎｃＳｕｌｆｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｖｉｃｅｓ￥ＬＩＵＺｈａｏｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＹｕｊｉａｎｇ；ＣＨＥＮＺｈ...     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

Y－Cu－Se的透射电子显微镜研究

Ｙ－Ｃｕ－Ｓｅ的透射电子显微镜研究刘骏＊黄玉珍＃李方华＊＃（＊中国科学院物理研究所，＃国家超导重点实验室，北京１０００８０）Ｙ－Ｃｕ－Ｓｅ是一种新合成的多晶材料，具有抗磁性。本工作利用中国科学院物理研究所超导实验室的Ｈ－９０００ＨＡ透射电镜及其ＥＤＡ...     

MBE System for Growth of Com pound Materials

ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅｉｍｐｏｒｔｅｄＭｏｄｕｌａｒＧｅｎⅡＭＢＥｓｙｓｔｅｍｒｅｖｅａｌｅｄｉｎｔｈｅｆｒｏｎｔｃｏｖｅｒｆｒｏｍＥＰＩＭＢＥＰｒｏｄｕｃｔｓＧｒｏｕｐｉｎ１９９５．Ｉｔｈａｓｃａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ７５ｍｍａｎｄ５０ｍｍⅢ－Ⅴｃｏｍｐｏｕｎｄｍａｔｅｒｉａｌｓ．ＧａＡｓ,ＡｌＧａＡｓ,ＩｎＧａＡｓ,ＩｎＡｌＡｓｌａｙｅｒｓｗｉｔｈｇｏｏｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓａｈｖｅｂｅｅｎｇｒｏｗｎ…     

EMX—500交换机系统带数据丢失的原因分析

ＥＭＸ－５００交换机系统带数据丢失的原因分析江苏省徐州邮电局朱小枫ＥＭＸ－５００交换机的系统带最初是由ＭＯＴＯＲＯＬＡ公司提供的，它共有３个组成部分，即ＰＡＴＣＨ，ＳＹＳＧＥＮ（ＳＹＳＴＥＮＧＥＮＡＲＡＴＩＯＮ）和空的ＣＨＡＮＧＥＪＯＵＮＡＬ。前两部...     

Genetic Searching Algorithm for Optimal Runlength—Limited Codes with Error Control

ＧｅｎｅｔｉｃＳｅａｒｃｈｉｎｇＡｌｇｏｒｉｔｈｍｆｏｒＯｐｔｉｍａｌＲｕｎｌｅｎｇｔｈ┐ＬｉｍｉｔｅｄＣｏｄｅｓｗｉｔｈＥｒｒｏｒＣｏｎｔｒｏｌ＊＊ＴｈｉｓｗｏｒｋｗａｓｓｕｐｐｏｒｔｅｄｂｙｔｈｅＣｈｉｎｅｓｅＫｅｙＰｒｏｊｅｃｔｏｆＦｕｎｄａｍ...