低剂量CO2激光辐照茄子种子对小区产量的影响及其数学模拟

采用功率密度为825mW／cm^2的CO2激光对茄子干种子进行10s，13s，15s的辐照处理，采收期逐次统计小区产量，并通过多项式回归对不同处理小区产量累加值进行了数学模拟，掌握了茄子不同采收期产量变化与激光辐照时间的关系。从t值变化可以看出，在低剂量范围内，随着辐照时间的延长．小区产量累加值增长期也在延长，若期望前期、中期增产显著，则选13s处理，若期望后期增产应选15。     

激光与r-射线辐照蚕豆诱变效应研究

利用CO_2、N_2、He-Ne三种激光及~(60)Co-r射线辐照蚕豆萌动种子表明:三种激光及r-射线等均对蚕豆生长和染色体畸变有不同程度的影响,特别是CO_2激光与r-射线对蚕豆促进生长和染色体畸变有明显效应,且有传递性。     

CO_2激光辐照酵母菌的生物学效应

本研究应用不同剂量CO2 激光辐照处理甘蔗蜜糖酒精工业性生产用酿酒酵母菌 ,旨在探讨CO2 激光对酿酒酵母菌的生物学效应。结果表明 ,CO2 激光对酵母菌细胞生长及生理代谢等方面具有刺激效应 ;CO2 激光对酵母菌具有诱变作用 ,并已筛选出 3株遗传变异菌株     

CO2激光辐照酵母菌的生物学效应

本研究应用不同剂量CO2激光辐照处理蔗蜜糖精工业性生产用酿酒酵母菌,旨在探讨CO2激光对酿酒酵母菌的生物学效应。结果表明,CO2激光对酵母菌细胞生长及生理代谢等方面具有刺激效应;CO2激光对酵母菌具有诱变作用,并已筛选出3株遗传变异菌株。     

高重复频率CO_2激光重复频率大小对HgCdTe晶体温升及损伤特性影响分析

为深入分析高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的损伤机理,开展了高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的温升实验,测得了不同激光重复频率(1、5、10kHz)下HgCdTe晶体的温升过程,建立了高重复频率CO2激光辐照HgCdTe晶体的理论模型,分析了激光重复频率对晶体温升特性的影响;利用ANSYS有限元软件计算了热损伤时HgCdTe晶体的温升值和热应力大小,并结合损伤形貌分析了激光热应力对HgCdTe晶体损伤的影响。研究结果表明,高重复频率CO2激光长时间辐照下,晶体表面温度随着辐照时间的增加而升高,辐照10s时,Hg0.826Cd0.174Te晶体基本达到热平衡,热平衡温度为77℃;重复频率大于1kHz时,激光重复频率的大小对HgCdTe晶体温升特性的影响较小,晶体表面温度主要由激光平均功率密度来决定;激光热应力对HgCdTe晶体的损伤特性影响较小,Hg0.826Cd0.174Te晶体熔化时的最大热应力为5×107Pa,该值远小于晶体的极限应力。该研究将对高重复频率CO2激光在激光防护等方面具有一定的参考价值。     

CO_2激光辐照对PZT-4陶瓷压电性能的影响

常温常压下,采用CO2激光辐照带有电极的PZT-4陶瓷片,当激光辐照时间分别为2、5和10 s时,在适当的激光功率密度下可使其压电应变常数d33从380 pC/N下降为零。系统地研究了激光功率密度和激光辐照时间对PZT-4陶瓷压电性能影响的规律。XRD、拉曼光谱和退火实验结果表明:CO2激光辐照使d33下降为零的原因是由于激光热效应导致PZT-4陶瓷的电畴排列失序,极化状态消失;而激光辐照未使其物相发生变化。     

低功率CO2激光辐照对多层石墨烯结构的影响

在真空环境下使用不同功率密度的CO2激光对化学气相沉积法(CVD)生长的石墨烯进行辐照,通过研究辐照前后的拉曼光谱变化考察了激光功率密度及辐照时间对多层石墨烯结构的影响。结果表明,当功率密度较低(13W/cm2)时,石墨烯拉曼光谱中的D峰降低,2D峰增强,石墨烯内的掺杂、缺陷减少。随着功率密度的增加,石墨烯的缺陷增多,部分缺陷连接形成晶界,使石墨烯分解为纳米晶。在58 W/cm2的功率密度下,当作用时间为120s时,在石墨烯表面产生非晶碳。研究表明,适当参数的CO2激光辐照能改善石墨烯的内在性能。     

He─Ne激光对白术种子萌发与幼苗生长的影响

用Ｈｅ—Ｎｅ激光辐照白术种子，并对其发芽势、发芽率、贮藏物质运转率和幼苗株高、叶面积、根长等指标进行检测。结果表明，适宜剂量的激光辐照对白术种子的萌发与幼苗生长有明显的促进作用。     

高重频CO2激光对Hg0.826Cd0.174Te晶体的损伤

开展了HgCdTe 晶体的多脉冲热损伤问题的实验研究。采用形貌学方法对脉宽为300 ns 重复频率可调的CO2 激光器对Hg0.826Cd0.174Te 晶体的损伤阈值进行了实验测量,并建立了高重频脉冲CO2 激光辐照Hg0.826Cd0.174Te 晶体的三维热传导理论模型,分析了激光重复频率和辐照时间对晶体损伤特性的影响。研究表明:300 ns 的CO2 激光辐照时间大于10 s时,Hg0.826Cd0.174Te 晶体的损伤阈值不随辐照时间的增加而改变,其损伤阈值为1.421 4103W/cm2;激光重频对晶体的损伤阈值的影响较小,损伤阈值主要取决于辐照激光的平均功率密度。SEM 损伤结果显示:晶体损伤为热熔损伤,表面未发现由热应力造成的裂缝。理论模型获得的损伤数据和温升规律支持实验结果。该研究可为高重频CO2 激光应用、激光防护等提供参考。     

He-Ne激光处理对菘蓝幼苗光合作用的影响

以菘蓝(isatis indigotica)为实验材料,研究了HeNe激光辐照中药菘蓝种子对幼苗光合色素含量、净光合速率、气孔导度与蒸腾速率、可溶性糖含量及总生物量的影响。研究结果表明,4种处理均能不同程度提高菘蓝幼苗光合色素含量、净光合速率水平、气孔导度与蒸腾速率,可溶性糖含量及总生物量,比较而言,5min的HeNe激光处理效果最好。在此基础上讨论了激光的作用机理及影响幼苗光合作用的机理。     

太阳能自动谷物翻晒机器人的系统设计简

为了改变传统翻晒谷物的方法,文中提出了一种以ATmega128单片机为主控芯片的太阳能自动谷物翻晒机器人的系统设计方案,并完成了该系统设计。其硬件部分主要是太阳能的收集与储存电路、电压转换电路;软件部分主要是利用AVRStudio编译环境进行编写,完成对太阳能自动跟踪发电系统、无线控制模块、超声波传感器以及步进电机的控制。重点分析了太阳能自动跟踪发电系统部分。结果表明,该机器人发电效率高、节能环保、智能且更具有人性化。     

'秦冠'苹果花粉培养及微丝骨架的变化

以'秦冠'苹果花粉为试材,采用花粉离体培养法,研究了不同培养基组分以及温度对苹果花粉萌发的影响.结果表明:(1)蔗糖和硼酸在一定质量浓度范围内,对苹果花粉萌发及花粉管生长起促进作用,但超过一定质量浓度时则起抑制作用.秦冠苹果花粉最适的培养基为20%蔗糖和0.01%硼酸,花粉的萌发率可以达到60%.在此基础上,以Alexa Fluor 488phalloidin作为肌动蛋白微丝的探针,运用激光共聚焦显微镜技术,观察了苹果花粉萌发过程中微丝骨架的分布变化动态;(2)在未水合的苹果花粉粒中,均匀分布着短小弯曲、颗粒环形微丝.在水合而未萌发的的花粉中,微丝呈网状分布在胞质中,萌发沟部分肌动蛋白束网络较致密,中央胞质部分较疏松.花粉萌发后,微丝转变为平行排列,向花粉管伸长的方向延伸聚集,与花粉管纵向平行排列;(3)生长异常的花粉管内其微丝状态也异常.     

CVDZnS微观缺陷分析

微缺陷对化学气相沉积硫化锌(CVDZnS)的光学及力学性能有显著影响。对沉积工艺进行了介绍，通过SEM、TEM及金相对CVDZnS中的微缺陷如异常大晶粒、柱状晶、微裂纹、微孔及杂质的结构形态进行了观测，并对形成原因进行了分析:高的沉积生长速率是生成异常大晶粒的主要原因；反应物浓度高加之衬底表面的屏蔽效应及Zn/ H2S1形成结构疏松的柱状晶组织；沉积温度较低加大沉积生长应力，宏观上产生材料的起拱，微观上造成晶粒的弯曲形变，并在晶体内产生大量微裂纹；沉积室局部反应物浓度高导致微孔及杂质的产生，须改善沉积室气体流形提高反应物浓度的均匀性。     

He-Ne激光辐射对玉米幼苗α–淀粉酶和磷酸化酶的影响

用功率密度为2.83 mW/mm2,3.95 mW/mm2的He-Ne激光辐射玉米干种子,辐射时间分别为5s、50s和500s.采收二叶期、三叶期幼苗作为试验材料,测试结果表明,经激光辐射后α–淀粉酶和磷酸化酶活性提高,通过聚丙烯酰胺凝胶电泳得到的α–淀粉酶同工酶酶谱,谱带数目增多,峰面积增加.揭示了激光辐射可以改变植物体内的糖代谢,进一步验证He-Ne激光辐射对生物体影响存在一个最佳剂量.     

He-Ne 激光辐射对玉米幼苗糖代谢的影响

用功率密度为２．８３ｍｗ／ｍｍ２，３．９５ｍｗ／ｍｍ２的ＨｅＮｅ激光辐射玉米干种子，辐射时间分别为５ｓ，５０ｓ和５００ｓ。采收二叶期、三叶期幼苗作为试验材料，测试结果表明，经激光辐射后的玉米幼苗ＭＤＨ和６ＰＧＤ活性增加，可溶性总糖含量提高。揭示了激光辐射可以改变植物体内的糖代谢。并表明ＨｅＮｅ激光辐射对生物体的影响存在一个最佳剂量。     

隧道穿透对Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率的影响模拟

在多晶薄膜晶粒一晶界两相结构模型的基础上,考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿机制,在10℃-100℃的温度范围内,模拟了Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率随温度的变化,模拟结果与实验结果有较好的吻合．模拟结果显示,二氧化钒多晶薄膜的晶界效应限制了薄膜相变时电阻率的变化,并使薄膜在金属相时呈现负的温度系数．     

抑制浪涌电流用NTCR可靠性研究

研究了造粒、烧结工艺、原材料、配方组成对抑制浪涌电流用NTCR可靠性的影响。通过合理选择造粒颗粒和烧结温度、选用高质量的原材料,并在配方中添加微量SiO2、CrO3、Sb2O3作为玻璃料可使抑制浪涌电流NTCR的失效率从100ppm降为8ppm.     

堆叠式内存制造中炉管非选择性半球状多晶硅片数效应

随着动态随机存取存储器(内存)线宽的缩小,需要半球状多晶硅等新技术来增大电容。当前对选择性半球状多晶硅论述较多,非选择性半球状多晶硅则较少提到。文中讲述的是炉管非选择性半球状多晶硅在0.13μm堆叠式内存上的实际应用,侧重于解决片数效应。炉管非选择性半球状多晶硅的下电极阻值具有非常严重的片数效应,电容的下极板电阻从炉管底部向上增高,并随着产品片数的增加而增高,导致上部产品良率偏低,一个制程只能生产一批产品。通过对非选择性半球状多晶硅的制程原理及硬件构造进行分析,发现片数效应是由于籽晶沉积阶段的硅烷流量通常非常小,只有10～15标准毫升,它在硅片上的分布密度会随着产品的增多而沿气流方向减少,沿气流方向的硅片只好通过增加籽晶和迁移步骤的温度来拉起更多的基体硅进入半球体,相应的剩余基体硅就会变薄,这就导致了下电极阻值的增高。文章根据该发现,提出了炉管非选择性半球状多晶硅片数效应的解决方法。     

Effect of Additives on Magnetic Properties of High Frequency MnZn Power Ferrite

In keeping with the advance of more compact and more power-saving electronic equipment, the demand is increasing for smaller and more efficient switching power supply. Therefore, it is necessary to provide the adequate magnetic power ferrite materials to satisfy the demand. Such ferrite materials have to meet the following main requirement: 1) high initial permeability (μ i ); 2) high saturation magnetic induction (Bs); 3) high Curie temperature (Tc); 4) high electrical resistivity (ρ ); 5)…     

Simulation of microstructural evolution induced by scanned laser annealing of metallic interconnects

Through modeling and simulations, we have determined the mechanisms that lead to the observed microstructural evolution induced by the scanned laser annealing (SLA) of interconnects. We found that higher laser powers and lower scan rates lead to greater transformation to bamboo microstructures, as well as to longer average bamboo grain lengths. The thermal profile along the interconnect length is shown to have a weak effect on the fraction transformed to bamboo, but a strong effect on the average bamboo grain length. Additionally, using simulations, we have determined SLA conditions that should lead to the development of single crystal structures, which are velocities of 1 μm/s or lower, laser powers 9.7 mW or higher, and steep thermal profiles.