一种基于聚合物分散液晶的荧光开关研究

利用聚合物分散液(PDLC)关特性并与同化荧光材料的特性相结合,制备出一种新型的、具有荧光效应并且荧光激发可由电场调控的荧光开关.用蓝色LED入射到开关器件,通过调制施加在开关上的驱动电压,当光开关关闭时可阻挡蓝色LED光通过,抑制荧光的产生,当光开关开启时,可在散射光路中探测到明显的荧光产生.实验发现,驱动电压在0～...     

降低CCD转移驱动电压摆幅仿真技术研究

降低CCD的转移驱动电压摆幅对于减小器件的功耗有着积极的作用.通过对CCD电荷转移过程的原理进行分析,建立了CCD转移驱动电压摆幅的仿真模型,并从势垒注入、多晶硅电极间隙、栅介质层厚度等方面进行了仿真分析,找出了影响CCD转移驱动电压摆幅的关键因素,同时利用该模型得到了降低CCD转移驱动电压摆幅的优化条件.最后采用仿真结果进行了流片验证,CCD的驱动电压摆幅由原来的7V降低到了4V,验证了仿真结果的有效性.     

0.25 μm介质栅与非介质栅PHEMT的性能比较分析

为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25 μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25 μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行了比较.介质栅器件选用了合适的栅凹槽的宽度和掺杂浓度,提高了开态击穿电压.这意味着可以在更高的电压下稳定的工作而不被烧毁.0.25 μm介质栅器件的截止频率达到19 GHz,开态击穿电压超过11 v,功率密度超过1 W/mm,表现出了较非介质栅器件更为优异的功率性能.最后分析了介质栅器件的优势和有待改进的方向,优化器件栅凹槽形貌,调整栅帽下面介质的厚度,使用双场板结构等可以进一步提升器件性能.     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件

用二维器件仿真软件MEDICI对SiCOI (SiC on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究,提出了一种新的SiCOI MESFET器件介质槽隔离结构,即多台阶介质槽隔离结构.研究结果表明,与单介质槽隔离SiCOI MESFET相比,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导.多台阶介质槽隔离SiCOI MESFET是一种兼顾高击穿电压和大电流的功率器件结构.     

基于双极载流子导电的新型恒流器件

提出了一种基于双极载流子导电、具有低开启电压VK和高反向击穿电压BVR的恒流器件,并进行了初步的试验验证。利用Tsuprem4和Medici仿真工具对器件的恒定电流IS、开启电压VK、正向击穿电压BVF和反向击穿电压BVR等电学参数进行了仿真,优化了外延层电阻率ρepi、外延层厚度Tepi、JFET注入剂量DJFET、P-well注入窗口间距WJFET等参数。试验结果显示,该器件工作于正向时,开启电压VK约为1.6 V,恒定电流IS约为31 mA,正向击穿电压BVF为55 V;该器件工作在反向时,反向击穿电压BVR约为200 V。     

莱迪思改变了电路板的电源与数字化管理设计

改变电路板管理设计 现代电路板使用许多器件,如CPU、FPGA和ASIC来执行主要的处理功能。这些主要的功能器件需要多个安装在电路板上的电源,需要以一个特定的时序开启和关闭,监测故障并对电压的精度进行微调。此外，输入至电路板的功率往往需要冗余电源管理、以及插入电路板，热插拔功能。     

多台阶介质槽隔离的SiCOI

用二维器件仿真软件MEDICI对Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究,提出了一种新的Si COI MESFET器件介质槽隔离结构,即多台阶介质槽隔离结构.研究结果表明,与单介质槽隔离Si COI MES-FET相比,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导.多台阶介质槽隔离Si COI MESFET是一种兼顾高击穿电压和大电流的功率器件结构     

调整有机层厚度制作高效率的电致蓝光器件

介绍利用优化有机膜厚度的方法,制作了发光效率较高的有机电致蓝光器件.器件的结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al,当2T-NATA,NPB,DPVBi,TPBi,Alq3,LiF的厚度分别为15 nm,10nm,20 nm,15 nm,25 nm,0.6 nm时,器件的性能最好.在电压为12 V,电流密度为537 mA/cm2时·亮度达到最大为13 540 cd/m2.在电压为7 V,电流密度为22 mA/cm2时,器件的最大电流效率为4.48 cd/A.且器件的开启电压较低,在4 V工作电压下,亮度达到4.82 cd/m2.电压在5～12 V的范围内,发光色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.17,y=0.16附近,处于蓝光中心区域.     

双通道、Quick-PWM降压控制器

MAX17101具有四路电压调节器输出,内部100mA线性稳压器可用于产生上电或其他低功耗“始终保持开启”的备用电源所需的5V偏置电压。控制器还包含一个低电流（5mA）、“常开”线性稳压器,在笔记本电脑的其他稳压器全部关闭时为实时时钟（RTC）供电。器件具有低边MOSFET检测功能,     

A poly-Si AMOLED display with high uniformity

An active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) display based on the polycrystalline silicon backplane technology has been fabricated that employs a new pixel circuit to compensate for the variation in the threshold voltage of the thin film transistors (TFT). The new pixel circuit also copes with the voltage drop in the supply line and a very high contrast ratio can be achieved. The uniformity of the new AMOLED display is remarkably improved compared with the basic two-TFT pixel structure, and it can be readily applied in the mass production of commercial AMOLED displays.     

Mirrored OLED pixel circuit for threshold voltage and mobility compensation with IGZO TFTs

In this paper, pixel circuit using mirroring structure with Indium–Gallium–Zinc oxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) for active matrix organic light emitting diode (AMOLED) display is proposed. This pixel circuit consists of only four TFTs, and one capacitor. Due to the mirroring structure, characteristic of the driving TFT can be precisely sensed by the sensing TFT, which is deployed in a discharging path for gate electrode of the driving TFT. This discharging process is strongly dependent on threshold voltage (V_T) and effective mobility of the sensing TFT. Circuit operating details are discussed, and compensation effects for threshold voltage shift and mobility variations are verified through numerical derivation and SPICE simulations. Furthermore, compared with conventional schematics, the proposed pixel circuit might have much simplified external driving circuits, and it is a promising alternative solution of high performance AMOLED display.     

电压倍增之像素设计

为了节省面板电路驱动芯片的功率损耗以及制作成本,本研究提出一种新的像素电路设计,而在设计中将会融合电荷泵电路。利用这种电路设计的像素可有效地将像素电极上的驱动电压提高到输入电压的2～3倍以上。此像素电路设计具有两个优势:第一,可以有效降低显示面板的像素功率损耗;第二,不需高电压的面板电路驱动芯片,因此可节省芯片的成本及功率损耗。由模拟结果可知,像素电极上的驱动电压确实可由此像素电路设计而提高到输入电压的2～3倍以上;而像素的功率损耗也可有效地降低,约为传统像素的1/2。     

一种新型硅基液晶微显示器件像素电路的研究

设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构，并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较，分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低，从而提高了像素电容的电压保持率，降低了闪烁，并减小了电磁干扰对像素电压的影响，提高了器件可靠性，同时提高了对光照的承受能力及对温度变化的适应能力，改善了显示品质，适用于高亮度显示器件。     

横线Mura的分析与改善

横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良,对于画面品质有较大的影响。文中对横线Mura发生的原因进行分析,通过对金属膜层的应力测量及分析不良区域金属断面结构,认为横线Mura的发生是由于在栅电极成膜过程中,玻璃基板中心和边缘的Mo金属层的应力差异较大,造成在应力释放后Mo金属层与玻璃基板之间结合不紧密,从而影响到栅电极与源电极间的寄生电容参数发生变化和信号电平发生偏移。提出对栅电极膜层结构进行调整,将栅电极底层Mo金属膜去除可以有效地降低不良的发生比率,并进行了相关验证。     

改善a—SiTFTLCD像素电极跳变电压方法研究

非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（a—SiTFTLCD）中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在．使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为△Vp。降低△Vp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留．同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压。防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下,从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了△Vp形成原理,介绍了两种能有效降低△Vp的方法．即多栅极电路和脉冲式存储电容。     

一种新型的电压型AMOLED像素补偿电路

针对常用3T1C结构的AMOLED像素补偿电路容易受到阈值电压漂移影响的问题,介绍了一种新型电压型4T2C结构的AMOLED像素补偿电路,阐明了该电路的工作原理,并对OLED的驱动电流作了定性分析。结果显示该驱动电流值只与驱动电压及电源电压有关,从而有效地解决了因阈值电压变化而造成的显示器亮度不均匀的问题。该电路已通过Spectre仿真软件验证了其有效性。     

Ultra-High Transmission Electrowetting Displays Enabled by Integrated Reflectors

A reflector technique for increasing the transmission performance of a back-lit electrowetting display is presented. The electrowetting display pixel structure consists of an opaque oil film that blocks light transmission. Electrowetting with 5-10 V breaks up the oil film and creates a transmissive area for the pixel. With real-world electrowetting materials and device constraints, the transmissive area typically reaches 60% to 80% of the pixel area. By integrating a simple thin-film reflector between the backlight and the remaining oil film area, the effective transmission can be boosted to >90%. This high efficiency is promising for battery-powered applications and for high-brightness sunlight-legible displays.     

有源OLED像素电路的设计与仿真

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路，并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程，详细分析了源（Source）电压VDD、存储电容Cs，以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明，此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流，并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。     

基于低温多晶硅薄膜晶体管的AMOLED交流像素电路

This work presents a new voltage programmed pixel circuit for an active-matrix organic light-emitting diode(AMOLED) display.The proposed pixel circuit consists of six low temperature polycrystalline silicon thinfilm transistors(LTPS TFTs),one storage capacitor,and one OLED,and is verified by simulation work using HSPICE software.Besides effectively compensating for the threshold voltage variation of the driving TFT and OLED,the proposed pixel circuit offers an AC driving mode for the OLED,which can suppress the degradation of the OLED.Moreover,a high contrast ratio can be achieved by the proposed pixel circuit since the OLED does not emit any light except for the emission period.