欧司朗开发出发光效率约提高30%的高功率红色LED面向投影仪光源等产品

德国欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)宣布,开发出了驱动电流为350 mA时发光效率高达119lm/W的红色LED(英文发布资料)。该产品采用了该公司高功率红色LED芯片Thinfilm中的技术,发光效率较原来提高了约30%。据欧司朗介绍,发光波长为615 nm,该波长时的发光效率(输入350 mA电流时)创下了新纪录。驱动电流为70 mA时的发光效率为1361     

100lm/W照明用LED大功率芯片的产业化研究

本研究基于蓝宝石图形衬底（PSS）制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。     

XLamp XP—G LED：Rb性白光和暖白光

Cree宣布色温介于2600K-5000KCCT之间的暖白光与中性白光XLampXP—GLED开始商用。暖白光（3000K）XLampXP-G在350mA的驱动电流下,可提供114 lm的光通量和109Im／w的高光效。假设采用1．0A的驱动电流,XP．G暖白光LED则可提供高达285Im的光通量和84lm/W的光效。     

发光效率提高10倍的发光二极管阵列

据报道，日本冲电气工业新开发了发光效率提高10倍以上的发光二极管阵列。过去开发的GaAsxP（1－x）LED）阵列，驱动电流为3mA时的每单位电流的发光强度约为5μW。这次开发的LED阵列．在发光层采用了AlxGa（1－x）As材料．在驱动电流4mA条件下．每单位电流的发光强度高达100μW．使用该材料的光波长为750nm。该LED阵列。是采用控制杂质扩散的固相扩散技术形成的．在一块芯片上以21．2μm间距排列了256个LED。发光效率提高10倍的发光二极管阵列@孙再吉     

日亚化工发布新一代高功率白色LED

日亚化工近日发布了定位为1W级的新一代高功率白色LED。当输入350mA电流时，光通量为145lm，发光效率为134lm／W。与输入电能相对应的光输出效率（WPE：Wall Plug Efficiency）为39．5％。该产品是一种由YAG荧光体与蓝色LED芯片组成的白色LED，芯片尺寸为1mm见方。该产品可用于一般照明设备，色温为4988K，接近一般照明设备的5000K。为方便测定，还采用了脉冲电流输入方式。     

欧司朗发布输入1A电流可获得191lm光通量的绿色LED

德国欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）公司开发出1A驱动时光通量为191lm、发光效率481m/W、波长为527nm的绿色LED，并在美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”（2007年9月16-21日）展会上发表（演讲序号：D1）。芯片尺寸为1mm见方。350mA驱动时光通量为100lm、发光效率为81lm/W、波长为532nm。     

发光效率100lm／W的白色LED!日亚化学06年6月开始供应样品

日亚化学工业日前开发出了发光效率为100lm／W的白色发光二极管（LED），2006年6月开始供应样品（图1）。计划同年12月投入量产。从发光效率来说，性能超过了普及型荧光灯，可与发光效率较高的品种比肩。2005年该公司曾表示2010年前后量产100lm／W产品。这次公布的消息将量产时间提前了3～4年。日亚化学工业即将供应样品的白色LED，在20mA的输入电流下可得到6lm的光通量。     

发光效率高达30lm／W的白色发光二极管

化成OPTONIX、STANLEY电气、三菱电线工业联合开发出了发光效率达30lm/W的白色发光二极管（LED）。该LED在发出波长382nm紫外光的GaN类LED（紫外LED）中配合使用了将紫外光分别转换为红色光、绿色光、蓝色光的荧光体材料。获得的白色光是 CIE色度上的（x=0.297,y=0.362）。     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器,发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光。这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光,这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的下部,该装置采用4个芯片共用的阳极。     

松下公司GaN LED的突破

日本松下公司采用高质量GaN衬底制作了世界最高输出功率的白光LED。InGaN基LED生长在本征材料之上,制成LED的效率比一般在蓝宝石衬底上制作的LED要高一半以上。该LED的蓝光芯片发射波长是460nm,当用350mA的正向电流驱动时,总辐射通量是355mW,转换成外量子效率计算为38%。相比之     

聚苯乙烯球掩膜干法粗化提高LED发光效率

采用聚苯乙烯球作为掩膜层,对ITO(氧化铟锡)薄膜进行干法蚀刻实现ITO表面的粗化,提高GaN基大功率LED芯片外量子效率。利用AFM及SEM对ITO表面进行表征,比较了微球尺寸对ITO表面形貌及芯片光电参数的影响。结果表明,ITO表面经过350nm聚苯乙烯球图形化后,在未影响芯片正向电压和波长的前提下所制备的1mm×1mm波长为457nm的大功率LED芯片,亮度增加可达30%以上。     

大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术

提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板.采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LED芯片,芯片尺寸为1.5 mmx4.5 mm.在200 mA的驱动电流下,大功率倒装单片集成LED芯片的正向电压为8.3 V,反向漏电流小于100 nA.当输入电流为2 A时,大功率倒装单片集成LED芯片的输入功率为20W,其最大光输出功率为8.3 W,插墙效率为42.08％,峰值热阻约为1.23 K/W,平均热阻约为1.17 K/W.     

垂直结构LED和倒装结构LED的发光特性研究

研究了1.16 mm GaN基蓝光芯片的垂直封装结构LED和倒装封装结构LED在驱动电流达到和超过工作电流350mA的发光特性和变化趋势.随着驱动电流的逐渐增大,与垂直结构LED相比,倒装结构LED光通量的饱和电流值增加350mA,在1 200 mA电流时的光通量高出25.9％,色温的异常电流值增加了400 mA,发光效率平均提高81 m/W.实验结果表明,倒装结构LED具有更高的抗大电流冲击稳定性和光输出性能,可有效提高LED在实际应用中使用寿命.     

具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED

采用ITO/Ti_3O_5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti_3O_5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti_3O_5薄膜结构的主波长621 nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)较传统结构芯片发光强度提升40%,20 mA注入电流下,电压均值在2.1 V左右。     

安捷伦为户外标志和信号应用推5mm椭圆形AlInGaP LED

这一系列的AlInGaP(磷化铝铟镓)LED可在高达70mA的电流下工作,实现更高的光输出,新型中等功率红色(波长为630nm)和琥珀色(波长为590nm)LED采用椭圆形发光模式的5mm(T-13/4)半圆形双孔直插封装技术。其红色和琥珀色LED在70mA的正向电流下分别可实现3309mcd和2521mcd的典型发光度。如果以相同数量的LED来设计标志,则可大幅提升亮度,改善易读性和对比效果。其引线间距和封装都与传统的高亮度5m m椭圆形LED相兼容,因此在升级时不需要做任何机械的改变。椭圆形发光模式的LED与标准的LED产品相比,不但扩大了视角,而且增强了亮度,这使…     

新型CERAMOS^TM反射镜LED

此CERAMOS^TM反射镜LED专门为基于导光板的显示器在高环境光条件下（如现在的TFT显示器、汽车仪表盘和飞机驾驶舱）的背光照明度身定做,特别适用于耦合到2mm薄的导光板中。该产品不仅封装小巧,而且能提供亮度和功率的极佳性能,是中型（5-20英寸）液晶显示器（LCD）背光照明的理想解决方案。这款薄型CERAMOS^TM反射镜LED采用ThinGaN^TM LED专利技术制成,电流为80 mA时光学效率高达70Lm／W。     

ASMT-MY09：1W暖白光高功率LED

Avago推出一款1W暖白光Moonstone高功率LED产品,适合各种建筑、商业、聚光灯、工作灯、背光以及装饰照明等应用。ASMT-MY09LED采用薄型化设计,可以以350mA的驱动电流提供高达95流明（1m）的高光度输出。此外,这款由Avago公司所提供的暖白光高功率LED产品也可以帮助照明应用设计工程师通过使用较高驱动电流,在不牺牲每瓦流明数（lm/W）输出效率的条件下达到更高流明度输出。     

滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计

设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5～9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。     

长寿命紫外发光二极管

加拿大Bivar公司最近研制成功了一种大功率紫外发光二极管 (LED)。该LED以多芯片和组合阵列器件构成。LED每块芯片的标准辐射通量为 1 2mW ,标准稳定波长为 40 0nm。整个器件封装在全金属和玻璃TO 92壳体内。在工作电流为 30mA条件下 ,这种LED可连续工作 2 00 0 0多小时。 (No .2 3)长寿命紫外发光二极管