基于光照强度的PIN光电二极管响应时间分析

在PIN光电二极管应用中发现,光照强度对响应速度具有很大影响.论文研究了光强对响应速度的影响,提出了内部PIN结等效电场模型,并搭建了实验电路对PIN光电二极管在不同光照强度下的响应速度进行检测,验证提出的结模型,很好的解释了光电二极管从无光照到有光照这一过程中,光强越强,响应时间越短;而当光电二极管从有光照到无光照这一过程中,光强越强,响应时间越长这一现象.提出的模型和实验验证为光电二极管在响应速度要求较高的系统中的应用提供了理论分析依据,也为进一步提高PIN光电二极管的速度提出了有益的探索.     

基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器

基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。     

光电二级管放大器的环境光自动调零电路

许多应用场合需要在有环境光的情况下用光电二极管测量光信号。为了消除环境光变化而造成的假信号,常用的办法是用遮光罩把光电二极管与环境光隔离开来。另一种办法是利用直流恢复电路来抵消低频环境光的影响,具体如本电路所示。 Burr-Brown公司的OPT201是集成的光电二     

光电倾斜传感器

<正> 本文介绍了一种新型的光电倾斜传感器,它是由装配在光电二极管阵列上的发光二极管(LED)、酒精水准仪构成的。LED发出的光照在酒精水准仪的气泡上,气泡的影像又可投射在由四个等面积的正方形二极管组成的阵列的表面上。板上这些二极管用十字条绝缘隔开。传感器保持     

采用硅光电二极管阵的快速光谱记录系统

硅光电二极管阵快速光谱记录系统包括硅光电二极管阵探测器及其致冷装置、扫描及驱动电路、低噪声前放及视频放大电路、采样保持及A/D变换电路计算机接口及相应的系统控制软件。这是我们自行设计的一种新型光多道分析器,系统框图如图1。来自光谱仪的分光光谱被硅光电二极管阵(RL     

硅光电二极管结构特性研究

为探讨光电二极管工作机理及其改进潜力,从一款常规光电二极管应用产品的设计入手,采用光敏区尺寸逐渐变大、呈规律性排列的硅光电二级管串联的结构,分析其特性与机理.在此基础上对同类产品进行优化,详细阐述新结构工艺原理与实现方式,分别从器件结构、工作原理、不同结构的优劣点等方面对比改进前后两种不同结构光电二极管的特性.从工艺参...     

介绍一种光电开关

<正> 安源煤矿制作了一种光电开关,具有结构简单、性能稳定、防潮防尘等优点,将光源稍作聚光后,传送距离可达数米。开关由光电转换、信号放大、执行出口、稳压电源组成。光电转换由光源(矿灯),光电二极管2CV1D,电阻R_1、R_2,     

光传感器的研究进展及应用

光传感器是光信息检测中的关键部件。本文着重介绍了半导体雪崩光电二极管的研究现状和应用，以及一种新型的单光子探测器－真空雪崩光电二极管的结构，原理和特性。     

基于单片机的光电二极管阵列驱动电路设计

介绍了一种基于单片机的光电二极管阵列驱动电路。在单片的单片机上完成光电二极管阵列时序信号产生、A/D转换及数据传输整个过程,能够检测nA级微弱信号,与常用的可编程逻辑器件相比具有成本低、功耗低、电路结构简单的特点。     

利用激光光源实现镍网开孔率的检测

分析了用光通量测量法镍网开孔率的理论依据和现有技术的缺点,采用激光二极管作为光电探头光源,使用四个光电二极管获取开孔率采样值,通过计算机软件校正光电二极管的非线性,采用多重数字滤波技术提高仪器的精度和的稳定性,实现自动测量、自动校准,同时还提供了与上位机通信的Max232接口.     

利用激光光源实现镍网开孔率的检测

分析了用光通量测量法镍网开孔率的理论依据和现有技术的缺点,采用激光二极管作为光电探头光源,使用四个光电二极管获取开孔率采样值,通过计算机软件校正光电二极管的非线性,采用多重数字滤波技术提高仪器的精度和的稳定性,实现自动测量、自动校准,同时还提供了与上位机通信的Max232接口。     

四管像素满阱容量影响因素研究

在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上,着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容量的影响,建立了满阱容量的计算模型。将测试结果与模型公式进行拟合,可以预估像素的满阱容量,指导像素设计。为了提高四管像素的满阱容量,提出在钳位光电二极管与浮空节点之间增加P型注入层稳定阱容量的方法。增加P型注入层可以大幅减小积分时间内光电二极管中储存的光生电子向浮空节点方向的泄漏,从而有效稳定阱容量。测试结果表明,在多种工艺条件下,像素的满阱容量从基本可以忽略提升至十万个电子的量级。     

日本研制出超高速光电转换元件

日本三菱电机公司研制出下一代通信用超高速光电转换元件光二极管。该光二极管能将光电转换率提高到90％以上,创世界最高光电转换率。研制人员首先在以铟、镓、砷为材料的基板上采用“有机化学气相生成法”生成出光吸收层,光吸收层接受到光之后就会迅速转换成电流。光吸收层越薄,应答速度越快。     

一种新型集成荧光传感器设计与实现

基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器,该传感器采用P+/Nwell/Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器(CTIA)有源像素电路结构。传感器采用0.5μm CMOS工艺实现,测试结果表明:双结深光电二极管在波长532 nm时具有峰值灵敏度为2×10-8A·m2/W,CTIA有源像素结构在光照6lx、积分时间为310μs时的灵敏度可以达到2243 V/lx·s。该设计表明:采用双结深光电二极管单元的CTIA有源像素电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度。     

计算机辅助激光成像雾滴尺寸测量系统

文章研究了计算机辅助激光成像测量雾滴尺寸的方法,分析了系统的学系统、光电二极管阵列及其光电检测系统和数据采集系统等。     

计算机辅助激光成像雾滴尺寸测量系统

文章研究了计算机辅助激光成像测量雾滴尺寸的方法,分析了系统的学系统、光电二极管阵列及其光电检测系统和数据采集系统等.     

实弹射击自动精确报靶系统研制

本文介绍一种实弹射击精确自动报靶系统。在该系统中，发光二极管发射平行光束，光电二极管组成接收传感器阵列，共同组成光电靶。传统的目标靶纸放置在光电靶前，两靶同轴，子弹穿过靶遮挡光束，X、Y轴对应的光电二极管输出脉冲信号，通过编码形成8位二进制地址码，利用单片机进行数据处理和无线通信，可实现实弹射击中的示靶、检靶、报靶自动化，以及成绩的实时显示和记录打印。     

硅基光电探测器空间辐射效应研究进展

硅基光电子技术结合了高集成度的大规模集成电路制造技术与光电子芯片的大带宽、高速率等优势,推动硅基光电器件在高能物理实验、医学影像和高能粒子碰撞器等领域的广泛应用。然而,应用于空间环境和医疗探测器的光电探测器在运行周期中预计会受到～10¹² particles/cm²的累积注量,而应用于大型粒子对撞机的新型探测器则要经受～10¹⁴ particles/cm²的辐射注量。本文详细阐述了硅基光电探测器的空间辐射效应研究现状,主要包括不同粒子辐照后硅基光电二极管、雪崩光电二极管、单光子探测器以及光电倍增管等主流光电探测器的辐射效应研究进展。研究结果表明,探测器抗电离总剂量性能较好,位移损伤是导致其关键性能参数退化的主要原因,由于工作原理差异,各类器件在辐射环境中表现出不同退化行为和作用机理。     

自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度分析􀀁

自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度为单位曝光光量下器件的输出电流或电压,本文用计算机辅助分析得出了灵敏度与每位二极管电容Ｃｓ的关系,根据本文给出的程序框图与所编制的程序,可以计算出不同光照时,灵敏度大小的分散性,对自扫描光电二极管线阵器件的选用与制造都有一定的参考价值。     

光电编码盘

<正> 一、前言我们用小型指示灯制做的光笔作光源,光电二极管2DUIA作接收元件,加上一些控制线路作成了一台光电编码盘。这种编码盘可以用作汉字(字符或字母)编码的代码,或作查找汉字的地址代码,还可以用在