本本是怎么热死的笔记本夏日清凉招数

散热，历来都是笔记本电脑最令人头痛的问题。对于业界来说，笔记本电脑的散热问题是制约其发展的最大瓶颈，散热问题是笔记本电脑“轻北设计的紧箍咒，在保持完备性能的情况下，使得笔记本电脑的尺寸极限难以有本质的突破。对于用户来说，散热性能的优良与否直接影响到使用感受和笔记本电脑的寿命。目前正直盛夏时节，更是笔记本电脑中暑的高发时期，解决您笔记本电脑的散热问题更是迫在眉睫。[第一段]     

让PC冷静下来

散热和噪音一直是困扰PC用户的两大问题,CPU的速度越来越快,从奔腾时代开始就使用风扇散热,显示卡芯片的速度越来越快,显示芯片的发热量也越来越大,NVIDIA的显示卡也开始用上了风扇,再加上机箱里的风扇和电源的风扇,甚至有可能由于“各散各的热”而造成机箱里产生“乱流”,反而影响了机器的散热效果。为了能够在有限的资金内获得更大的性能,众多的DIY用户经常让自己的爱机赤身裸体,几个风扇一齐吹也使得噪音变大,很难解决。     

芯片上直接安装散热零件技术

新光电气公司初步确立了一种新技术 ,那就是在ＭＰＵ的封装中 ,在芯片上直接安装散热零件的技术 ,从 2 0 0 1年春天开始出厂。其特点是 ,在芯上直接安装金属零件 ,以便把热量从芯片的背面扩散出去。到目前为止 ,较难的问题是 ,由于背面稍有微小起伏 ,难于安装实在 ,但通过较独特的处理技术得到了合理解决。对高速ＭＰＵ来说 ,尽管芯片的发热量迅速增加 ,通过采用新产品 ,散热问题得到了解决。目前在高丘工厂开始生产 ,现在已出了样品 ,预计在 2 0 0 2年投入大批量生产。芯片上直接安装散热零件技术@胜杰…     

电子封装热管理的热电冷却技术研究进展

电子封装器件中芯片的散热问题一直是制约其发展的瓶颈。综述了芯片的产热特征、散热需求与散热方式。对热电冷却(TEC)技术在芯片散热系统上的应用进行分析,指出了其不足之处与特有的优势。对热电冷却技术在芯片热管理方面应用研究的现状与进展进行了总结评述。     

GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析

与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势.对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析.研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力.     

为手机请个管家：认识QPtools手机工具箱

对于普通的手机用户来说，怎样操作、使用手机是一件按部就班的事，说明书上就已经写得明明白白；而对于一个智能手机的用户来说，这里面可大有学问，同样一部手机在不同人的手里就能玩出不同的“花样”来。由于采用了开放式系统，第三方的运用软件可谓是层出不穷，只受手机本身硬件支持，上面的所有功能你都可以按照自己的方法DIY，这也是玩智能手机的一大乐趣和优势：然而，对于一些怕麻烦，讲求效率的人来说，名目繁多的各种软件以及管理工具的安装又是一个头痛的问题，寻找一款功能上的集大成之作就成了不错的解决方案。所谓需求就是动力，这样的软件也不是千里难寻。[编者按]     

激光二极管合束模块整体散热热阻分析

半导体激光器散热是在热源至热沉之间尽可能提供一条低的热阻通路。其主要目的是降低外热阻(即激光器芯片至散热空间的热阻),使发热激光器芯片与被冷却表面之间保持一个低的温度梯度和良好的热接触。对于接触热阻冷却方法,人们往往根据自身的研究对象,用实验方法来解决接触热阻的问题。通过对单管合束模块整体热阻逐步进行分析,通过软件模拟和结合频率红移法对激光二极管热阻进行测量,得出单管合束模块整体散热热阻小于0.25 ℃/W。此散热模块可以满足百瓦级半导体激光器的散热要求。     

重拾LM1876制作小型功放

笔者是个业余音响发烧友,有时间就喜欢自己动手DIY音响器材,如解码器、前级、功放、音箱等,乐此不疲。对于音响发烧友来讲,基本上都经历了从DIY集成元件功放到DIY分立元件功放的过程。现在多数多媒体音箱生产商采用集成功放来作为多媒体音箱制作的首选,因为它所需的外围元件少、调试简单、价格便宜,因此,集成功放芯片也是在发烧友手中最常见的元器件。     

多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法

随着半导体行业对系统高集成度、小尺寸、低成本等方面的要求,系统级封装(Si P)受到了越来越多的关注。由于多芯片的存在,Si P的散热问题更为关键,单一的热阻值不足以完整表征多芯片封装的散热特性。介绍了多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法,通过热阻矩阵来描述多芯片封装的散热特性。采用不同尺寸的专用热测试芯片制作多芯片封装样品,并分别采用有限元仿真和瞬态热阻测试方法分析此款样品的散热特性,最终获得封装的热阻矩阵。     

MCM的散热考虑

本探讨了多芯片组件的散热问题，并提出了几种散热方法。     

不一样的DIY发烧友

很荣幸受到组委会的邀请成了这次由“广州（国际）影音器材及零配件展览会”举办的DIY音箱比赛的评委之一。对于我来说是一件颇为新鲜的事情,也是第一次做音响类比赛的评委。印象中在广州音响DIY方面的比赛好像几乎被人遗忘,上一次的DIY评比距今已经是很多年前的事情了。     

基于合成双射流与翅片主-被动组合的大功率LED阵列散热实验研究

为了更好地解决大功率LED散热问题,促进其集 成化,提出了一种基于合成双射流(DSJ)与翅片主-被动 组合的散热方式。通过实验对比,分析了4种不同方式的散热特性。结果表明,采用DSJ 单独散热, 芯片温度会迅速下降并趋于稳定;采用DSJ与翅片主-被动组 合结构,芯片稳定温度相对于商用翅片下降了15℃,不仅散热效果显著,而且结构紧凑。     

君子动手，乐在其中——仿西电WE-91单端300B胆机实验制作纪实

对于喜欢动手DIY的胆机发烧友们来说．结果往往并不是最重要的．更大的乐趣在于实施的过程之中。通过仿制西电WE-91,可以感受DIY的极大乐趣。     

基于平板热管的大功率LED散热系统模拟及优化

为解决大功率LED的散热问题,设计了平板热管散热器来实现LED芯片的高效散热。通过Flotherm模拟软件,对大功率LED在自然对流条件下的散热情况进行了三维数值模拟。通过平板热管与常规铜、铝散热基板对比,发现平板热管有效降低了大功率功率LED的结温和热阻,使得LED温度分布更为均匀。此外,还研究了平板热管LED散热系统在不同芯片功率下的热性能,并对四种不同排布方式的LED平板热管散热系统进行了优化,发现阵列分布其温度分布最为均匀,结温最低,是较优的排布方式。     

基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究

研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。     

基于COB技术的LED散热性能分析

当前,散热问题已成为影响LED寿命、光效、光衰和色温等技术参数的重要因素。文章在综合分析散热技术和LED封装对散热性能影响的基础上,利用COB(板上芯片)封装技术,将LED芯片直接封装在铝基板上,研制成了一种基于COB封装技术的LED。与SMD封装LED进行比较,分析了其散热性能。分析结果表明:基于COB封装技术的LED减少了LED器件的结构热阻和接触热阻,使其具有良好的散热性能。     

湍流模型下堆叠芯片温度场分析

风扇散热的原理是较冷空气流过芯片或PCB板时,通过热对流方法吸收芯片发出的热,变成较热的空气流出,从而达到驱散芯片间热空气的目的。当堆叠在一起的芯片之间有空气匀速流过,且速度v较大时,芯片的散热方式主要是热对流,而热传导、热辐射等散热方式可以忽略不计。通过模拟匀速流动的空气在堆叠芯片中流过的情景,建立了堆叠芯片和匀速流动空气的模型,结合热力学理论,分析了空气流动时板的吸热和温度变化情况,得到了空气匀速流过时堆叠芯片间温度均匀变化的结论,为堆叠芯片的散热提供了理论依据。     

电力电子器件封装模块的散热特性

以传统电力电子器件封装模型为基础,介绍了大功率电力电子器件热量传递机理、失效原因。阐述了电力电子器件的主要外部散热方式及发展现状。最后基于有限元软件ANSYS为平台,通过改变电力电子器件内部结构,包括芯片间距、衬板厚度、铜底板厚度,分析了内部结构芯片散热的影响。通过测试发现,当芯片分布均匀时,散热效果最好,导热系数较高的材质,芯片散热效果较为理想。在小范围内,芯片结温随底铜板厚度增加而下降,之后芯片结温随厚度增加而升高。     

浅析LED灯具的散热设计

LED灯具的设计较传统灯具复杂,包含光学、机械、电子及散热等,其中散热尤其重要。因为目前大功率LED灯具的转换率仅有20%会转换成光,其余80%会转换为热,如果不能将热量导出灯具之外,将无法达到LED光源宣称的50,000小时寿命,同时热量会影响LED的发光效率,导致严重光衰及灯具毁损的惨况。本文从LED芯片、LED芯片基板、芯片封装、线路设计、系统电路板、散热鳍片到灯具外壳等环节对散热设计进行了详细分析,并指出了存在的问题。呼吁LED灯具设计人员必须高度重视LED灯具的散热设计,科学合理地做好LED灯具的散热设计。     

基于GaN功率器件的热仿真技术研究

针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对仿真精度的影响,分析了理论建模因素对计算结果的影响的原因。同时采用红外热成像仪对不同功率下的GaN芯片结温进行测试验证,模拟计算的结果和测试值的偏差在10%之内,表明合理建模的热仿真技术可有效评估器件散热能力。