变容二极管r_s测试仪

<正>前言 变容二极管是一种端电容在反向偏置下按确定方式随偏压变化,并且专门利用这种电容——电压特性的半导体二极管。它在电调谐器、收录机、民用电台、军用电台等整机中作调谐或调频用。变容二极管与普通二极管相比有如下特点:1.尺寸小、重量轻。外形一般是DO—35。DO—34型微型玻璃壳封装,或SOD—23、A—67型微型塑料封装;2.电容配对出厂,一般四至五配对,电容误差小,△C/C≤2—3％;3.工作频率高,适用于VHF、UHF频段,4.Q值高,即串联电阻r_s小;5.反向漏电流I_R小,室温(25℃)下I_R<10nA,高温(75℃或125℃)下I_R<50nA;6.电容温度系数小,一般为     

使用玻璃封接He－Ne激光管的几个技术问题

本文叙述了玻璃密封Ｈｅ－Ｎｅ激光管的优越性，以及使用玻璃密封Ｈｅ－Ｎｅ激光管的有关技术问题，如匹配封接条件、反射镜片膜层的温度适应性、熔封加热方法和可用于熔封的几种易熔玻璃配方。     

使用玻璃封接He—Ne激光管的几个技术问题

本文叙述了玻璃密封Ｈｅ－Ｎｅ激光管的优越性，以及使用玻璃密封Ｈｅ－Ｎｅ激光管的有关技术问题，如匹配封接条件、反射镜片膜层的温度适应性、熔封加热方法和可用于熔封的几种易熔玻璃配方。     

黑瓷封装烧结工艺调节

文章介绍了低温玻璃熔封的基本原理,分析了黑瓷封装器件在封装过程中缺陷产生的原因。以日本801型链式烧结炉为例,通过烧结工艺及过程,论述了预烘、烧结气氛、封盖温度、保温时间、升降温速率以及其他因素对黑瓷封装熔封工艺的影响,根据这些影响黑瓷封装熔封工艺的因素进行细化工艺。最后,总结出器件缺陷产生的几种常见形式,并针对性地提出了具体调节黑瓷封装熔封工艺的一些技,亍和方法,以及这些技巧和方法的适用范围,以便掌握黑瓷封盖的基本规律,在以后生产中提高产品可靠性和合格率。     

非冷却PbS单晶光电二极管

化学淀积或喷涂PbS红外探测器已获得广泛应用,但对单晶光电二极管也值得引起注意。制造这种光电二极管用的是以布里奇曼-斯托巴盖尔法生长的n-型PbS单晶。为了获得理想载流子浓度P-型材料单晶片首先在样品控温条件下及硫蒸汽压下退火。将单晶试样置于真空封焊石英安瓿中,在500℃温度下加热3～5分钟以制得P-n结,如资料[1]作者所做的那样。P-区接点用的是金,而n-区用的是铟。这种光电二极管不需要装在真空容器中,因为在一般条件下存放,对其灵敏度没有显著的影响。图1示出室温典型PbS光电二极管灵     

超小型高速开关二极管

日本研制成功一种超小型高速开关二极管.这种二极管借助于插入机自动插入印刷电路板上只有5毫米长的空隙中.这种开关二极管是硅平面型外延二极管,有两种规格.一种是1SS126型超微型二极管,只有3毫米长,直径仅1.7毫米;另一种是1SS133型微型二极管,长3毫米,直径为2毫米.     

二极管激光器驱动器

美国弗罗里达州的Analog Modules公司生产的7701OEM型二极管激光器驱动器。这种驱动器用于高电流阵列二极管激光器。这种二极管激光器可用来泵浦固体激光器。驱动器输出300A—50A脉冲电流。采用高功率FET技术使二极管负载电压到250V。采用DB—25接口连接器,提供外部控制功能,以实现脉冲输入、电流控制、脉冲和     

长虹C-2151型彩电的过压保护

长虹C—2151/2151A型机是A3机芯普及型机.机内+130V供电电路没有过压、过流保护。一旦行输出变压器局部短路造成行过流,将使行输出管、开关管同时损坏.甚至在过压时伤及显像管。为了避免上述故障的发生,可在+130V端加入过压保护二极管或可控硅过压保护电路。由于本机电源脉宽控制环路增益较     

熔融拉锥过程中熔锥形状特性的研究

为了便于精确控制熔锥光纤的形状,基于理论与实验研究,首先建立了熔融拉锥过程中熔锥光纤的成形模型,分析了熔锥形成的基本原理,并分别对加热区域不变及线性变化两种情况下熔锥形状进行理论分析,确定了加热区域长度、拉锥距离与熔锥过渡区形状、锥腰长度及半径的关系,最后给出了一系列熔锥光纤的理论形状和实验得到的实际形状。实验结果表明,熔锥的实际测量值与理论值十分接近,相对误差<3.89%。     

国外DVD影碟机概览(上)

<正> 一、松下系列DVD影碟机 1.松下DVD—A100型、DVD—A3DO型影碟机 这两款影碟机均是松下公司的第一代DVD产品,其中A100型为普及机,A300为带卡拉OK中档机;两者的基本结构与信号处理电路相同,均采用MPEGⅡ视频数字压缩技术与杜比AC-3音频数字压缩技术,因而能获得较高的图像质量(图像水平解像度达480线以上)和音频质量;两种机型均采用650nm自激激光器作为读取信息的光源,且光头的结构采用双聚焦激光拾取头,使整机兼容播放DVD、VCD及CD碟片。     

变容二极管电容测试及分类仪

<正> 前言 我厂是生产变容二极管的专业厂。为了精确地测试变容二极管的电参数,六十年代中期我们从日本东京DENPA KDGYO公司引进TMD—122C型变容二极管测试仪,由电子管组成,表头显示,可测试反向电流I_R、电容C和电容电压变化指数n值。“六五”期间我们从美国HP公司引进4277A型变容二极管电容测试仪,由集成电路和分立器件组成,数字显示,可测试电容C。“七五”期间我们准备从日本国洋电子公司引进SM—1018C型或SM—1018E型变容二极管电容测试及分类仪(以下简称分类仪),或从日     

变容二极管的高速全自动分类仪

<正> 前 言 笔者在文献[1]中介绍了日本国洋电子公司的SM—1018E型变容二极管电容测试、分类仪。最近,该公司推出比SM—1018E型更先进的电容分类仪,其型号为SM—1048B型变容二极管自动分类仪。无锡元件四厂已引进这种分类仪。该分类仪适用于微型或片状化变容二极管的反向电流、反向电压、正向压降、电容、电容比、电容差的测试及电容分类。微型或片状化变容二极管主要为彩电和录像机用C型电调谐器配套。微型或片状化变容二极管包括LT32、LT32A、LT33、LT33A、LSV164、MA334、MA338。微型变容二极管外形为M-204型、为夏普C     

可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究

研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃,熔封时间为30 min。在此基础上,开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40 min,而后升温至980℃并保温30 min,最后缓慢降至室温。结果表明,当采用该工艺时,与传统工艺相比不仅能简化操作,而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。     

10号优质碳钢管壳结构改进和性能优化

通过对10号优质碳素结构钢、玻璃熔封件的热应力计算,阐明了10号优质碳素结构钢、玻璃熔封结构的可行性。通过采取控制玻璃用量、合理设计孔口、烧结模具、优化工艺过程等手段,解决了熔封件玻璃开裂、漏气和管壳的抗蚀性等问题。机械和温度应力试验表明,采用该材料的金属电子封装外壳漏气速率不超过1×10-3Pa.cm3/s,并能承受24h盐雾试验。     

基于PLC的污水处理厂自控系统设计及实现

主要介绍了污水处理厂控制系统的组成,并对由PLC和上位机组成的控制系统的主要功能进行了说明。根据对污水处理工艺运行的新要求,将氧化沟运行程序由以前单纯时间控制,设计为时间顺序控制和溶解氧(DO)控制相结合的新的控制模式,提升系统整体性能。     

改进表面钝化提高塑封整流二极管的可靠性

塑料封装整流二极管是电子仪器和设备的重要器件之一,主要用于彩色及黑白电视机、录放象机、收录机、组合音响、无线电通讯设备、雷达、自动控制等设备,国内每年需求量为14～16亿支。它具有工艺简单、成本低廉、外型一致性好、便于机械手装配等特点。 然而,塑封整流二极管与玻封整流二极管相比,却存在可靠性较差的弱点。为了提高彩色电视机及军用设备的可靠性,目前普遍采用价格比较昂贵的玻璃钝化塑封二极管。     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A1350v器件，再次扩充逆导（RC）软开关IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品组合。新的2tIARC—H5是对英飞凌性能领先的RC—H系列的扩展．重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求．     

MEMS热式风速风向传感器输出性能优化研究

环境测温二极管在工作时受传感器芯片热场影响,常引发MEMS热式风速风向传感器加热电压-风速曲线异常。将其更换为外置测温二极管,并调整其与传感器芯片距离,成功解决了输出曲线异常现象。并在此基础上,优化芯片及外置测温二极管的封装方案,消除了热场的相互干扰和不必要的热损耗,同时保证了外置测温二极管与空气的良好接触。风场测试结果表明,传感器的加热电压-风速曲线变得平滑,且重复性好,风速和风向的测量误差分别在±4%和±4°以内,系统的上电稳定时间大幅缩短至15 s左右。     

里德型大功率砷化镓崩越二极管

据日本电气公司(NEC)报导,用砷化镓肖特基势垒崩越二极管在9～10千兆赫频段内,获得了10瓦的微波振荡功率,其效率大于20％。这是现今已报导过的单个封装的半导体二极管中最高的连续功率。此二极管是M—n~ —n—n~ 里德型结构,用铂在具有高掺杂和低掺杂两层结构的砷化镓外延片上形成肖特基势垒。采用精确控制的Ga/AsCl_3/H_2气体的输运过程来制备     

低熔玻璃及其在彩色管制造工艺中的应用

本文重点介绍了结晶型低熔焊料玻璃的特性及其在彩管屏锥封接中的应用。最后叙述了低熔焊料玻璃的制造工艺及其质量控制和测试方法与屏锥低熔玻璃的封接工艺。