含过渡层的氧化铝膜的制备

用ＣＶＤ法在铝表面同时沉积氧化铝和铜，在热扩散的作用下铜形成合金，使氧化铝和铝之间存在连续过渡层，这种氧化铝膜在厚度达１００μｍ时仍和铝材有良好的结合强度。     

含过渡层氧化铝膜的制备

用ＣＶＤ法在铝表面同时沉积氧化铝和铜，在热扩散的作用下铜铝形成合金，使氧化铝和铝之间存在连续过渡层。这种氧化铝膜在厚度１００μｍ时仍和铝材有良好的结合强度。     

铁电多层膜的制备和特性

本文首次对铁电多层膜的制备和其特性进行研究。实验结果表明，铁电多层膜中各子层厚度和制膜时工艺条件的改变对其相结构和铁电特性有明显的影响。铁电多层膜由钙钛矿相和焦绿石相所组成。当多层膜中第一、第三层的厚度为０．１５μｍ时，改变第二层的厚度，当其为０．１５μｍ时，多层膜的铁电特性为最好并且膜中钙钛矿相的含量增大。当第一、二、三层的厚度相同时，改变其厚度到０．１μｍ时，此时多层膜的铁电特性为最好并且钙钛矿相的含量增大。沉积第二层Ｐｂ（Ｚｒ０．４８Ｔｉ０．５２）Ｏ３膜时衬底温度较低时有利于其铁电特性提高，但气体压强对其影响不大。     

激光发声及其发声的机理

宽带调制的相关光声检测技术是兼有单频和脉冲光声检测特点的一种新的光声检测技术。在时域,它可以获得不同深度的信息,在频域,它可以得到很宽频率范围内的响应。 目前宽带调制技术主要有伪随机编码调制和线性调频两种。我们在实现了Lagrange序列伪随机编码调制的光声检测后,又进行线性调频技术的研究。理论和实验上均已证明线性调频信号的自相关函数比伪随机编码调制信号的自相关函数更逼近δ函数。本文将简要地介绍线性调频技术的原理及在薄膜热扩散率测定中的一些实验结果。线性调频技术在光声检测薄膜热扩散率中的应用@钱梦騄$同济大学…     

交流量热法测量SiO2薄膜的热扩散率

介绍了交流量热法测量薄膜热扩散率的原理和系统组建，用脉宽为纳秒级的超短激光脉冲作为热源，测量了Si衬底上厚度为100nm和500nm的SiO2薄膜水平方向上的热扩散率，实验结果表明该结构的热扩散率比SiO2体材料的要小，并且随着SiO2层厚度的减小，热扩散率也减少。     

定点激光反射热循环测量铜膜应力及屈服强度

采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的新方法，测定了硅片（１００）上四种厚度（０．２４μｍ，０．５３μｍ，１．２８μｍ，３．４２μｍ）磁控溅射纯铜膜应力随温度（２０～３００℃的变化，发现屈服强度与膜厚倒数成线性关系。     

Cr-CrN-Cr-CrAlN多层膜厚度对结构和性能的影响

采用电弧离子镀技术在TC4钛合金表面制备不同厚度的Cr-CrN-Cr-CrAlN多层膜，研究了多层膜厚度对其结构及性能的影响。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微硬度计、划痕仪、应力测试仪、砂粒冲蚀试验仪和拉伸试验机检测分析了多层膜的表面及截面形貌、微观结构、硬度、结合力、残余应力、抗砂粒冲蚀性能和拉伸性能等。结果表明：随着多层膜厚度的增加，膜层表面颗粒增多，表面质量略有下降，择优取向由（200）晶面逐渐向（111）晶面转变；随着厚度的增加，残余应力逐渐增加，膜层硬度、膜基结合力、裂纹扩展抗力先上升后下降，在厚度为10.58μm时达到最佳，其硬度为3404Hv、结合力为58.6N、裂纹扩展抗力为758.49，抗砂粒冲蚀性能提高3倍以上；TC4钛合金表面镀多层膜后，屈服强度和抗拉强度均略有提升，但断后伸长率降低，当膜层厚度为14.50μm时，断后伸长率较基材降低30%，断裂机制由韧性断裂转变为脆性断裂。在一定范围内增加膜层厚度有利于提升性能，但需合理控制其厚度以减小对钛合金基材的负面影响。     

高分子膜的浸润性能及溶胀

选择磷酸三丁酯、正丁醇和２０％７３０１（煤油）３种溶剂，分别研究了不同材料的致密膜，１３０μｍ的微孔聚砚膜及８０μｍ和１００μｍ的ＰＴＦＥ微孔膜的浸润性能和溶胀率。实验结果表明，由接触角θ值的不同可以看出３种溶剂以膜的浸润性能有明显的差异。所选择的膜有机溶剂的作用下都会有溶胀发生，经过溶胀后膜的物理结构将发生变化，在选择的有机溶剂中，膜在ＴＢＰ溶剂中的溶胀率最大，对于致密膜，溶胀膜的孔隙率变大。对     

纯沸石膜制备及表征

在多孔陶瓷载体上制备过渡层，再以水热法合成出ＺＳＭ－５型沸石膜，经扫描电镜测定，膜厚１２μｍ，过渡层厚１３．８μｍ。将ＺＳＭ－５沸石膜用于乙醇水渗透蒸发分离，分离因数为１５，这时其渗透通量为０．４６ｋｇ／ｍ＾２．ｈ．。     

镁合金微等离子体氧化膜的特性

采用ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）等方法初步研究了镁合金微等离子体氧化膜的相组成及形貌特征。结果表明，该技术能在镁合金表面生长一层厚度大于１００μｍ并与基体结合良好的氧化膜，提高了合金的耐蚀性。在ＮａＡｌＯ２溶液中对ＭＢ１５镁合金微等离子体氧化时，氧化膜由ＭｇＯ和ＭｇＡｌ２Ｏ４相组成。铝元素已扩散到膜内层，但膜表层存在铝元素富集区。     

互不固溶系统的固态反应非晶化

利用选区电子衍射和Ｘ射线衍射研究了互不固溶系统Ｃｕ－Ｔａ和Ｃｕ－Ｎｂ纳米多层膜的固态反应非晶化的可能性，结果表明：当单层厚度减小到一定程度，成分为２５～３０％Ｃｕ的多层膜可以通过退火实现固态反应非晶化，从而获得具有正混合热系统的非晶薄膜，在Ｃｕ－Ｔａ系统中还获得了厚０．８μｍ的非晶态薄膜，互不固溶系统多层膜固态反应非晶化的热力学驱动力主要源于多层膜界面自由能。     

AZ51镁合金交流微弧氧化膜层厚度的研究

在氢氧化钾和氟化钾组成的电解液中,采用交流微弧氧化处理技术对AZ51镁合金进行表面处理.研究了处理参数对陶瓷氧化膜层厚度的影响,确定了膜层的组织构成.结果表明:KOH浓度在300~400 g/L时,膜层厚度几乎随着KOH浓度的增加呈线性增长;KF浓度在400~1 000 g/L,膜层厚度增加最快;电压处于50~80 V时,能够促进膜层的快速生长;当电解液温度在20~70℃,随着电解液温度的升高,膜层厚度逐渐增加;膜层厚度随处理时间延长快速增长,超过100 s后趋于平缓.膜层主要由氟化镁和氧化镁组成,致密膜层的最大平均厚度约为30μm,膜层厚度超过30μm后,膜层将出现"沙化层".     

一种硅基静电微马达

本文介绍我们最近研制的一种硅基集成微马达。其制作工艺非常简单，仅包括四次光刻，两次多晶硅薄膜淀积和两次ＳｉＯ２牺牲层淀积。实现了快速、方便及批量地制作测量分析用的微马达样品。该微马达转子和定子由厚度为２．５μｍ左右的ＬＰＣＶＤ多晶硅膜一次形成，因而转子与定子的间距可减小到１．０￣１．５μｍ。     

新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

采用新型ｓｏｌ－ｇｅｌ技术在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳiO2/Si基片上制备出了厚度为 ２～６０μｍ的ＰＺＴ铁 电厚膜材料;研究了ＰＺＴ厚膜的结构及其介电、铁电性能．ＸＲＤ谱分析显示,ＰＺＴ厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在．ＳＥＭ电镜照片显示,ＰＺＴ膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密．厚度为５０μｍ的ＰＺＴ厚膜的介电常数为８６０,介电损耗为０.０３,剩余极化强度 是２５μＣ／ｃｍ^２．矫顽场是４０ｋＶ／ｃｍ.     

着色处理对铝合金阳极氧化膜光学性能影响的研究

研究了LY12铝合金阳极氧化膜采用酸性黑ATT进行一次着色处理、浸酸处理、二次着色处理对膜层紫外可见光吸收性能的影响.研究了铝合金阳极氧化处理工艺;采用扫描电镜(SEM)观察了阳极氧化膜层表面和断面形貌;XRD分析了阳极氧化膜层表面组织结构;采用紫外可见分光光度计研究了膜层吸光性能.结果表明:LY12铝合金在恒压20V进行硫酸阳极氧化获得最佳膜层厚度所需要的时间为120min,其厚度为42μm;浸酸处理不会改变膜层组织结构;经过浸酸处理后的二次着色处理与一次着色处理相比提高了膜层对紫外可见光的吸收度,这是由于经过浸酸处理后二次着色膜层具有更佳的粗糙度所引起的.     

稀土金属抛光金刚石膜技术

研究开发了一种有效地抛光化学气相沉积金刚石厚膜的技术。该技术利用化学活性很强的稀土金属镧的金刚石的化学反应，在一定的工艺条件下可对金刚石膜进行有效的抛光。抛光绵高低与抛光温度有关，在温度大于９００℃时抛光效率较高，可达３４μ／ｈ，表面度可从原来的Ｒａ １２μｍ降至Ｒａ１．６μｍ，如用于后续的精抛光，可大大光的时间和提高抛光效率，使表面十分粗糙的金刚石厚膜的精抛光能得以经济地进行。     

普适性气体分离阻力复合膜模型

在前人研究的基础上建立了普适性气体分离阻力复合膜模型，讨论了两个主要参数嵌入率ｆ和横向流动阻力Ｒｘ对复合膜性能的影响，并在此基础上全面研究了底膜孔隙率、孔径、致密层厚度、支撑层厚度和涂层厚度和对膜性能的影响，通过讨论形成了制备复合膜的新思路，可以用于指导制膜实践。     

渗锌碳钢在天然海水中的腐蚀行为

碳钢渗锌后耐蚀性提高.采用固体粉末包埋对20碳钢进行热扩散粉末渗锌,测试了渗锌层的硬度、形貌、成分及其在20,40,60℃天然海水中的电化学腐蚀行为.结果表明:碳钢渗锌层的硬度在313.7～347.5 HV,厚度在77.1～81.2μm,属于第4等级;渗锌层与碳钢基体结合紧密;随渗锌层厚度增加,Fe含量逐渐降低,Zn含...     

Na2SiO3-Na2WO4-丙三醇电解液中Na2SiO3对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响

电解液组成对微弧氧化陶瓷膜的形成具有重要作用。在Na2SiO3-Na2WO4-丙三醇复合电解液体系下，对ZAlSi12Cu2Mg1合金微弧氧化陶瓷膜的形成进行研究，通过改变Na2SiO3的含量，研究了其对微弧氧化的临界起弧电压、稳定氧化时间、陶瓷膜层厚度、膜层生长速率和陶瓷膜层相组成的影响。结果表明：Na2SiO3含量从6g／L到12g／L变化时，膜层厚度从154μm逐渐增加到174μm；稳定氧化时间由27min缩短为18min；膜层生长速率约从5．70μm／min提高到9．67μm／min；但Na2SiO3含量超过12g／L时，膜层厚度却不再增加了；当Na2SiO3含量为14g／L时，膜层厚度为166μm；当Na2SiO3含量为8g／L时，临界起弧正向电压达385V，负向电压达最低值为27V。XRD分析表明：陶瓷膜层中含有莫来石、SiO2、α-Al2O3和γ-Al2O3相，陶瓷膜层的莫来石、Si02、α-Al2O3和γ—Al2O3相含量随电解液Na2SiO3含量变化而变化。     

KOH／K2ZrF6对TC4钛合金微弧氧化膜层形貌和结合强度的影响

研究电解液中添加KOH及K₂ZrF₆对TC4钛合金微弧氧化膜层形貌及结合强度的影响。选用硅酸盐-磷酸盐复合盐为主盐,添加甘油作为辅助试剂,分别配制两种均不添加、只添加KOH、只添加K₂ZrF₆和两种物质均添加的4种电解液对TC4钛合金进行微弧氧化处理。通过膜层厚度、膜层表面粗糙度、膜层硬度、膜层与基体的结合强度等检测,对比分析不同膜层的综合性能,并通过扫描电子显微镜、能谱仪及X射线衍射仪等对膜层物相进行对比分析。结果表明:在硅酸盐-磷酸盐复合盐为主盐的电解液中,氧化30 min后,添加KOH试剂使微弧氧化反应起弧电压从350 V降低至300 V,膜层表面粗糙度Ra为1.66μm,结合强度为29 MPa,膜层硬度866HV,厚度19μm。添加K₂ZrF₆试剂使微弧氧化的起弧电压提高至380 V,膜层表面粗糙度Ra为2.47μm,结合强度为18 MPa,膜层硬度992HV,厚度为26μm,同时,氧化反应生成ZrO₂,可大幅提高膜层硬度。添加KOH和K₂ZrF₆试剂可以影响微弧氧化反应起弧电压及工作电压,进而影响膜层的组织形貌,从而改善膜层的表面粗糙度和厚度以及结合强度,硬度等性能。