图K(p,p)+S的色性

设G是简单图,G表示图G的补图,用P(G,λ)表示图G的色多项式。若P(G,λ)=P(H,λ),则称图G与H是色等价的,简单的表示H～G。记[G]={H|H～G}。若[G]={G},称G是色唯一的。设K(p,p)是一个二部图且S是完全图Kp的s条边组成的子集,K s(p,p)表示在K(p,p)的一个具有p个点的独立集中增加S中的所有边得到的图。本文中证明了当p≥s 2且S的边导出了子图是二部图时,[K s(p,p)]={Np V G|G∈[Kp-s]},其中Np V G表示Np和G的联图,Np=Kp,并给出了一个K s(p,p)色唯一的一个充要条件;进而部分的回答了Teo和Koh在Graph J Theory(1990)中提出的一个问题。     

基于p2p技术的RFID网络数据清理模型

提出基于P2P技术RFID网络数据清理模型能够通过在相邻节点间互换信息来判别和清除错误的RFID信息,在保证了较高的信息准确性的同时,降低对单个节点信息读取正确性的要求,减少整个网络的开销。     

p型ZnO薄膜研究进展

ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧V_o和间隙锌Zn_i),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.     

p型氮化镓不同掺杂方法研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.     

p型掺杂ZnO薄膜的研究进展

近年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电领域应用的开发研究,制备可靠稳定的低阻p型ZnO薄膜成为研究热点之一。本文论述了p型ZnO薄膜制备的难点及其解决方法,综述了其最新研究进展,并对p型ZnO的研究进行了展望。     

ZnO薄膜的p型掺杂研究进展

ZnO作为重要的第三代半导体材料在光电领域具有广泛的应用前景因而引起越来越多的关注,ZnO薄膜的p型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键,也是ZnO材料的主要研究课题.本文论述了ZnO薄膜P型转变的难点及其解决方法,概述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,提出了有待进一步研究的问题.     

p型ZnO薄膜的研究进展

ZnO材料以其优良的光电特性和相对低廉的成本而倍受人们的青睐,但是要获得高质量的p型ZnO薄膜难度极大,这已成为阻碍ZnO基光电器件走向实用化的主要障碍。综述了p型ZnO薄膜掺杂面临的困难、p型ZnO掺杂理论进展及实现p型ZnO薄膜的各种掺杂方法,并对p型ZnO薄膜的各种制备工艺方法进行了概括和比较,最后指出了提高p型ZnO薄膜质量的努力方向。     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注.然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键.概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法.简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望.     

ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展

随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一.主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向.     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

<正>作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌(Zn O),具有3.37e V的禁带宽度和较小的波尔半径(1.8nm)以及高达60me V的激子束缚能,可以使Zn O在室温下实现有效的激子发射,在制备蓝光或紫外光等光电器件上比氮化镓(Ga N)更有优势,展现出更广阔的应用前景[1]。Zn O具有极高的c轴择优取向,本征Zn O具有极的高电阻,使它具有良好的压电常数与机电耦合系数,     

p型铜铁矿结构氧化物材料研究进展

介绍了p型铜铁矿结构氧化物ABO2的晶体结构、电子结构和光、电学特性,讨论了A位原子、B位原子和氧原子对材料光、电学性能的影响,综述了p型铜铁矿结构透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)薄膜的制备方法与研究现状.     

双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRT...     

p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展.     

MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展

p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.     

离子注入法制备N掺杂p型ZnO薄膜

采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E 16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.     

p型GaN上透明电极的研究现状

GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.     

N掺p型氧化锌理论的研究进展

N元素由于其核外电子结构和原子半径与O十分相近,被认为是最适合用来制备p型ZnO(p-ZnO)半导体材料的掺杂元素。有关N掺p-ZnO的研究已经进行了很长时间,并且获得了许多重要成果。然而,目前对N掺杂ZnO的p型导电性的由来仍然存在极大的争议,研究者提出了多种N掺杂ZnO中可能存在的浅受主形式,包括N_o,N_o-V_(Zn),V_(Zn)-N_o-H~+等形式。在此,本文通过对不同的受主形式进行介绍与归纳,指出可能的N掺杂机理,希望能够有助于对后期实验工作的指导。     

p型含铜透明导电材料的新进展

基于p型透明导体在平面显示、透明二极管和太阳能发电等领域的广泛应用前景, 一些含铜的透明导体材料因具有优异的性能而备受人们关注. 本文综述了p型含铜透明导体的研究现状. 重点介绍含铜的氧化物和氧硫化合物的本征及其掺杂研究进展, 从结构化学的角度论述了此类化合物p型导电的机理及共性. 研究结果表明, 含[Cu₂S₂]导电层的层状氧硫化合物是颇具潜力的p型透明导体候选材料.     

碳原子3s-3p跃迁速率的测量

文章运用直流壁稳弧等离子体辐射 ,运用最小二乘拟合技术将重叠谱线进行了分离 ,测量了碳原子 3s- 3p多重跃迁 14条谱线的原子跃迁速率 ,大多数结果与最新的理论计算值较吻合 .所有的相对跃迁速率都用一已知的因子计算出了谱线的绝对跃迁速率