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Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带磁电感效应的影响因素 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了交流电频率、磁场强度以及薄带长度等因素对因素Fe73.5 Cu1 Nb3Si13.5 B9非晶薄带的磁电感效应及磁电感效应变化幅度的影响.结果表明:非晶薄带的磁电感效应随着频率的升高和薄带的加长而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁电感效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大;当频率低于30 kHz时,磁电感效应变化幅度随着频率的升高及薄带的加长而增大;当频率高于30 kHz时,磁电感效应变化幅度随着频率的升高而减小,随着薄带的加长先增大后减小. 相似文献
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采用4284A型阻抗分析仪研究了退火处理、非晶薄带长度、交流电频率和磁场强度等对Fe<,78>Si<,9>B<,13>非晶薄带巨磁阻抗效应的影响.结果表明:退火可以提高非晶薄带的阻抗变化幅度;其阻抗随着薄带长度的增加和交流电频率的升高而增大,随着磁场强度的增大而减小;其阻抗变化幅度随着薄带长度的增加和交流电频率的升高和... 相似文献
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制备了稀土镧元素改性的Fe78Si9B13非晶薄带,研究了镧含量和退火温度对薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响。结果表明:当磁场强度小于1 356A·m-1时,薄带的磁感应效应随着稀土元素含量的增加呈先增大后减小的趋势,当磁场强度大于1 356A·m-1时,稀土元素含量对磁感应效应的影响不大;磁感应效应变化幅度随着稀土元素含量的增加呈现出先增大后减小的趋势,当稀土镧质量分数为0.6%时最大;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着退火温度的升高呈现出先增大后减小的趋势,当退火温度为300℃时最大。 相似文献
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采用单辊法制备了宽3.2 mm、厚25 μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5 B9非晶薄带,利用4294A型阻抗分析仪测试了非晶薄带的压磁效应.结果表明:当测试频率较低时,非晶薄带的压磁效应较弱,随着测试频率的升高,非晶薄带的压磁效应出现了明显的增强;与淬火态非晶薄带相比,退火可以改变非晶薄带的压磁效应,且经300℃×2 h退火后,非晶薄带的压磁效应最强,当测试压应力为1.05 Mpa,测试频率为50 MHz时,淬火态非晶薄带的压磁效应为0.75%,而退火后非晶薄带的压磁效应可达0.97%. 相似文献
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Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状磁电复合传感器研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用树脂黏结法制备了Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状磁电复合传感器,测量了传感器中Terfenol-D层的静态磁致伸缩性能和传感器的磁电电压性能,研究了直流偏置电流和交流驱动电流对复合传感器磁电性能的影响.结果表明:直流偏置电流对磁电复合传感器磁电电压峰-峰值V(p-p)的影响较大,磁电电压峰-峰值V(p-p)随直流偏置电流的变化规律与Terfenol-D层的磁致伸缩λ对偏置电流的变化率随偏置电流的变化规律相似;交流驱动电流对磁电复合传感器磁电电压峰-峰值V(p-p)的影响也较为明显. 相似文献
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介绍了非晶丝低频磁阻抗效应的理论,并制作了实验装置.利用晶体振荡电路以及低通滤波器获得的正弦信号激励外加扭转应变的钴基非晶丝,对非晶丝两端的输出电压信号提取二次谐波分量,通过改变施加给非晶丝的扭转应变以及激励信号有效值的大小,测出了二次谐波电压随被测磁场之间的变化关系,确定了最佳扭转应变和最佳激励电流有效值,最后设计出了一种无圈磁通门传感器,该传感器在弱磁检测领域具有很好的应用前景. 相似文献
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磁芯气隙中串联层叠非晶带GMI效应电流传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用由CMOS多谐振荡桥及低通滤波器产生的正弦信号激励的钴基非晶带巨磁阻抗(GMI)效应设计出一种非接触型电流传感器.该非晶带经频率为2 Hz,密度为35 A/mm2,持续时间40 s的脉冲电流退火.非晶带采用串联层叠方式嵌于带气隙的环形磁芯中,推出了气隙中的层叠非晶带受到的导线电流所产生的磁场公式.给出了传感器信号处理电路框图.当磁芯中引入强负反馈磁场时,实验结果表明,新型电流传感器的非线性误差小于0.5%FS,线性量程±7 A. 相似文献
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介绍磁电系电压表测量交流电压和整流系电压表测量直流电压的理论分析及实际测量结果,得到磁电系电压表不能测量交流电压,整流系电压表不能测量直流电压的结论。 相似文献
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研究了具有不同离散化台阶的正弦电压对压电陶瓷驱动器蠕变大小以及蠕变起始时间的影响,采用新的数学模型分析了低频下压电陶瓷驱动器的蠕变特性。首先,对0.025 Hz/0V~60 V正弦电压输入信号进行了5种倍数关系的离散化,分析了蠕变与输入电压的关系以及蠕变与输入台阶电压压差的关系。然后,按照提出的数学模型,在符合文中所述两种准则前提下,对蠕变起始时间进行了预测。实验结果表明,上升段蠕变变化范围最大出现在台阶电压等于47.7 V时,而下降段蠕变变化范围最大出现在台阶电压等于12.3 V;相比于20个台阶,320个台阶对应的上升段最大蠕变增长量下降了899.5%,而在下降段最大蠕变的这一比值增大到了936.9%。使用所提公式对蠕变起始时间进行预测,得到当台阶电压为12.3 V时,20、40、80、160、320个台阶的蠕变起始时间分别在0.959、0.911、0.813、0.664和0.016 ms以后。蠕变与输入电压以及蠕变与输入台阶电压差值都是迟滞关系,并且台阶蠕变随着台阶数量的增加而减小。不同离散化的电压信号改变了蠕变的起始时间,台阶电压数量越多,蠕变起始时间越早。 相似文献
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《机械工程学报》2017,(18)
采用单辊快速凝固技术研究Co-Cu-Pb三元难混溶合金薄带的快速凝固组织特征及电学性能,并通过将金属熔体热传导方程与Navier-Stokes方程相耦合,理论计算合金薄带的冷却速率。结果表明:在急冷快速凝固条件下,Co-Cu-Pb三元难混溶合金薄带的凝固组织由优先生长的Co(Cu)相枝晶骨架和枝晶间的富Pb相组成。随着冷却速率的增大,Co(Cu)相枝晶尺寸明显减小,凝固组织均匀性得到改善;而随着Pb含量的增大,少量的Pb相析出存在于Co(Cu)相枝晶干上。冷却速率的增大,合金薄带组织均匀性引起电子散射源减少,导致自由电子的散射作用减弱,使得合金薄带的电阻率减少。而合金中Pb含量的增大,减少了导电的有效电荷数,使得合金薄带的电阻率增大。快速凝固技术有效地改善了Co-Cu-Pb难混溶合金薄带的凝固组织均匀性和电学性能。 相似文献
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基于磁场传感器的层状磁电复合材料动态特性的有限元模型研究 总被引:1,自引:1,他引:0
依据Hamilton变分原理,运用有限元方法建立了用于磁场传感器的核心元件—磁电复合材料动态特性的有限元模型。应用所建立的模型求解了LT型Terfenol-D/PZT/Terfenol-D三层磁电复合材料的输出特性,并与实验结果进行对比分析。结果发现当静态偏置磁场为22.1 kA/m,正弦交流驱动磁场为7.4 kA/m、频率100 Hz时,计算结果和实验结果误差为0.9%。表明该模型适用于磁电复合材料输出特性为线性变化的区域。 相似文献