纤锌矿CdSe量子椭球的电子结构和光学性质

在有效质量包络函数理论的框架下,经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算.给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释.对量子椭球发光的偏振性给出了解释.分别讨论了晶格分裂场,温度和短轴半径对偏振度的影响.最后计算了长短轴对能带的影响.     

纤锌矿CdSe量子椭球的电子结构和光学性质

在有效质量包络函数理论的框架下，经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算，给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释，对量子椭球发光的偏振性给出了解释，分别讨论了晶格分裂场，温度和短轴半径对偏振度的影响，最后计算了长短轴对能带的影响。     

Y型量子线中电子弹道输运性质

对有限长 Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算 .该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连 ,当施加一偏压时 ,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极 .采用了转移矩阵方法和截断近似技术 .计算结果表明 ,当结构对于 x轴对称时 ,在入射电子的能量小于量子结构的第一个横向本征模时 ,电导存在着两个峰 ;当结构对于 x轴不对称时 ,电导则存在着三个峰 .进一步分析表明 ,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态 .该结构对于经典粒子来说是非束缚体系 .当结构对于 x轴对称时 ,较高能级是双重简并的 ,而当结构对于 x轴不对称     

有限元法分析透镜形自组织生长量子点的弹性应变场分布

利用有限元法对应变自组织生长量子点的应力应变分布进行了系统分析.给出了抽象的孤立量子点系统模型,采用有限元分析方法,利用二维和三维模型对透镜形的量子点内部及周围材料的应力应变进行了计算,计算结果可以直接应用于量子点应变场对导带和价带限制势以及载流子有效质量的影响,从而用于精确计算量子点的电子结构.     

量子棒中强耦合磁极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合磁极化子的性质。导出了量子棒中强耦合磁极化子的振动频率和声子平均数随磁场的回旋频率、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明：振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和磁场的回旋频率的增加而增加,随横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大。当 时,振动频率和声子平均数随椭球的纵横比的增加而增加。 时,随着椭球的纵横比的减少,振动频率和声子平均数都增大。当 时,振动频率和声子平均数取极小值。     

Y型量子线中电子弹道输运性质

对有限长Y型量子线中的电子弹道输运性质进行了量子力学计算．该有限长的量子结构分与两半无限长的量子通道相连,当施加一偏压时,量子通道分别可作为电子的发射极和收集极．采用了转移矩阵方法和截断近似技术．计算结果表明,当结构对于x轴对称时,在入射电子的能量小于量子结构的第一个横向本征模时,电导存在着两个峰;当结构对于x轴不对称时,电导则存在着三个峰．进一步分析表明,这些峰来自于电子共振隧穿量子结构中的量子束缚态．该结构对于经典粒子来说是非束缚体系．当结构对于x轴对称时,较高能级是双重简并的,而当结构对于x轴不对称时,该能级的简并度消除．     

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.     

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.     

InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构. 观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动. 解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.     

GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应

从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响.