(Ni0.81Fe0.19)66Cr34缓冲层对Ni74Co26薄膜各向异性磁电阻的影响

用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34为缓冲层的Ni74Co26薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明用厚度为4.5nm的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34做缓冲层的Ni74Co26薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的Ni74Co26薄膜的AMR有较大的提高.比如,当Ni74Co26薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43%.X射线衍射(XRD)研究表明缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34与磁性层Ni74Co26有非常接近的晶格常数,因此产生了较大的AMR值.     

(Ni0.81Fe0.19)0.66Cr0.34/Ni0.81Fe0.19薄膜的各向异性磁电阻效应及尺寸效应

研究了以非磁性（Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９）_０．６６ＣＲ_０．３４薄膜作为过诞层的坡莫合金Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９薄膜的磁电阻效应和饱和磁场,分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应,并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理,计算结果符合实验．     

超薄Ni81Fe19薄膜的各向异性磁电阻及磁性能

利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大。随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。     

镍源对自蔓延高温合成Ni0.35Zn0.65Fe2O4的影响

在空气中（无磁场）和1.3T外磁场下, 采用Fe、Fe₂O₃、ZnO、NaClO₄分别与Ni粉、NiO和NiCO₃进行了自蔓延高温合成Ni_0.35Zn_0.65Fe₂O₄的实验研究, 用红外测温仪测试坯料的燃烧温度, 应用XRD、SEM和VSM分别观察镍源变化对燃烧产物和烧结后样品性能的影响. 结果表明：采用氧化亚镍和镍粉得到的镍锌铁氧体样品无杂相存在, 磁性能较好, 有较低的矫顽力和较大的比饱和磁化强度; 采用碳酸镍自蔓延高温合成的镍锌铁氧体含有杂相, 磁性能也相应较差. 在外磁场下自蔓延高温合成镍锌铁氧体的比饱和磁化强度得到了一定的提高. 镍粉可以取代氧化亚镍作为自蔓延高温合成镍锌铁氧体的镍源.     

Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜外场诱导自旋输运特性

采用脉冲激光沉积法制备了稀土掺杂钙钛矿锰氧化物Pr2/3Sr1/3MnO3(PSMO)外延薄膜,研究了薄膜在磁场、激光和电流作用下的自旋输运特性.在低温铁磁金属相,激光作用使薄膜的电阻增大,而磁场和电流则诱导电阻减小;在高温顺磁绝缘态,外场诱导均使电阻减小.在铁磁金属相,外场诱导输运特性的变化可归结于外场对体系电子自旋系统的影响:磁场和电流加强材料中eg电子和t2g局域电子间的自旋平行,增强了双交换作用;激光作用可产生光致退磁效应,减弱双交换作用.在顺磁绝缘态,场致电阻降低源于外场致使小极化子的退局域化效应.     

纳米晶 Ni1-x ZnxFe2O4铁氧体粉料的制备及其磁性能研究

采用喷射-共沉淀法制备了纳米晶Ni1-xZnxFe2O4（0≤x≤1.0）铁氧体粉料.通过TG-DSC、XRD、SEM、TEM、BET等测试手段分析了其微观结构和形貌,用振动样品磁强计测量其室温下磁性能.结果表明：喷射-共沉淀法制备的粉料颗粒细小均匀、形状完整.600℃下煅烧1.5h,样品晶粒尺寸为30nm左右,平均颗粒尺寸＜100nm.室温下,样品比饱和磁化强度随Zn^2＋含量增加而变化,当x=0.5时,最大比饱和磁化强度σs为66.8A·m^2/kg.当晶粒大小为41nm时,纳米晶Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体矫顽力达到最大值5.06kA/m,随后又随晶粒尺寸增大而减小.这归因于纳米晶软磁材料中强烈的无序磁晶各向异性模式的影响.     

电火花放电法合成Cu0.81Ni0.19合金的性能研究

微米Cu-Ni合金粉体因具有优异的导电性、耐腐蚀性和磁学性能而被广泛应用于微电子元器件、航空航天以及粉末冶金等领域。本研究基于电火花放电腐蚀法，通过调控电流参数成功制备出以Cu0.81Ni0.19为主要晶相的铜镍合金。采用XRD、SEM、EDS等技术对合金粉体进行了相关性能表征分析，结果表明：在原子结晶过程中，Ni作为溶质原子占据Cu原子部分结点位置后发生固溶反应，生成了Cu0.81Ni0.19合金相，该合金为面心立方(FCC)晶体结构，表面光滑，分散均匀，大部分颗粒呈现出球形或类球形，电流增大时，Cu含量增加，Ni含量减小。粒度分析数据表明，合金粉体的粒度分布区间为0.12～92.57μm,且随着电流强度的增大，平均粒径增大，说明在微米尺度范围内电流的增大有助于产生粒度较大的合金颗粒，当电流为36 A时，合金粉体的平均粒径(D50)为13.94μm,此时，合金粉体的饱和磁化强度和矫顽力分别为26.21 emu/g、52.97 Oe,材料表现出优异的软磁性能，且电流越大，合金粉体的磁学性能越优异。     

xFe-Al2O3颗粒薄膜的XRD分析和GMR效应

对rf溅射法制备的xFe-Al2O3颗粒薄膜,应用X射线衍射仪(XRD)进行了测试和分析,推算了不同样品中Fe粒子的大小和元素面积比.并使用4探针外加磁场法对薄膜的巨磁阻效应进行了分析和讨论.当Fe面积比约为25%时,样品的磁电阻率在1.5T磁场下可达-2.3%.     

Sr2Fe1-xAlxMoO6(x=0,0.3)陶瓷的低场磁电阻效应研究

用传统的固相反应法合成了Fe位Al掺杂的双钙钛矿型氧化物Sr2Fe1-xAlxMoO6(x=0,0.3),并研究了它们的低场磁电阻效应.无磁性Al3+离子的Fe位掺杂打破了晶粒内部Fe离子和Mo离子的交替有序排列,将晶粒内部的亚磁性区域分割成很多尺寸更小的区域,提高了磁场灵敏度,从而使得Al掺杂样品在低温时的磁电阻比未掺杂时的Sr2FeMoO6提高一倍以上;但是Al掺杂后样品的磁电阻随着温度的升高而迅速下降,表现出更强烈的温度依赖性.     

(La2/3Ca1/3)(Mn(3-x)/3)Fex/3)O3体系磁电阻行为的研究

通过系统地测量（La2/3Ca1/3）（Mn（3-x）／3Fex／3）O3（x＝0、0.1、0．2、0．3的体系样品的电阻率-温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随x的变化其磁电阻率峰和电阻率峰均发生位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应．作者认为由于Fe的替代,引起体系中Mn3 ／Mn4 比率及磁矩的变化,加之外场对磁有序结构的调制作用,从而影响了Mn3 －O－Mn4 的双交换作用,最终导致磁电阻行为发生变化．     

Influence of substrate temperature on structural,optical, and electrical properties of flash evaporated CuIn0.81Al0.19Se2 thin films

Chalcopyrite copper indium aluminum diselenide (CuIn_0.81Al_0.19Se₂) compound is prepared by direct reaction of high purity elemental copper, indium, aluminum and selenium in their stoichiometric proportion. Structural and compositional characterizations of pulverized material confirm the formation of a single phase, polycrystalline nature. CuInAlSe₂ (CIAS) thin films are deposited on organically cleaned soda lime glass substrates using flash evaporation technique by varying the substrate temperatures in the range from 423 K to 573 K. Influence of substrate temperature observed by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), optical and electrical measurement. CIAS Films grown at different substrate temperatures are polycrystalline in nature, exhibiting a chalcopyrite structure with lattice parameters a = ∼0.576 nm and c = ∼1.151 nm. The crystallinity in the films increases with increasing substrate temperature up to 473 K, and tend to degrade at higher substrate temperatures. Optical band gap is in the range of 1.20 eV–1.38 eV and the absorption coefficient is close to 10⁵ cm⁻¹. Electrical characterization reveals p-type conductivity and the structural, morphological and optical properties indicate potential use of CIAS thin films as an absorber layer for thin film solar cell applications.     

Magneto-optical properties of Tb0.81Ca0.19F2.81 and Tb0.76Sr0.24F2.76 single crystals

High optical quality terbium calcium fluoride (Tb_0.81Ca_0.19F_2.81) and terbium strontium fluoride (Tb_0.76Sr_0.24F_2.76) single crystals have been grown by the Czochralski method under controlled atmosphere. While both compounds present similar optical and magneto-optical properties (determined by the high concentration of Tb³⁺ ions), the lower absorption losses and high Faraday rotation exhibited by terbium calcium fluoride, compared to those of terbium strontium fluoride, lead to a notable figure of merit for Faraday isolators operating in the visible wavelength region. In particular at short wavelengths, below 500 nm, the figure of merit of terbium calcium fluoride is remarkably higher than that of the industrial standard terbium gallium garnet.     

Fe2O3/TiO2和ZnO/TiO3纳米颗粒薄膜的亲水性能和光催化性能的研究

采用溶胶—凝胶法在玻璃上制备了锐钛矿型TiO2和过渡金属铁、锌离子掺杂的TiO2薄膜，并通过XRD、XPS、AFM表征了合成的薄膜．结果表明铁和锌离子掺入后，TiO2薄膜变的更加致密．铁离子和锌离子分别以Fe2O3和ZnO的形式存在．在紫外光照射下，TiO2薄膜表现明显的亲水性．金属离子掺杂的TiO2薄膜，亲水性能明显增强．铁离子掺入对光催化降解甲基橙有一定的抑制作用；少量的锌离子掺入对光催化降解甲基橙有促进作用，锌离子掺入量增大后，效果并不明显．     

半金属 Fe3O4薄膜的制备工艺探索

半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料，由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注．但由于铁元素存在多种价态的氧化物，使得制备单一成分的Fe3O4非常困难，因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究，探索了晶化温度对薄膜结构的影响，并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善，得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件．另外，通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试，发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应，因此有望将其应用到自旋电子器件中．     

静电纺丝法制备的Co0.6Ni0.3Cu0.1Fe2O4和Co0.6Ni0.3Zn0.1Fe2O4纳米纤维的结构及磁性能

采用静电纺丝技术制备出表面光滑、直径均匀的Co_(0.6)Ni_(0.3)Cu_(0.1)Fe_2O_4/PVP和Co_(0.6)Ni_(0.3)Zn_(0.1)Fe_2O_4/PVP纳米纤维前驱丝,经500~900℃煅烧后得到Co_(0.6)Ni_(0.3)Cu_(0.1)Fe_2O_4和Co_(0.6)Ni_(0.3)Zn_(0.1)Fe_2O_4纳米纤维。用TG-DSC、XRD、SEM及VSM现代测试分析手段对Co_(0.6)Ni_(0.3)Cu_(0.1)Fe_2O_4和Co_(0.6)Ni_(0.3)Zn_(0.1)Fe_2O_4纳米纤维的结构、形貌及磁学性能进行测试表征。结果表明:在空气气氛中经500~900℃煅烧后可得到纯尖晶石相、结晶度良好的纳米纤维或短纤维;当温度为700℃时,Co_(0.6)Ni_(0.3)Cu_(0.1)Fe_2O_4和Co_(0.6)Ni_(0.3)Zn_(0.1)Fe_2O_4纳米纤维的形貌细长而光滑且直径相对均匀,大约为80nm;此时Co_(0.6)Ni_(0.3)Cu_(0.1)Fe_2O_4纳米纤维则保有较高的剩磁比(M_r/M_s)及矫顽力,分别为0.56和1 088.87Oe。在500℃、600℃、700℃、800℃、900℃煅烧后,Co_(0.6)Ni_(0.3)Zn_(0.1)Fe_2O_4纳米纤维的饱和磁化强度分别比Co_(0.6)Ni_(0.3)Cu_(0.1)Fe_2O_4纳米纤维增大了14.5%、7%、16%、10.7%、8%,而矫顽力则分别降低了38%、51%、50%、46%、46.7%。两种纳米纤维的饱和磁化强度及矫顽力存在差异,为CoNi铁氧体在电磁方面的应用提供了很好的参考。     

纳米Fe3O4磁性粒子的制备及物性研究

利用滴定水解法制备了Fe3O4纳米颗粒，经XRD和漫反射吸收谱分析，Fe3O4晶粒粒径约为18nm，从紫外至近红外(200～3000nm)均有很强的光吸收。纳米Fe3O4有明显的负磁阻和湿敏效应，其阻抗随磁感应强度和湿度的增大而减小。     

HNO3处理对TiO2纳米薄膜的光催化活性和表面微结构的影响

通过sol-gel工艺分别在钠钙玻璃和预涂SiO2涂层的钠钙玻璃基体上制备了TiO2光催化纳米薄膜．然后用1mol／L HNO3水溶液对煅烧后的薄膜进行酸处理。用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和紫外可见光谱(UV—VIS)对酸处理前后TiO2纳米薄膜进行了表征。用甲基橙水溶液的光催化脱色来评价TiO2薄膜的光催化活性。结果表明：SiO2涂层能有效阻止钠离子从玻璃基体向TiO2薄膜的扩散，普通玻璃表面的TiO2纳米薄膜经HNO3处理后，薄膜的光催化活性明显增强。这是由于TiO2纳米薄膜中的钠离子浓度降低以及表面羟基含量增加的缘故。