面向医疗微系统应用的基于引线键合仪的碳纳米管转移集成工艺方法

本文提出了一种利用标准引线键合仪实现碳纳米管材料转移的异质集成工艺方法,并初步验证了其应用于制备微型X射线源器件阴极的可行性.所提出的碳纳米管异质集成方法基于标准的球焊-楔焊(ball bond-stitch bond)工艺流程,可将碳纳米管从其常规生长基底转移至球焊过程生成的金属球上,并最终共同转移集成至目标器件基底...     

国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状

GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、8英寸Si衬底)、GaN HEMT与Si CMOS器件异质集成技术以及金刚石基GaN HEMT材料集成技术的研发进展.分析了GaN功率器件材料技术的发展趋势,认为更大尺寸更高质量衬底和外延材料制作、外延技术的改进、金刚石等新型衬底材料研发以及GaN基材料与Si材料的异质集成技术等将是未来研究的重点.     

InGaAs(P)/InP光电子集成(OEIC)器件的研究与进展

单片集成光电子器件是采用光电子集成(OEIC)技术,将集成光路与集成电路融合为一体的一种器件,以完成发射、接收等特定的电路功能.本文着重于1.0～1.6μm波长范围的单片集成先电子器件,简要介绍目前正在广泛研究的OEIC的结构类型及其性能水平,讨论有关的材料生长技术和某些关键的工艺技术问题.     

低温共烧陶瓷(LTCC)介质的材料科学与设计策略

低温共烧陶瓷(LTCC)介质是无源集成和系统级封装技术的关键材料。由于烧结工艺上的特殊要求,这类材料具有较传统电子陶瓷更复杂的显微结构,在材料的设计上难度更大。从材料的组成、结构、形成机制及其性质之间的关系出发,分析了探索新型LTCC介质材料的关键因素和设计策略,并通过对以作者研究组成功设计出的新型低介电常数LTCC材料——硅铝氟氧化物基LTCC介质为典型案例的剖析,论证了基于材料科学的基本原理实现对LTCC介质进行设计的可行性。     

美国应用材料公司为进入“Nano-Chip”时代提供新的产品系列

在2001年美国Semicon West半导体设备展览会上,美国应用材料公司推出了被称作为进入“Nano-Chip”时代的许多新产品。新的产品能够用来制造设计规则在100nm(0.1微米)或者更小的先进芯片。所谓“Nano-Chip”产品系列中的第一个产品,包括“工艺集成模块”和能够进行原子层化学气相淀积(ALD)的腔体。应用材料公司总裁,Mr.James C Morgan说,新产品将极大地促进芯片制造商的再一次发展。在展览会上,应用材料公司阐述了发展“工艺集成模块”的策略,将现有的芯片制造过程分解成若干个模块(building     

激光器和探测器实现单片集成

(一)集成光学的出现,仅十年时间,但发展极其迅速。目前国外正致力于研制集成部分器件,例如,美国贝尔实验室已成功地将激光器通过波导与探测器集成在同一衬底上。实现单片集成光路的主要障碍是什么?一是材料,二是工艺。在材料方面,研究最多的是 GaAs 半导体材料。目前认为,GaAs 半导体材料将是一种有希望的集成光路的基础材料,且很有希望做成单片集成全功能光路(当然还有其它新材科)。工艺方面,一些新的加工技     

硅基异质集成化合物半导体技术新进展

随着摩尔定律即将走向尽头,以及军民电子信息系统对多功能集成、高密度集成、小体积重量、低功耗、大带宽、低延迟等性能的持续追求,将多种化合物半导体材料体系(如GaN、InP、SiC等)的功能器件、芯片,与CMOS集成电路的芯片进行异质集成的技术正在拉开序幕,将在微电子、光电子等领域带来一场新的革命,硅基异质集成也被认为是发展下一代集成微系统的技术平台。本文梳理了射频微电子学与硅光子学领域中以化合物半导体为主的材料(或芯片)与硅半导体材料(或芯片)异质集成的最新进展,以期国内相关领域研究人员对国外的进展有一个比较全面的了解。     

集成元件印制板技术

集成元件印制板是把无源元件(如电阻、电容和电感)分别或综合集成到PCB(印制板)内层而形成的,它是新一代HDI/BUM板发展的一个重要方面,并且随着集成电路(IC)的高集成化、高频信号和高速数字信号传输的发展,要求印制板有更好的特性阻抗和更小的电磁干扰,采用集成元件印制板既能提高印制板的高密性又能达到更好的特性阻抗匹配和更小的电磁干扰.介绍了集成电容印制板和集成电阻印制板的材料及工艺过程.     

InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。     

UML/ADL在软件监控系统建模中的应用研究

以特定行业的软件监控系统为研究背景,运用UML/ADL集成建模方法进行建模和分析.首先进行了领域的需求分析,然后运用UML建立了对象结构模型和对象行为模型.验证了UML和ADL两种建模工具相集成的建模方法在工程应用中的可行性.     

一种改进型1-3-2压电复合材料的研究

高质量的压电换能器需要具备较高的机电耦合系数和灵敏度。该文在传统型1-3-2压电复合材料的基础上提出了一种改进型1-3-2压电材料,提高了压电换能器的机电耦合系数和换能器的接收灵敏度。通过有限元仿真分析了不同间距对改进型1-3-2压电材料敏感元件的谐振频率、反谐振频率及机电耦合系数的影响,并与传统1-3-2型压电复合材料进行了对比。结果表明,与传统型1-3-2压电复合材料相比,在相同间距条件下,改进型压电材料的机电耦合系数约大0.03。制做的3种不同间距改进型压电材料表明,间距为1 mm的改进型压电材料的机电耦合系数较大,约为0.68。     

钛酸钡改性及其聚酰亚胺复合材料的性能研究

采用化学还原法在直径100 nm的钛酸钡表面沉积直径约5~20 nm的铜纳米颗粒,分析了BaTiO3-聚酰亚胺复合材料的介电性能和作用机理。研究结果表明:铜纳米颗粒通过化学键与钛酸钡表面的晶体结构结合在一起,与聚酰亚胺组合成两相复合材料,这有别于BaTiO3/导电粒子/聚酰亚胺三相复合材料。另外,虽然铜纳米颗粒有部分被氧化,导电性能降低,但改性后的BaTiO3-聚酰亚胺的复合材料还是具有低损耗、高介电的性能,充分说明了这种新型的两相复合材料能够实现高介电、低损耗的目标。     

组分材料特性对压电复合材料性能的影响

影响压电复合材料性能的因素有很多,主要应用有限元法分析了基体相以及压电相材料的材料特性对压电复合材料性能的影响。选用13型压电复合材料作为研究对象,压电相为PZT5H,环氧树脂作为基体相。研究结果表明:压电相及基体相的材料特性对压电复合材料的性能有着较大的影响。     

涂覆各向异性复合手征介质的阻抗圆柱体的雷达截面积

本文解决了平面波入射时涂覆各向异性复合手征介质的阻抗圆柱体的电磁散射问题。首先推导得到各向异性复合手征介质层中电磁场量的基本方程;然后根据边界条件得出计算所讨论的阻抗圆柱体的雷达散射截面的解析表达式。文中还给出若干数值结果。     

卤素灯加热红外成像检测技术仿真研究

针对复合材料的红外成像无损检测问题,使用卤素灯作为激励源,配合非制冷红外热像仪搭建了检测系统,并针对该系统建立了仿真模型,应用Ansys软件对碳纤维复合材料平底洞试验样件进行了仿真分析,给出了检测结果,得出了该系统的检测性能参数。应用该系统对实际的碳纤维复合材料平底洞试验样件进行了检测试验。结果表明,仿真分析与实际检测结果相符,性能参数分析准确。本文搭建的系统成本低、检测效果好,激励功率和作用时间容易调整,可应用于各类复合材料的无损检测领域。     

Shielding and reflection properties of periodic fiber-matrixcomposite structures

The plane-wave shielding and reflection properties of a single-layer composite material are analyzed, based on a filament-current phase-correction model that treats the composite material as a lossy periodic structure of fibers situated in a dielectric matrix. The scattering effect of the fibers is dealt with by calculating the scattered fields from the fiber currents, which are assumed to be concentrated along the centers of the fibers. To include the effect of the dielectric matrix, multiple reflection and transmission at the air-matrix interfaces, as well as the phase correction across the fiber grating, are incorporated in the analysis. In this study, only numerical results for the TM case are presented for graphite/epoxy composite materials. In particular, the parameters that influence the shielding and reflection characteristics, such as the angle of incidence and the frequency of the incident wave, the conductivity and radius of the fibers, and the dielectric constant of the matrix, are investigated in detail. Also included are results to illustrate the frequency-selective phenomena associated with composite structures     

SPS工艺对铜/金刚石复合材料性能的影响

采用SPS(放电等离子烧结)工艺制备了高体积分数铜/金刚石复合材料,研究了SPS中主要的工艺参数烧结温度、保温时间和烧结压强对复合材料相对密度和热导率的影响。结果表明:最佳的烧结温度为930℃;热导率和相对密度随保温时间延长有所提高,20min后趋于稳定;而随烧结压强由10MPa提高到70MPa,热导率约上升15%。经过优化工艺后,所制备的铜/金刚石复合材料最高热导率达到354.1W(m.K)–1,最高相对密度为98.4%。     

基于THz-TDS的碳纤维复合材料无损检测

基于反射式THz-TDS成像技术对碳纤维缠绕增强复合材料缺陷进行无损检测实验,获得不同缺陷碳纤维样品的成像结果及数据。结果表明,反射式THz-TDS成像技术在0.1～3.5 THz波段对碳纤维复合材料中的热损伤、划伤缺陷、磨损缺陷及孔洞缺陷成像清晰,分辨率较高;且获得的时域波形对样品热损伤缺陷敏感,适用于局部检测对整体性能的判断。     

芯片散热复合材料的制备及其性能研究

本论文设计了一种新型的复合材料,由发泡硅胶、导热层和绝缘层三部分组成.通过发泡工艺制备了发泡硅胶,然后在其外层依次包覆导热层及绝缘层,从而得到芯片散热复合材料.并对制备的芯片复合材料进行导热性能、压缩性能、剥离强度表征.     

BCGs-FFT结合BP神经网络反演金属介质复合柱体目标参数

利用双共轭梯度-快速傅里叶变换方法（BCGs-FFT）结合BP神经网络技术研究了金属介质复合结构柱体目标的电磁逆散射问题.先用BCGs-FFT方法计算了复合结构目标的正散射问题,得到不同目标参数下的多个观测点上的散射电场,以此作为训练样本提供给BP网络,经过适当的离线训练,再以新的散射电场作为网络的输入,实时重构了金属介质复合结构目标的几何、电磁参数.数值结果显示了该方法的有效性.