碳热还原法制备SiC晶须试验研究

分别以SiO2微粉、石英砂和高岭土为硅源,用不同粒度的石墨为碳源,Fe2O3、H3BO3和NaCl作为催化剂,采用碳热还原法制备了碳化硅晶须.通过扫描电镜和电子探针分析晶须的形貌和组成,研究了3种硅源、不同种类的催化剂和不同粒度的石墨对SiC晶须生成及形貌的影响,探讨了晶须的生长机理.结果表明:选用SiO2微粉作为硅源,H3BO3作为催化剂所合成的SiC晶须生成量和形貌都较好;不同粒度的原料会在反应空间和反应速度上对晶须的生成产生不同的影响,当石墨粒度为100目时效果较好;在晶须的顶端发现催化剂熔球,推测合成机理为VLS机理.     

溶致富勒烯C_(60)片状晶体向晶须的转变

将采用液-液界面析出法在甲苯/叔丁醇体系中培养的二维(2D)富勒烯C_(60)片状晶体置于含2%(体积分数)间二甲苯的异丙醇中24 h,则该2D片状晶体转变成一维(1D)晶须。通过光学显微镜,扫描电子显微镜,红外光谱,拉曼光谱,X-射线衍射法对其形貌及组成、晶型进行了表征。结果表明:1D富勒烯C_(60)晶须与2D C_(60)片状晶体具有相同的分子组成和晶型。     

羟基磷灰石晶须的控制合成与机理探讨

采用均相沉淀法控制合成了羟基磷灰石（HAP）晶须，并采用SEM、FT-IR和XRD对样品进行了表征，从晶体热力学性质和晶体生长动力学两个方面分析了模板对羟基磷灰石晶须形貌的影响，探讨了羟基磷灰石晶须的生长机理．     

喷射沉积高硅铝合金的显微组织研究

通过金相显微镜、扫描电镜和X射线衍射分析等手段,对Al-22Si-4.5Fe-1.5Mg-4.5Cu合金的喷射沉积态、挤压态以及热处理态的微观组织进行了观察及分析.结果表明：沉积态中初生硅相细化,合金经热挤压后组织致密、晶粒细小,热处理后合金第二相颗粒数量增加,尺寸未见明显改变,合金主要由α-Al,β-Si,β（Al5FeSi）,Al8Si6Mg3Fe,FeSi2,Al8Fe2Si等物相组成,热处理后新析出了细小的Al2Cu和Al2CuMg相,且以Al2Cu相为主.     

Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox（x=1,2,3）非晶合金的晶化动力学研究

采用单辊熔体快淬法在大气环境中制备Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox（x=1,2,3）非晶合金薄带,利用差示扫描量热分析和X射线衍射分析进行非晶合金的晶化动力学研究,计算出Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox（x=1,2,3）非晶薄带的晶化激活能分别为349、262、332 kJ/mol,其Avrami指数分别为1.95、2.14和2.00。结果表明,随着升温速率的提高,Fe73.5Si13.5B9Cu1Nb3-xMox（x=1,2,3）非晶薄带的起始晶化温度和晶化峰值温度相应升高;以Mo部分替代Nb降低了非晶合金的晶化激活能;-αFe（Si）软磁相具有扩散控制的低维形核和生长的晶化机制,且形核率逐渐减小。     

蒸发诱导富勒烯C60块状晶体向晶须的形貌转变

通过利用液-液界面沉淀法(liquid-liquid interface precipitation,LLIP)以邻二甲苯和正丁醇分别作为良溶剂和不良溶剂制备了三维(3D)富勒烯C60块状晶体.当从上述母液中取出3D富勒烯C60块状晶体静置于载玻片上室温蒸发干燥时,其晶体形貌发生剧烈变化,由原始的3D富勒烯C60块状晶体转变为紧密有序排列的一维(1D)晶须,但是,3D富勒烯C60块状晶体的轮廓基本保持不变.通过将3D富勒烯C60块状晶体再次放入不同体积比的邻二甲苯和正丁醇混合溶液,观察其在蒸发干燥时的形貌转变规律,提出了蒸发诱导3D富勒烯C60块状晶体向1D晶须的转变机理.同时,利用光学显微镜、扫描电子显微镜、红外光谱仪和X-射线衍射仪对其形貌及组成、晶型进行了表征.     

PrBa2Cu3O7—δ单晶的制备和表征

用自助熔剂法生长了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶．用一种简易的退火方法获得了无（１１０）孪晶的ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ晶体．用金相显微术、Ｘ－射线能谱以及Ｘ－射线衍射对生长单晶和退火单晶分别进行了表征，测量并讨论了ａｂ面内的各向异性电阻．     

SiC_w在Al_2O_3-C复合耐火材料中原位生长的实验研究

通过引入金属Si和活性C对SiC晶须在Al2O3－C复合耐火材料中的原位生长进行了实验研究．利用SEM结合电子探针（EMA）研究了SiCw在Al2O3－C复合耐火材料中的原位生长机理，提出LS生长机理．讨论了SiCw在Al2O3－C复合耐火材料中的原位生长的热力学条件和晶须生长的动力学控制环节．     

晶化温度对热态钢渣基微晶玻璃结构和性能的影响

以模拟液态钢渣为原料,以质量比为1∶1的比例加入石英砂进行调质后,得到的钢渣玻璃熔体采用熔融法制备微晶玻璃。利用DTA、XRD、SEM/EDX研究了晶化温度对微晶玻璃析晶和性能的影响。结果表明:随着晶化温度的增加,样品的密度呈先增加后减小,耐腐蚀性呈逐渐增强的变化趋势。经700℃核化2h、950℃晶化2h后的微晶玻璃综合性能最好。主晶相为普通辉石[Ca(Mg,Al,Fe)Si2O6]和透辉石[(Mg6Al2Fe2)Ca(Si1.5Al5)O2],晶体形貌为颗粒状,直径约为20~60nm,分布均匀。     

水热法KTP晶体形貌及成因

利用双圈接触测角仪、双圈反射测角仪、微分干涉显微镜等测试手段,对不同条件下水热法生长的KTP晶体的宏观形态及各族晶面的微观形貌特征进行了观察和描述.测试了水热法KTP晶体的成分、结构.水热法生长的KTP晶体的宏观形态与晶体生长溶液的过饱和度及籽晶的切向、形态、悬挂方式有关:低过饱和度时,晶体中易出现高指数晶面,随着溶液过饱和度的增大,高指数晶面逐渐消失.各族晶面的微观形貌主要受控于晶体的内部结构.     

喷射沉积Al-Fe-V-Si合金的组织演变研究

通过光学和透射电子显微镜研究了喷射沉积Al-Fe-V-Si合金在沉积态和不同温度热挤压后的显微组织,发现在α-Al基体上均匀分布着高密度的细小硅化物颗粒,这些细小硅化物颗粒在高温挤压后仍能保持较好的稳定性,在提高合金高温性能中起主要作用.在300 ℃及其以上温度的挤压态合金中发现了一些六边形块状相,经分析是由于合金局部元素成分波动造成V元素的缺乏促使亚稳α-AlFeSi相矢稳转变而成,六边形块状相的存在是影响合金高温性能的主要原因.     

Si和Al对机械合金化合成Ti3SiC2的影响

采用3Ti／Si／2C单质粉体为原料,进行机械合金化,以合成Ti3SiC2粉体。研究了Al和过量Si对机械合金化合成Ti3SiC2的影响。研究结果表明,机械合金化单质混合粉体,会诱发自蔓延反应。反应后产生大量坚硬的颗粒状产物。机械合金化3Ti／Si／2C粉体,会产生组成相为TiC、Ti3SiC2、TiSi2和Ti5Si3的粉体与颗粒产物。添过量Si并不会促进机械合金化反应合成Ti3SiC2。添适量Al可消除硅化物,明显促进反应合成Ti3SiC2。采用3Ti／Si／2C／0．15Al粉体作原料时,颗粒产物中Ti3SiC2含量最高,为92．8wt％;而采用3Ti／Si／2C／0．20Al粉体作原料时,粉体产物中Ti3SiC2含量最高,为61．9wt％。     

Wettability and pressureless infiltration mechanism in SiC-Cu systems

The wetting behavior of copper alloys on SiC substrates was studied by a sessile drop technique. The microstructure of SiCp/Cu composites and the pressureless infiltration mechanism were analyzed. The results indicate that Ti and Cr are effective ele-ments to improve the wettability, while Ni, Fe, and AI have minor influence on the improvement of wettability. Non-wetting to wet-ring transition occurs at 1210 and 1190℃ for Cu-3Al-3Ni-9Si and Cu-3Si-2Al-1Ti, respectively. All the copper alloys react with SiC at the interface forming a reaction layer except for Cu-3Al-3Ni-9Si. High Si content favors the suppression of interfacial reaction. The infiltration mechanism during pressureless infiltration is attributed to the decomposition of SiC. The beneficial effect of Fe, Ni, and Al is to favor the dissolution of SiC. The real active element during pressureless infiltration is Si.     

钎焊温度对SiC/YG8接头微观组织的影响

在保温时间为5min、钎焊温度为940~990℃条件下,采用CuMnNi钎料钎焊SiC陶瓷与YG8硬质合金.利用金相显微镜、扫描电镜和能谱仪对接头的微观组织进行分析,研究钎焊温度对接头微观组织的影响.结果表明:在靠近SiC一侧生成一层带状反应层,主要由Cu基固溶体、硅化物、碳和碳化物组成;焊缝主要由基底Cu基固溶体以及Mn、Si、Co、Cu、Ni元素形成的化合物组成.随着钎焊温度的增加,焊缝的宽度减少,焊缝中心的Cu基固溶体基底减少,而化合物相增多.     

第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况。分析了目前常用的正在研究的几种衬底材料，介绍了制备SiC和GaN单晶的方法。分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向。总结了SiC和GaN器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素。分析了SiC和GaN器件的目前应用的未来的市场前景，指出了SiC和GaN材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向。     

反倾销应对与出口企业内部控制改进

企业内部控制对于应对反倾销而言意义重大,反倾销是在“拼会计,抠成本”,更是在考验企业的内部控制。从反倾销内涵以及系统演化理论入手,分别对反倾销视角下企业内部控制建设的必要性和可能性进行了论述;并结合最近颁布的《企业内部控制基本规范》,认为应对反倾销是出口企业内部控制建设的重要内容之一;进一步从5要素整合的角度,来探讨反倾销视角下出口企业内部控制系统的构建。     

Microstructure evolution and phase transformation of traditional cast and spray-formed hypereutectic aluminium-silicon alloys induced by heat treatment

Microstructural evolution and phase transformation induced by different heat treatments of the hypereutectic aluminium-silicon alloy, Al-25Si-5Fe-3Cu (wt%, signed as 3C), fabricated by traditional cast (TC) and spray forming (SF) processes, were investigated by dif-ferential scanning calorimetry (DSC) and scanning electron microscopy (SEM) combined with energy dispersive X-ray spectroscopy and X-ray diffraction techniques. The results show that Al7Cu2Fe phase can be formed and transformed in TC- and SF-3C alloys between 802-813 K. and 800-815 K, respectively. The transformation fromβ-Al5FeSi toδ-Al4FeSi2 phase via peritectic reaction can occur at around 858-870 K. and 876-890 K in TC- and SF-3C alloys, respectively. The starting precipitation temperature ofδ-Al4FeSi2 phase as the dominant Fe-bearing phase in the TC-3C alloy is 997 K and the exothermic peak about the peritectic transformation ofδ-Al4FeSi2→β-Al5FeSi is not detected in the present DSC experiments. Also, the mechanisms of the microstructural evolution and phase transformation are discussed.     

Interface Stability of the SiC Particles/Fe Matrix Composite System

The interface reaction between the SiC particles （ SiCp ） and Fe was stndicd during sintering the SiCp reinforced Fe matrix composites at 1423 K for 1 h. In the composite having 3wt% （weight ratio） SiCp （the 3SiCp/ Fe composite）, the interface reaction products of Fe3 Si, the carbon precipitates, and Fe3 C or pearlite were generated. Fe3 Si coustructs the bright matrix of the reaction zone in the original situation of the SiCp. The carbon precipitates are randondy embedded in the reaction zone. Fe3 C or pearlite exists at the grain boundaries of the Fe matrix. As increasing the SiCp concentration in the SiCp/ Fe composite, the inteusity of the interface reaction between SiCp and Fe iacreases. After the 10SiCp/ Fe composite （ having 10wt .% SiCp ） sintered at 1423 K for 1 h, all of SiCp are decomposed, and replaced by the reaction zone composed of Fe3 Si and the carbon precipitates. No Fe3 C or pearlite was genertaed during the reaction. The effects of the techniques of oxidizing of SiCp , coating SiCp by interaction with the Cr powder, and alloying the Fe matrix by adding the Cr element on the interface stability of the SiCp/ Fe composite system were also investigated, respectitely. The oxide membrane and the coating layer on SiCp can inhibit the interface reaction between SiCp and Fe by isolating SiCp from the Fe matrix during sintering. The interface reaction does not occur in the 3 SiCp/ Fe- 10 Cr composite but in the 3 SiCp/ Fe-5 Cr composite. In the SiCp/ Fe-Cr alloy composites, the interface reaction between SiCp and the Fe- Cr alloys is weaker than that between SiCp and Fe . The Cr element behaves as a diluent, it causes a redaction in the interface reaction, which is proportional to the amount of the element added.     

激光照射下SiC纳米颗粒原位生成晶须的试验

以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,进行了激光照射下SiC纳米颗粒原位生长晶须的试验,探索S iC晶须在激光照射下稳定生长的工艺参数及其生长过程。研究了所得三种晶须的生长过程,分析了PVB、PVA和CMC三种粘结剂以及激光参数对晶须生长的影响。     

SiC晶须－氮化铝分散工艺的研究

本文探讨了用于补强陶瓷基复合材料的ＳｉＣ晶须和氮化铝的分散工艺，研究结果表明：ＳｉＣ晶须采用乙酰丙酮预处理有助于分散，表面活性剂的加入对ＳｉＣ晶须有良好的分散作用，分散剂的粘度、酸度均对分散作用有较大的影响。