微波GaAs FET功率放大器的一种建模与互调计算方法

本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理论分析的麻烦．结果表明，理论与实验甚为一致．     

MOS结构中的两类慢界面态

通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反，ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央．并探讨了这些慢态的微观机理．     

聚甲基丙烯酸甲酯LB膜用作高分辨率电子束抗蚀层的研究

应用ＬＢ技术制备了厚度为２０－１００ｎｍ的聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日产Ｓ－４５０扫描电子显微镜（ＳＥＭ），研究了ＰＭＭＡ ＬＢ膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽０．１５μｍ的铝掩模光栅图形，表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。     

用E×B质量分析器分析Au－Si液态金属离子源（LMIS）的束流成分

本文介绍了Ａｕ－ＳｉＬＭＩＳ的结构以及源的发射特性，利用Ｅ×Ｂ质量分析器，获得了Ａｕ－ＳｉＬＭＩＳ的质谱图，对实验误差进行了理论分析     

用E×B质量分析器分析Au—Si液态金属离子源（LMIS）的束流成分

本文介绍了Ａｕ－Ｓｉ ＬＭＩＳ的结构以及源的发射特性，利用Ｅ×Ｂ质量分析器，获得了Ａｕ－Ｓｉ ＬＭＩＳ的质谱图，对实验误差进行了理论分析。     

MBE生长的PM—HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级。样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处。ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡＬＧａＡｓ层时原氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系，它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能，应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，     

MBE生长的PM－HEMT结构中深电子陷阱及其钝化／消除

应用ＤＬＴＳ、ＳＩＭＳ和ＰＬ技术详细研究ＭＢＥ生长的ＰＭ－ＨＥＭＴ结构中深能级．样品的ＤＬＴＳ谱表明在ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱，其能级位置分别位于导带下的０．６４ｅＶ和０．７９ｅＶ处．ＳＩＭＳ和ＰＬ谱表明深电子陷阱与ＡｌＧａＡｓ层里的氧含量和光致发光（ＰＬ）响应有直接的联系．它们影响ＰＭ－ＨＥＭＴ结构的电性能．应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理，结果表明，在一定条件下，ＰＭ－ＨＥＭＴ结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化／消除．     

C_（60）／PMMA的光子开关器件

研究了Ｃ６０／ＰＭＭＡ的三重态吸收无腔光子开关特性．理论分析结果与实验结果基本符合。     

主客掺杂聚合物材料薄膜介电性的研究

制备了３－（１,１－二氰基噻吩）－１－本－４,５－二羟羟基－Ｈ－噻唑（ＤＣＮＰ）与聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）组成的主客掺杂聚合物薄膜ＤＣＮＰ／ＰＭＭＡ,用ＤＣＳ测量了该体系的玻璃化温度。在玻璃化温度以上３０℃测量了温区范围内该材料的介电常数的实部和虚部随频率的变化曲线,测试频率范围为５０Ｈｚ～１０ＭＨｚ。由以上各介质谱曲线所对应温度下的特征弛豫时间τ,结合Ａｄａｍ－Ｇｉｂｂｓ模型,模拟计算出了玻璃化温度以下该聚合物的弛豫时间。     

Nb超导量子结中AlO_x－Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ）；Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜Ａ｜Ｏｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。由Ｆｉｓｋｅ台阶电压，ＡＶＳ中的Ａｌ峰和Ｉ－Ｖ特性的畸变，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间由常态Ａｌ而引起的亲近效应的存在，并用ＭｃＭｉｌｌａｎ理论作了讨论。     

TN-LCD和STN-LCD的比较

随着人类社会进入高度发达的信息社会，作为人机对话的显示器获得飞跃的发展，液晶显示（ＬＣＤ）应运而生。ＬＣＤ轻巧薄形，功耗与电压低．可用电池供电，因而能制成便携式电脑和电子仪表，并可实现全彩色、高分辨率、大容量显示，且寿命长，所以ＬＣＤ能在平板显示中独占螫头，居主导地位。对液晶材料施加电场，将改变液晶分子的排列，从而改变其透光率或折射率等光学特性，ＬＣＤ就是以液晶为显示煤质，利用其电光效应来显示图形的。ＬＣＤ可分为无源矩阵型（ＰＭ－ＬＣＤ）和有源矩阵型（ＡＭ－ＬＣＤ）两大类。ＡＭ－ＬＣＤ是在每一像…     

数字扫描探针显微镜中的DSP技术

本文介绍了我们研制数字ＳＰＭ仪器时在ＤＳＰ芯片选型、ＳＰＭ－ＤＳＰ插卡设计、开发工具ＤＳＰ软件及其基本算法方面的考虑和解决方案并简介一种采用德州仪器公司ＴＭＳ３２０Ｃ５０ＤＳＰ芯片设计的ＳＰＭ仪器该仪器已实现ＳＴＭ模式、接触ＡＦＭ模式、非接触ＡＦＭ模式,并具有和多种ＳＯＰＭ头部接口的开放性结构。     

DEM技术中微复制工艺研究

利用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术获得的微复制金属模具进行了微复制工艺研究。对微复制工艺参数进行了优化，在ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ塑料上获得了高深宽比的微结构，并对ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ和不同图形的微复制效果进行了比较。     

推拉型有机化合物的非线性特性研究

合成一种新的推拉型偶氮化合物并将掺入ＰＭＭＡ中制成光学薄膜器件，用Ｚ扫描技术测量了该材料的非线性折射率，用ＤＦＷＭ装置研究了该材料在可见光长波区光存储特性，获得了良好的实时和短时存储信息，存储功率密度小于０．１Ｗ／ｃｍ＾２。分析了这种非共振吸收区光存储机理。     

Mach—Zehnder干涉仪法测定染料掺杂高聚物薄膜复数电光系数

本文介绍了一种使用Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉仪同时测定染料掺杂高聚物薄膜电系数张量实部和虚部的方法，用该方法测量了掺染料１号（ＤＲ１）有机玻璃到（ＰＭＭＡ）膜的复数电光系数张量分量ｒ１３和ｒ３３并讨论了膜内多重反射效应对测量精度的影响，给出了修正公式和实验结果。     

第八讲电话机的响度当量和频响（三）

上一讲比较精彩，在讲述接收特性和侧音特性测量等基本原理的同时，还介绍了ＯＲＥＭ－Ｂ、ＯＲＥＭ－Ａ、ＬＲ和ＯＬＲ等四种客观测量标准。本讲为“响度当量和频响”的最后一部分，下一讲将介绍“电话机通话回路的失真”。     

用接触式显微术方法研究软X射线光刻胶特性

我们用Ｈｅｎｋｅ型软Ｘ射线源完成了栅网的接触式成像，采用Ｔａｌｙｓｔｅｐ台阶仪测量了不同曝光时间ＰＭＭＡ光刻胶的溶解速率。由测量曲线可知光刻胶在显影开始时速率较快，随着时间的增加，溶解速率逐渐趋缓，最后达到所有的曝光时间下的样品的溶解速率都相同。这与理论分析十分吻合。     

SiC接触的电学和化学特性

用化学和电学研究测试了６Ｈ－ＳｉＣ与元素金属（Ｎｉ，Ｍｏ）和硅化物（ＭｏＳｉ２，ＴａＳｉ２和ＴｉＳｉ２）的接触特性。用俄歇电子光谱（ＡＥＳ）化学分析技术研究了由热处理引起的界面反应，在退火过程中，用电学测量方法（电流－电压和电容－电压）测量了整流特性或欧姆接触特性。并尽可能地计算了势垒高度及接触电阻值。     

一种STM-16段开销处理的实现方式

本文提出了一种利用ＳＴＭ－４的开销处理芯片ＰＭ５３１２来实现ＳＴＭ－１６的开销处理的方式，并给出了相应问题的解决方法。特别是对影响系统性能的发送方向四片ＰＭ５３１２的数据相位对齐的问题进行了分析并给出了几种具体解决方案，经过试验取得了满意的结果。     

一种STM—16段开销处理的实现方法

本文提出了一种利用ＳＴＭ－４的开销处理芯片ＰＭ５３１２来实现ＳＴＭ－１６的开销处理的方式，并给出了相应问题的解决方法。特别是对影响系统性能的发送方向四片ＰＭ５３１２的数据相位对齐的问题进行了分析并给出了几种具体解决方案，经过试验取得了满意的结果。