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台湾省半导体行业的亚微米生产大多已进入 0 35 μｍ以下。但在进行批量生产的同时 ,台湾ＤＲＡＭ产品市场的 80 %由境外进入。 1 998年使台湾自产的ＤＲＡＭ价格几乎下跌 1 0倍。对此 ,台湾半导体行业协会(ＴＳＩＡ)进行了长期观察 ,发现美国厂商涉嫌持续以低价向台湾倾销ＤＲＡＭ。该协会要求台湾对美国厂商的倾销行为展开反倾销调查 ,并给予征收反倾销税。美国进入台湾的ＤＲＡＭ价格低于台湾同类产品正常价格的46 %。在反倾销的同时 ,台湾抓紧时间不断调整亚微米生产能力。联电集团将达到0 35 μｍ、 0 2 5 μｍ和 0 1 8μｍ生产能… 相似文献
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日本三菱电机公司在高知工厂内新建30 0ｍｍ晶片 ,适用于 0 15 - 0 .13μｍ规格的半导体制作生产线 ,约投资 2 0 0 0亿日元 ,计划从 2 0 0 3年开始批量生产闪速ＥＥＰＲＯＭ和ＤＲＡＭ和数字家电的系统ＬＳＩ等。生产规模 (30 0ｍｍ晶片 )月产为 2 5 - 3万枚。 2 0 0 1年下半年约投资 10 0亿日元 ,松下电子工业也参加投资。三菱电机投资2000亿日元于φ300mm生产线@一凡 相似文献
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《微电子技术》2001,(4)
ＣＳ8 82 8ＣＮ是用于语音录放的单片ＣＭＯＳ大规模集成电路 ,采用ＡＤＭ (自适应增量调制 )。它与动态ＲＡＭ以及包括话筒、扬声器、放大器等的音频电路共同构成一语音录放系统。主要用于语音学习机、益智玩具、录音电话等。该电路版图采用 1 5 μｍＳｉ 栅Ｐ 阱ＣＭＯＳ工艺设计规则进行设计 ,共有 10块掩模版 ,芯片面积为(2 82 4× 3 112 )ｍｍ2 ,集成度 10 0 0 0Ｔｒ 芯片 ,其中模拟元器件约 4 0 0元件 ,采用ＱＦＰ60封装。主要技术性能指标 :·工作电压 :5Ｖ·工作电流 :≤ 5ｍＡ·工作频率 :640～ 10 0 0ｋＨｚ·可外接 4片 1Ｍ× 4… 相似文献
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《微电子技术》2001,(4)
ＣＳＣ910 2ＣＰ电话机拨号电路是为通信系统设计的ＣＭＯＳ大规模集成电路 ,它在音频 脉冲工作方式下均有较宽的工作电压范围。带有一组 32位重拨存储 ,在挂机时具有极小的存储保持电流。该电路采用 0 8μｍＮ阱ＣＭＯＳ工艺 ,芯片面积 (1 4 6× 1 2 3)ｍｍ2 ,集成度 5 0 0 0元器件左右 ,采用ＤＩＰ18封装形式。主要技术性能指标 : 工作电压 :2 0Ｖ～ 5 5Ｖ ; 音频 脉冲可选 ; 工作电流 :<2ｍＡ ; 一组 32位重拨存储 ; 记忆保持电流 :<0 2 μＡ (典型 0 1μＡ) ; 外接 3 5 8ＭＨｚ晶振。 待机电流 :<5 μＡ… 相似文献
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《电子工业专用设备》1995,(4)
ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单... 相似文献
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三星电子公司开发出了 4ＧＤＲＡＭ。在今年 2月的半导体学会 (ＩＳＳＣＣ)上公开发表。该产品采用 1μｍ微细工艺技术 ,开创了下一代 4Ｇ存储器半导体制品技术的先河。容量为 4 2亿 90 0 0万位 ,在 1芯片上用英文字换算约 5亿字以上。单行本 6 40卷 ,静止图像 16 0 0枚 ,保持 6 4小时的声音数据。另外 ,还开发出了 [高析像度照像显像技术 ]、 [确保单元静电容量技术 ]、 [低电阻布线技术 ]等较高的尖端工艺技术。如果在 0 1μｍ技术的 12 8Ｍ、 2 5 6ＭＤＲＡＭ上采用该技术的话 ,据说成本可削减到 6 0 %以上。另外 ,还向国内外申请与该技… 相似文献
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年 1998 2 0 0 5 2 0 10封装管脚数安装形态6 0 0～ 70 0ＢＧＡ12 0 0～ 15 0 0ＢＧＡＣＳＰ2 0 0 0～ 2 5 0 0ＣＳＰ ,裸芯片(1)Ｔｇ (ＴＭＡ) (℃ ) 16 0～ 180 180～ 2 0 0 2 0 0～ 2 2 0(2 )α (ｐｐｍ ℃ ) 14～ 15 8～ 10 6～ 8(3)介电常数 (1ＭＨｚ) 4 4～ 4 6 3 0～ 3 5 3 0 >(4)介质损耗角正切× 10 - 4 (1ＭＨｚ) 2 0 0～ 2 5 0 10 0～ 13 >5 0 >(5 )导体厚度 (μｍ) 12 ,1895(6 )绝缘层厚度 (μｍ) 5 0～ 6 0 40～ 5 0 30～ 40(7)剥离强度 (ｋＮ ｍ) 1 0～ 1 2 1 0～ 1 2 1 0～ 1 2(8)孔径 (μｍ ) 10 0～ 15 0 6 0～ 80 2 5～ … 相似文献
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摩托罗拉公司半导体研究中心开发了晶体管长为 0 15 μｍ、采用良好结点及铜布线技术的高性能ＣＭＯＳＳＲＡＭ工艺。由于采用铜替代原来铝布线 ,所以 ,可大幅度改善处理速度、可靠性、制作成本等。目前 ,本公司已采用此工艺成功地制作出 4Ｍ位ＳＲＡＭ制品 ,并采用铜布线制作出高速ＳＲＡＭ。摩托罗拉采用铜布线制作高速SRAM@嘉明 相似文献
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循环时间短的１Ｍ—ｂｉｔ ＳＲＡＭ日本东芝公司应用０．７μｍＢｉＣＭＯＳ技术和优化电路设计研制出三种１Ｍ－ｄｉｔ同步ＳＲＡＭ，循环时间很短，１０—１２ｎｓ。这三种同步高速ＳＲＡＭ能与输入时钟（如ＭＰＩ）同步读写数据。它们与１００ＭＨｚ高速ＭＰＵ兼容。... 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
２５６Ｍｂ、１Ｇｂ ＤＲＡＭ发展动态随着Ｇｂ级ＤＲＡＭ的问世，使存储器的发展又步入了一个新台阶。韩国三星采用０．２５μｍＣＭＯＳＩ艺制作的２５６ＭｂＤＲＡＭ，其驱动电压为２．２～２．４Ｖ，存取时间为４０ｕｓ。韩国现代电子已投资了１５亿美元在京矾道本部... 相似文献
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我单位 1981年引进的ＪＳＭ 35ＣＦ扫描电镜 ,至今已连续工作 2 0年了。荧光屏字符显示曾出现一个故障 ,现象是荧光屏下部的倍率字符如 :Ｘ15 0 0 0的个位零字符始终存在不能消除 ,换为 10的低倍率时 ,则显示为Ｘ15 0 ,而面板上的数码管显示的放大倍率是正确的。根据仪器生产厂家提供《ＪＳＭ 35ＣＦＳＣＡＮＮＩＮＧＭＩＣＲＯＳＣＯＰＥＣＩＲＣＵＩＴＤＩＡＧ ＲＡＭＳ》[1] ,对该荧光屏字符显示电路作一个电路分析。本文所涉及到的电子元件符号与原仪器电路原理图一致。1 荧光屏字符显示电路分析荧光屏字符显示在屏幕的下端 ,分为加… 相似文献
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《电子工业专用设备》1996,(2)
ＮＥＣ开发出了０．０７μｍ线宽的ＣＭＯＳ大规模集成电路ＮＥＣ开发成功了１６ＧＤＲＡＭ千兆位的动态存储器工艺需要０．０７μｍ的线宽，ＮＥＣ制成了在１．ＳＶ电压和低持续电流条件下延迟时间为１６．７ＰＳ的超高速动态存储器。该成果是在去；年６月召开的ＶＩＳＩ... 相似文献
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《电子工业专用设备》2001,30(1)
最近 ,ＡＳＭＬ公司推出了其最新开发的ＰＡＳ 5 5 0 0 / 80 0型远紫外步进扫描系统 ,该机具有0 1 2 μｍ分辨能力 ,其数值孔径达 0 80 ,是至今世界上最大数值孔径的远紫外步进扫描光刻设备 ,可生产2 0 0ｍｍ圆片 1 1 5片 /ｈ。新设备采用了瑞士ＣａｒｌＺｅｉｓｓ公司提供的新型Ｓｔａｒｌｉｔｈ 80 0型透镜。ＰＡＳ 5 5 0 0 / 80 0系统的第一台生产机器安排在今年 6月发货。ASML公司推出012μm分辨率的248nmKrF光刻设备 相似文献
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《微电子技术》2000,(1)
ＥＰＦ6 0 1 0是一种可以实现相当于 2 40 0 0门逻辑电路的ＦＰＧＡ。制造过程中采用了0 35 μｍ规范、 3层Ａｌ布线的ＣＭＯＳ技术。键合压点间隔要小于 81 μｍ ,因此芯片面积小了许多 ,价格也有所下降。可以输入输出 5Ｖ、 3Ｖ、 2 5Ｖ等3类振幅信号。在逻辑单元和输入输出管脚间备有供直接连接的布线 ,使延迟时间得以缩短。电源电压为 3 3Ｖ。封装为 1 44管脚的薄型ＱＦＰ或者是 2 0 8管脚以及 2 40管脚的ＰＱＦＰ式 ,另外 ,还有 2 5 6管脚ＢＧＡ封装的芯片。其单价为每 1 0 0 0个 2 9 95美元。相当于24000门的FPGA… 相似文献
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Ｓｕｎ公司近日推出基于ＵｌｔｒａＳＰＡＲＣⅢ的ＮｅｔｒａＡＸ2 2 0 0。母板具备可靠的高性能计算能力 ,可配置一两个 64位的ＵｌｔｒａｓＳＰＡＲＣⅢ处理器。ＮｅｔｒａＡＸ2 2 0 0使得设计者和集成商可在无法使用传统服务器情况下 ,在应用系统中嵌入ＵｌｔｒａＳＰＡＲＣⅢ处理的动力、性能和可靠性 ,及ＳｏｌａｒｉｓＴＭ8操作环境。ＮｅｔｒａＡＸ2 2 0 0板采用了Ｓｕｎ的ＳＰＡＲＣ微处理器技术和Ｆｉｒｅｐｌａｎｅ互连技术。Ｆｉｒｅｐｌａｎｅ互连技术可提高网络嵌入应用的性能。UltraSPARCⅢ板级产品@乐天… 相似文献
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ＳｔａｎｆｏｒｄＭｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅＳ’ＳＧＡ - 60 0 0系列高线性ＳｉＧｅＲＦＩＣＭＭＩＣ放大器采用可挠性工业标准 85ｍｉｌ,ＳＯＴ89和ＳＯＴ2 3- 5表面安装塑料封装。这些无条件稳定的放大器在 4 2Ｖ单一电源电压和 75ｍＡ下工作 ,适用于家庭ＲＦ ,无线网和ＩＥＥＥ80 2 11。型号为ＳＧＡ - 6388在 1ｄＢ压缩点 ,输出功率为 2 0ｄＢｍ ,输出ＴＯＩ(ｔｈｉｒｄ ｏｒｄｅｒｉｎｔｅｒｃｅｐｔ)点为 36ｄＢｍ ,在 90 0ＭＨｚ下 ,增益为 15 5ｄＢ。ＳＧＡ - 6388的单价为 1 2 1美元高线性、高效SiGe MMIC@一凡… 相似文献
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阐述了采用１．０μｍ ＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋ ＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理，结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＯＭＳ ＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较，推测了技术发展趋势。 相似文献
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日本佳能最近开发了“ＦＰＡ - 5 0 0 0ＥＳｚ” 2 5 6ＭＤＲＡＭ和下一代ＭＰＵ等批量生产用ＫｒＦ准分子激光扫描步进光刻机。本机用于采用 30 0ｍｍ圆片的正规批量生产线。它采用边移动对准线侧和圆片侧的双方工作台、边曝光的扫描方式。依靠搭载新开发的 1/ 4缩小投影光学系统 ,在 2 6ｍｍ× 33ｍｍ口大画面下 ,实现了ＮＡ为 0 6 8。以 0 18μｍ条宽超高分辨率鲜明地将电路图形复印在园片。另外 ,驱动对准线、圆片等两个工作台是采用高速新型马达 ;此外 ,还采用了使投影棱镜和圆片工作台分离的ＶＩＳ方式。由于工作台材料轻 ,减少了… 相似文献
