射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_y高T_c超导薄膜

本文采用射频溅射法研制YBa_2Cu_3O_7高T_c超导薄膜,研究了溅射电压、气流、气压、基片及热处理工艺对超导膜成分、相结构及超导性能的影响,所得到的超导薄膜T_c(R=0)=89K,临界电流密度10~4～10~5A·cm~(-2).     

高温超导材料Bi_(0.8)Pb_(0.2)SrCaCu_2O_(8+x)电阻率及AC磁化率的研究

在高温超导材料BiSrCaCu_2O_x中加入20％铅代替铋后,使超导材料的零电阻温度从82 K提高到102 K,起始超导转变温度约为112 K,晶界对超导材料的超导性能有很大的影响,起始转变温度T_c随外加磁场的变化率在低场范围内约为0.0005 Km/A。     

高T_C的超导材料

<正> 引言超导材料的临界温度 T_c 越高,其效益越大,因此,寻找高 T_c 的超导材抖是人们长期以来梦寐以求的事,经过约七十年的努力,在1973年才制备出铌三锗(Nb_3Ge),其T_c为23.2K,此后十几年几无进展.1986年瑞士科学家 Bednorz 和 Miiller 报导了 La-Ba-Cu-O 系列中可能存在高临界温度超导电性,T_c 终于突破30K.中、美、日等国科学家也在 La-Ba-Cu-O 体系超导体上获得 T_c为52K.最近各国又相继报导了 Y-Ba-Cu-O 体系超导材料,T_c 在90K 以上.本文将简要报导我们制备的 Y-Ba-Cu-O 超导材料的初步实验结果.     

高温超导体的正电子湮没研究(续)

本文在文献的基础上,进一步测量稀土系YBaCu_xO_y在T_c附近的正电子寿命谱,同时测量了成分相同非超导样品,实验结果证实超导寿命谱在T_c附近有跃变发生,伴随无规则振荡现象,至于非超导样品,τ-T曲线形式则无跃变发生.还测量了非稀土系高T_c超导体BiSrCaCu_xO_y在相变温区的正电子寿命谱,也发现在T_c附近有跃变、无规则振荡,但振荡区域比稀土系样品要宽.样品YBaCuO中,Y,Ba,Cu的氧化物按1:2:3配比,以不同的氧含量,得到T_c=90 K的超导样品Ⅰ和非超导样品Ⅱ.样品BiSrCaCu_xO_y中,按配比Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2,以适量氧含量,得到T_c=83 K的超导体Ⅲ,所有样品均为圆片,直径约为15mm,厚为1.5mm.放射源为强度8×10~5Bq的~(20)Na正电子源,衬底为Mylar膜.两片相同的样品夹住正电子源,置于样品架中.测量在空气中进行,测量所用的寿命谱仪为标准的块一块符合系统,对~(60)Co     

影响BiSr_1Ca_1Cu_2O_x及Y_1Ba_2Cu_sO_(7-x)超导相形成的几个重要因素

目前,已有大量不同的所谓高温超导体,其可分为两类。第一类是以La_(2-x)Sr_xCuO_(4-x)为代表,T_c=30～40K,晶体是K_2NiF_4结构;第二类是以YBa_2Cu_3O_(7-x)为代表,T_c=90K左右,晶体是缺氧钙钛矿结构,即所谓“123”结构。新高温超导体都是混合含氧化物,显示出陶瓷的机械和物理性能。新材料性能的关键在于化学键合在一起的铜(Cu)和氧(O)原子构成的原子平面,铜-氧化学键合的特殊性质使得材料在某些方向能很好地传导电流,这与大多数陶瓷为绝缘体形成对照。目前,人们在BiSrCaCuO系中以微量Pb取代部分Sr已可获得160K的高临界温度。作者利用化学纯原料成功地研制出零电阻温度达125K的Bi_1Ca_1Cu_2O_x系超导体和T_c在90K以上的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)高温超导陶瓷。在研制过程中发现Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)超导相的形成过程中,氧环境及退火降温速度对其形成起十分重要的作用,而原料中的微量杂质对其形成不起关键作用;BiSrCaCuO系对微量杂质不敏感,而对退火温度要求甚高。     

铋系陶瓷超导体的制备和陶瓷超导体的可能机制

1 Bi系陶瓷超导体的试制与周期律当1—2—3(Y,Ba_2Cu_3Ox)陶瓷的超导性得到确认以后,为了找到T_c更高,稳定性更好的陶瓷超导物质,人们发现最现实最方便的途径,是根据元素的周期律,用性质比较接近的元素来对1—2—3陶瓷超导体的某些元素做置换实验,据文献报导,用各个稀土元素代替Y元素均可得到高T_c的超导性。     

钇钡铜氧系统单相高T_c超导体的研究

采用固相反应法制样,使用两组初始原料BaO—CUO—Y_2O_3和BaO—Cu_2O—Y_2O_3合成出超导中点转变温度93.6K,零电阻温度92·OK,转变宽度△T_c=1.2K,起始抗磁转变温度92.9K单相陶瓷超导体.讨论了不同烧结条件与物相形成关系等问题.     

Y-Ba-Cu氧化物超导体的磁学特性的研究

用Faraday磁天平研究了77K附近YBCO超导体的磁学性质,表明实验制得的样品类似于第Ⅱ类超导体,并且在转变温度以上遵循Curie-Weiss定律。该样品的T_c为87.4K,转变宽度为3.1K。样品的组成、烧结和冷却条件等对超导特性均有影响。     

B位元素掺杂对Y-Ba-Cu-O系ABO_3化合物超导电性影响的研究

自高T_c氧化物超导陶瓷出现以来,已提出了许多可能与超导电性相关的因素。为探讨这些因素对超导性的影响,对元素掺杂的研究有着重要的意义。按照容许因子公式的要求,我们选择了满足ABO_3化合物中B位要求条件下的过渡族元素,将它们掺入(YBa)CuO_3中时,能部分取代Cu的位置而处于B位上。这样利用B位元素的少量掺杂,可以作为“结构探针”引出与周围O的2P电子、氧缺位及Cu、稀土离子等相互作用信息的变化,有助于对超导微观机理的了解;又因为ABO_3化合物     

i_(2-x)Pb_xS_2Ca_2Cu_3Oy陶瓷的超导电性及显微结构分析

报道用直接烧结和二次烧结工艺制备Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3Oy超导陶瓷,X=0.2,0.3,0.4,0.6,0.7。各样品的Tc(zero)>105K。对样品的显微结构分析表明,只有片状和层状晶粒是超导晶粒;掺Pb对超导相的形成和超导晶粒的生长均有重要-影响;直接烧结工艺有利于Tc(zero)的提高;二次烧结工艺有利于超导晶粒生长和消除杂相。     

淀粉碱化处理对其羧甲基化反应的影响

异丙醇和水的体积比90：10条件下，于40度／1．5h用玉米淀粉和马铃薯淀粉在异丙醇水溶液中进行了制备高取代度，高粘度的羧甲基淀粉醚的比较。     

在anyon模型中空穴的有效吸引作用

在Laughlin等人的anyon模型框架下,确证空穴间的有效吸引作用,并由此产生超导电性。     

豹斑竹芋快速繁殖最佳条件的筛选

试验表明在试管繁殖条件下,豹斑竹芋的快速增殖宜采用改良的 MS 增养基,附加苄基腺嘌呤(BA)4 mg/1,萘乙酸(NAA)0. 5 mg/1,食糖40g/1. 培养中高光强(2. 5-5klx)比低光强(0. 5-0. 8kLx)有利于增殖.苗健壮,根系发达.培养温度以26℃±1℃最有利于芽苗培殖.试验找出了每瓶分注较适当的培养基数量和培养时间以提高出苗效率降低育苗成本.     

非自伴算子代数的上同调群

设H是Hilbert空间,(?)是H上的子空间格且Vφ-只有有限个.当H=V{G:G是(?)的Vφ-生成子} 时.对一切自然数n,得到Hn(M(?),B(H))= 0,其中,(?)是(?)到(?)的格同态.特别地,取(?)为恒等映射时,对完全分配的子空间格(?)有Hn(alg(?),B(H))=0.设A是完全分配的CSL代数,M是任意含A的A- 模,则Hn (A,M)= 0.     

湖北东部菊科植物(续)

31 芙蓉菊属Crossostephium Leur.(77) 芙蓉菊Crossostephium chinense(L.)Makino 武汉:钱重海2828(WH) 栽培。32 大丽花属Dahlia Cav.(78) 大丽花Dahlia pinnata Cav.武汉:梁周贤1152(WH);马元俊42(CCTC);黄仁煌52589(WUBI);大冶:石新文10072(HBMDB);麻城:江熟年443(HBMDB)。栽培。38 菊属Dendranthema Des Moul.(79) 野菊Dendrathema indicum (L.) Des Moul.武汉:马元俊10174(HBMDB);戴伦膺074 (WH);曾宪记344(CCTC);姜钟华无号、24(WUBI);鄂城:金仁龙40071(HBMDB)、474(HGMDB);大冶:1329(CCTC);浠水:毕焕新84394(HBMDB);黄冈:罗治义470;广济:解广雄91(HGMDB);红安:陈桢华33207(HBMDB)、337(HGMDB);687(CCTC):麻城:许水清270、江熟年备注:内容与属性不符     

电镀锌添加剂的研制与应用

本文研制出适于碱性锌酸盐镀液的一种新的镀锌添加剂,该添加剂对镀液性能和镀层质量有较好的影响。     

氯化钙溶液抑制家兔血液凝固机理研究

体外实验,对家兔全血或血浆用8％(0.72M)CaCl_2溶液9∶1做抗凝剂,用常规实验测定了8％CaCl_2抗凝血的可逆性,样本放置不同时间后,37℃,用生理盐水1∶1、1∶1.5、1∶2稀释,测血样凝固时间;凝血酶原时间(PT一期法)实验测外源性凝血系统在样本中的凝血活性;白陶土非特异粘附实验测接触因子或血小板生理活性。结果证明:8％CaCl_2溶液可逆性抑制内源性和外源性凝血系统,对抗凝血系统无显著影响。     

网路的独立方程式

本文尽可能少涉及网路拓扑学的概念,以矩阵的性质对网路的独立方程式给出简要的理论分析。