堇青石红外辐射复相陶瓷的制备与研究

用铁氧体生料和堇青石生料的复合及铁氧体熟料和堇青石熟料的复合,制备了堇青石红外辐射复相陶瓷.用红外辐射测量仪测定了样品的红外辐射率,用XRD分析了样品的物相组成,综合分析了影响红外辐射率的因素,结果表明:复相陶瓷的物相主要为堇青石和铁氧体,和复合前铁氧体的辐射率值相比,复合体陶瓷的全波段红外辐射率和光谱辐射率均得到了一定程度的提高,全波段红外辐射率提高了2%～6%,光谱辐射率提高了1%～7%;全生料和全熟料配方的红外辐射率没有明显的差异;复相陶瓷中,铁氧体含量的提高,并没有提高相应复相陶瓷的红外辐射率.堇青石晶体有序度的高低对复相陶瓷体红外辐射率值的大小没有明显的影响.     

碳化钛－堇青石复相导电型陶瓷结构与红外辐射特性的研究

在高温炉内还原条件下根据固相化学反应理论制备了碳化钛－堇青石导电红外陶瓷样品，其电导率σ为１×１０－１～２×１０－４ｓ／ｃｍ，红外发射率ε≥８６％．对样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＰＲ等结构分析，显示了样品的结构与性能的相关性．研究表明碳化钛－堇青石复相导电型陶瓷材料在红外全波段内有均匀的红外发射率．     

碳化钛—堇青石复相导电型陶瓷结构与红外辐射特性的研究

在高温炉内还原条件下根据固相化学反应理论制备了碳化钛－堇青石导电红外陶瓷样品，其电导率σ为１×１０＾－１～２×１０＾－４ｓ／ｃｍ，红外发射率ε≥８６％。对样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＰＲ等结构分析，显示了样品的结构与性能的相关性。研究表明碳化钛－堇青石复相导电型陶瓷材料在红外全波段内有均匀的红外发射率。     

Ca_(1-x)A_xMnO_3(A=La,Bi)陶瓷的制备和红外辐射性能

采用传统的固相烧结工艺制备得到Ca1-xLaxMnO3(CLMO),Ca1-xBixMnO3(CBMO)(x=0.0～0.2)陶瓷样品,通过XRD和FT-IR对样品进行表征,研究了晶体结构,温度和不同波段下的红外发射率之间的关系。研究结果表明:CLMO和CBMO陶瓷样品具有单一物相。晶格畸变产生了新的红外吸收带。CLMO和CBMO陶瓷在8～14 m波段的红外发射率随着温度的升高而升高,在400℃左右红外发射率发生突变。在3～5 m波段的红外发射率随着温度的升高而缓慢升高。CLMO和CBMO陶瓷样品在8～14 m波段具有作为热控制材料的潜在应用前景。     

固体壁面红外辐射特性的研究

在飞行器红外隐身技术中,研究固体壁面的红外辐射特性十分重要,该红外辐射特性又与法向全发射率和红外辐射光谱的测量密切相关。本文介绍用参比法测量法向全发射率及用光栅单色仪测量红外辐射光谱的实验方法并对测试结果进行分析。     

基于小波神经网络的红外光谱发射率计算方法

红外光谱发射率是战机蒙皮重要的红外隐身参数之一,为消除大气等外界因素对红外辐射特性测试结果的干扰,建立一种基于小波神经网络的目标红外辐射亮度模型,利用这种模型对测试样本进行网络训练,建立3~5 μm 和8~12 μm 波段红外辐射亮度模型,进而计算不同波长下目标的光谱发射率。通过与标准黑体对比,验证所建小波神经网络模型的光谱发射率与黑体实际的光谱发射率相比,最大相对误差约为2%,并将该方法应用于飞机蒙皮的光谱发射率计算。     

Sm~(3+)掺杂Co_(0．6)Zn_(0．4)Ni_(0．8)Fe_(1．2)O_4红外辐射陶瓷材料的研究

用常规固相合成法成功地制备出Sm3 掺杂Co0.6Zn0.4Ni0.8Fe1.2O4红外辐射陶瓷材料,并通过XRD、FT-IR和IRE-2型红外发射率测量仪测试了材料的微观结构,分析了材料的结构特征与红外辐射性能的关系,发现Sm3 的掺杂导致Sm3 以一定的配位形式进入Co0.6Zn0.4Ni0.8Fe1.2O4体系中,并形成了有限置换型固溶体结构.数据分析可知,Sm3 掺杂浓度对材料的红外辐射性能存在一定的影响,样品Sm0.1在全波段的积分发射率为0.74,而在>8μm波段的平均发射率最高值可达0.94.     

红外光源辐射效率分析及其改进

常用红外光源类似灰体辐射源,其辐射的能量仅有部分处于红外大气窗口内,从而极大地影响其应用范围。在分析红外光源的波段辐射功率密度和辐射效率基础上,提出通过控制光源的光谱发射率来提高其辐射功率密度和辐射效率;进一步分析了当前发射率控制的相关方法,利用相关原理初步设计了一种光子晶体薄膜,实现了发射率的波段选择。相关方法和结论对于改进红外光源、提高其波段效能具有指导意义。     

TiO2-ZnO系尖晶石型红外辐射涂料的制备和研究

以Fe2O3-MgO-cordierite体系为基础,用不同质量分数TiO2和ZnO进行掺杂,制得具有高发射率的尖晶石型红外辐射涂料。通过XRD、SEM、红外发射率测试、傅立叶变换红外光谱测试、抗热震性测试等测试方法对所制备的红外辐射涂料的物相、微观形貌、红外发射率和抗热震性能进行分析。结果表明,经高温烧结后生成了ZnFe2O4、TiMg2O4、MgFe2O4尖晶石结构,当TiO2质量分数为10%时,涂料在8～14 m波段的发射率最高达到0.963,并且抗热震性良好。     

热处理对氧化铅红外发射率的影响

在不同温度下对氧化铅进行热处理,并对样品进行了XRD、红外光谱以及红外发射率方面的测试.结果表明:随着热处理温度的升高,样品的晶体结构产生转变,红外发射率先降低后升高,当热处理温度为400℃时最低(3～5μm波段为0.08,8～14μm波段为0.58).经分析后认为热处理后氧化铅的发射率变化是由于其微观晶体结构转变产生的品格振动的变化引起的,当氧化铅晶体结构致密、间隙率小时,红外发射率较低.     

烧结温度对CFO/PMN-PT磁电复合陶瓷性能的影响

采用传统固相法制备了质量比为1∶4的CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3(CFO/PMN-PT)磁电复合陶瓷,研究了烧结温度(900～1100℃)对所制复合陶瓷性能的影响。结果表明,复合陶瓷中尖晶石结构的CFO与钙钛矿结构的PMN-PT共存,没有其他杂相生成,复合陶瓷的密度以及压电常数d33在1000℃时达到最大值,分别为7.07g/cm3和212pC/N。磁电电压系数αE33随烧结温度的增加逐渐增大,在1100℃烧结时达到最大值8.4mV/A,而磁电电压系数αE31随烧结温度的增加先增大后减小,在1000℃烧结时达到最大值4.8mV/A。     

蜂窝陶瓷的应用和进展

叙述了蜂窝陶瓷的世界市场和技术发展趋势 ,指出了酸处理法可以使得堇青石陶瓷的膨胀系数大大降低 ,并达到α≤ 1× 10 - 6 ℃ - 1 的水平。     

CaO掺杂对NiCuZn系铁氧体性能的影响

采用传统陶瓷制备工艺制备了CaO掺杂的低温烧结(Ni0.2Cu0.2Zn0.6)1.02(Fe2O3)0.98(NiCuZn)系铁氧体材料,研究了CaO掺杂量对NiCuZn铁氧体电磁性能和微观结构的影响。结果表明:适量的CaO掺杂可以显著改善NiCuZn铁氧体的烧结性能和微观结构,进而影响其电磁性能。在CaO掺杂量为质量分数0.4%时,经885℃烧结3 h制得的NiCuZn铁氧体内部结构均匀致密并具有最佳的综合电磁性能,其起始磁导率、电阻率和功率损耗分别为354,5.6×1011.cm和214.5 kW/m3,另外,其与Ag电极的共烧匹配性良好。     

Mn-Zn铁氧体掺杂与结构-性能的研究进展

Mn-Zn铁氧体以其高磁导率、低损耗和低矫顽力等特点,在功能器件中具有潜在的应用前景.介绍了基本配方对Mn-Zn铁氧体的相组成及电磁性能的影响,综述了近年来不同添加剂掺杂对Mn-Zn铁氧体材料性能的影响,并就掺杂Mn-Zn铁氧体材料的相组成、结构和磁性能之间的关系进行了讨论,对该领域研究的发展趋势给予了展望.     

Measurement of Low-Loss Dielectric Materials Using Dielectric Rod Resonator

To obtain the complex permittivity of low-loss dielectric materials at 60 GHz, a measurement method is developed. Using a dielectric rod resonator excited by a dielectric waveguide, effective conductivity of conducting plates for short circuiting the resonator is determined. The complex permittivity of the dielectric rod is determined by the resonant frequency and unloaded quality factor of the TE_0m1-mode resonator. Moreover, the complex permittivity of single crystal sapphire, polycrystalline ceramics, and cordierite has been investigated in virtue of numerical simulation. For all the measured specimens in this study, the proposed method is seen to provide much better accuracy for values.     

微波复合介质基片的频率温度特性研究

以PTFE／陶瓷／微纤维等多元材料复合所制成的介质基片,对不同配比组成的复合介质的复介电常数频率、温度特性进行了多点测量,深入探讨了不同频率与温度对相对介电常数、介电损耗的影响机理。     

Cobalt-Based Ferrites Characterization Using Two Different Terahertz Time-Domain Spectrometers

We report an experimental study of the electrical properties of manganese cobalt (MnCo) and nickel cobalt (NiCo) ferrites in the terahertz (THz) frequency band. The study is motivated by the potential of MnCo, NiCo, and other magnetic ceramics for the fabrication of active and passive devices for THz wave communications. Using two different terahertz (THz) time-domain spectroscopy systems, we characterized the optical constants of cobalt ferrites doped with manganese and nickel in the technologically important 0.2–1 THz frequency band. The MnCo and NiCo ferrites investigated in our study exhibit a lower refractive index and absorption coefficient in the 0.2–1 THz frequency band than commercial strontium ferrite. We observed that using different valency ion oxide leads to a sudden change of the refractive index as a function of sample stoichiometries. Our experimental results provide evidence that microwave ferrite technology can be extended to the THz frequency band.     

保温时间对钙钡硼硅复相陶瓷性能的影响

通过对钙钡硼硅玻璃与氧化铝的混合物进行烧结,制备了可用于低温共烧陶瓷基板的硼硅酸盐玻璃/α-Al2O3系复相陶瓷。研究了保温时间对所制复相陶瓷的微观结构、烧结性能和介电性能的影响。结果表明:随着保温时间的延长,所制复相陶瓷的体积密度、吸水率和介电常数先增大后减小,而介质损耗则是先减小后增大。于850℃烧结、保温20 min制得的复相陶瓷的性能最佳,其体积密度为3.12 g.cm–3,吸水率为0.11%,10 MHz下的相对介电常数和介质损耗分别为7.88和1.0×10–3。     

Relationship between spinwave linewidth ?Hk and the effective linewidth ?Heff in ferrites

The spinwave linewidth ?Hk and effective linewidth ?Heff were measured on y.i.g., Ni ferrites and Mg, Mn ferrites, fine-grained and strong-relaxer-doped. It is seen that ?Hkalways increases with ?Heff     

激光冲击波对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

为了研究激光冲击处理对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响,采用Nd:YAG激光器对ZnO压敏陶瓷进行激光冲击处理,利用压敏电阻直流参量仪（CJ1001型）测量材料电学参量和X射线衍射仪、电子扫描显微镜表征相组成及微观形貌,取得了激光冲击处理前后ZnO压敏陶瓷电学性能的实验数据。结果表明,ZnO压敏陶瓷经激光冲击处理后,电位梯度降低了15.6%;非线性系数大幅提高了43.4%;漏电流降低了50%;同时,ZnO压敏陶瓷相组成除高温烧结态(包括ZnO主晶相、Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相以及-Bi2O3相)外,而还出现了新相-Bi2O3相。新相的出现是材料电学性能变化的根本原因。