KNbO3陶瓷的半导化及PTC效应

采用添加钾锗玻璃和掺ＭｏＯ３的方法，制备了ＫＮｂＯ３半导瓷，在此基础上，对ＫＮｂＯ３半导瓷样品进行了电学性能的测试以及样品断面形貌的扫描电镜观察和分析。结果表明，两种方法制备的ＫＮｂＯ３半导瓷样品都在铌酸钾晶体的两个相变点附近出现了ＰＴＣ电阻异常：一个在正交铁电相－－四方铁电相转变处；另一个在四方铁电相－－立方顺电相转变处，而掺ＭｏＯ３制备的半导瓷具有较小这曙电阻率及较大的电阻率反常幅度（ＦＥ－Ｆ     

PTC热敏陶瓷及其应用

PTC热敏陶瓷是一种新型半导体热敏陶瓷。其配方以钛酸钡为主,加入微量的施主掺杂元素,经过混合烧结后,成为具有一定导电能力的半导体陶瓷,再添加少量增强性能的辅助元素,通过二次合理的烧结反应,最后生成PTC热敏陶瓷。     

中温BaTiO_3基PTC热敏陶瓷的研究

通过阻湿特性分析方法，着重研究了中温加热用PTC热敏陶瓷材料的成份、烧结工艺与性能之间的关系，从理论上进行了探讨，同时选出了各种成分配比的最佳烧结工艺。     

施主掺杂PbTiO_3陶瓷的半导化

本文研制了n型半导化的施主掺杂PbTiO_3陶瓷,对其n型化机理进行了探讨,测量了不同温度下铅空位的扩散系数,文中还报道了n型化PbTiO_3陶瓷阻温双峰异常现象。     

工业纯原料制备高性能PTC热敏陶瓷探索

制备高性能PTC热敏陶瓷电阻,一般采用高纯度原料。本文叙述了用工业纯化工原料,在配方和工艺上进行了多方面的探索,制备出了性能良好的PTC样品。     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数，计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的，对实验结果进行了物理本质的初步探讨。     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

高居里点PTC热敏陶瓷材料的研制

BaTiO_3系陶瓷在掺入微量杂质如Nb~(5 ),Y~(3 )等后,就形成半导体,并在居里点(～120℃)附近电阻温度系数由负变正,其阻值迅猛增加,在不大的温度范围内,电阻增大三个数量级以上,这种现象称为PTC效应。研究表明,若用的Pb~(2 )离子去置换Ba~(2 )形成(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3,居里点就向高温(大于120℃)方向移动;若用Sr~(2 )置换Ba~(2 ),形成(Ba_(1-y)Sr_y)TiO_3,居里点就向低温(小于120℃)方向移动。通常称前者为高温PTC材料,后者称为低温PTC材料。PTC热敏材料的制备对配方和工艺的要求都很高,高居里点的制备难度更大,面临加铅后半导化困难和铅在高温下易挥发等一系列问题,作者对含铅35％～45％的半导瓷作了大量实验,找出了半导化剂量的最佳值,摸索出了较为合理的烧结工艺,对控制铅挥发的问题想了一些办法,制备出了室温电阻率低于100Ω·cm,电阻温度系数接近10％的PTC样品。     

贱金属电极与PTC陶瓷相容性的研究

用烧渗法和化学沉积法在冰箱启动用PTC陶瓷上制作了Zn/Cu、Ni—P/Cu和Cu/Ni—P双层贱金属电极,并对它们的电学性能进行了测试.结果表明,Zn/Cu和Ni—P/Cu贱金属电极能较好地满足PTC陶瓷产品的要求,而Cu/Ni—P电极可用来调节PTC陶瓷的室温电阻率.     

BaTiO3陶瓷的PTC效应

对不同掺杂的BaTiO3基陶瓷的电性能、界面形态、氧元素分布特点以及电畴结构等进行研究发现:瓷体半导化速度很快,烧成温度是影响瓷体半导化速度的最重要因素;氧在晶粒晶界的偏析,并且对势垒的形成有重要作用;样品掺杂的元素不同,电畴结构会发生一定变化,畴结构和电阻起跳性存在一定关系.     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

高耐压PTC陶瓷的制作

采用严格的陶瓷制作工艺,选择合适的配方,利用化学纯原料,制了出了不同掺杂的ＰＴＣ陶瓷并进行了比较,得到了耐压值高于２２０Ｖ／ｍｍ的良好的ＰＴＣ陶瓷。     

PTCBaTiO3半导陶瓷介电迟豫特性

实验发现，掺Ｍｎ的ＰＴＣ钛酸钡样品损耗因子在样品的温度高于其居里点后，首先随温度缓慢变化，然后在某一温度处开始增大，其原因是：外场频率ω〈ω１（ε）时，ε１（ω）是ω的增函数，温度增加时，τ迅速下降，故Ｄ增加，由此可知，随着温度增加，Ｄ首先缓慢变化，然后在某一温度处，迅速增加。     

半导陶瓷湿度传感器的阻抗—湿度特性

用二氧化锆、二氧化硅、磷酸和其它掺杂剂制作各种半导瓷湿度传感器。电导的加强是依靠水的吸附和毛细凝聚。随着相对湿度逐步从5％增大到100％,在20℃和1kHz时,阻抗由2×10~8Ω减小到2×10~3Ω。电阻随湿度改变的响应时间在5s以下,为了降低多元氧化物半导瓷的阻抗,研究了多孔瓷体中掺杂纯金属或金属氧化物的效果,对一种最简单的制作半导瓷湿度传感器的方法作了具体介绍。推导了半导瓷湿度传感器的通用的阻抗—湿度特性方程式,并且用以计算一些实际样品的阻抗—湿度特性曲线,获得理论结果同实验测量之间互相一致。     

铬酸钒为基的PTC陶瓷的研究

本文使用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＥＡＳ、ＸＲＤ和电阻率测量技术，研究了工艺参数和加入（Ｃｏ，Ｆｅ２Ｏ３）对ＰＴＣ（Ｖ１－ｘ，Ｃｒｘ）２Ｏ３陶瓷的显微结构和电性能的影响。实验结果表明，为了制造优良性能、高可靠的热敏电阻器，必须精确控制陶瓷组份和工艺。引人象Ｃ。这样的添加物是重要的，它主要以金属形式分布在基体中，同时发现添加物对试样致密度和电性能的影响也是有益的。     

陶瓷与有机PTC热敏电阻高频特性研究

简述了陶瓷PTC热敏电阻和有机PTC热敏电阻的特性，介绍了2类PTC热敏电阻的PTC效应原理，并就2类PTC热敏电阻高频特性结合试验测量结果进行了分析，陶瓷PTCR采用的测试信号频率为10kHz-10MHz，有机PTCR所采用的测试信号频率为10kHz-6GHz，结果表明有机PTCR较陶瓷PTCR有良好的高频过流保护特性，这说明有机PTCR更适合用于高频过流保护。