外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

外刊题录

1.聚酰亚胺薄膜的热性能和腐蚀特性Jap. J. Appl. Phys. pt. l. Vol. 23, No. 3,P. 384, 19842.用过硫酸铵作光致抗蚀剂、去除剂和清洗氧化剂Semiconductor Int., Vol. 7, No. 4,P. 109, 19843.NF_3:一种新的干法腐蚀气体S. S. Technol., Vol. 27, No. 3, P. 172,1984.4.用三甲基镓Ga源MBE生长GaAsJ. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, P. 3163,1984     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6,     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

显示器件文献索引(续)

肠彩色显示用的液晶材料万于一表示用液晶材料向尾昭夫,今朋周治日立郭瑜(日)vol.63,No.J,pp.231~23),ioaz.96.染料与液晶Dyes and Liquid CrystalG .W.GrayDye Pigm(英)Vol.3,No.2/3,PP.203~209,1982.97.液晶显示器用的涂料Dyes for Liquid Crystal DisPlaysE .M Engler,A.C.LoweIBM Teeh Diselosure Bull,Vol.23,No.12,PP.55~ 58,1981,阳.液晶显示器用的黄色染料Yellow Dyes for Liquid Crystal DisPlays.N .J.Cleeak,R J CoxIBM Teeh Diselosure Bull,Vol.23,No.12,PP.5540一 55遵2,1 981.99.宾主型显示器中偶氮…     

外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983     

红外成象技术专题题录索引(二)

1.中程空空导弹的多传感器导引头Multise仍or seeker for medium range air--to一ir而ssiles,D.V.Satish Chandra,SPIEVol.1306,1990,P.1802.自动成象红外导引头性能的评估系统Automated imaging infrared seeker perform-ance evaluatfon system,James.T.Ffournoy,Elisa R.Towry,Nancy 5.DeeP,SPIE Vol.1311,1990,P.Z121宾实地形的长、短波红外图象之间的相关性Correlation between images in the LW】R andSWIR of natura]grou耐terrai扶E.Agassi,K .wilner,N.Benyosef, SPIE Vol.1442,P.1264.一种商分辨率的机载多传…     

文献索引

(共八十二篇)仁1〕直波微波相位爵(英文) H .A.Dropkm IRE工n七er.Conv.Ree.,Pt.1,pP.143~147, 1058.〔2]精确的微波相移测量(英文) M .Magid IRE Trans.onl,Vo!.17,No.3一4, pp.321一331,1958. 泽文见“电子学泽丛”第从期,第49~57页。〔3]甚高须和超高缓振幅及相位的测量方法 (英文) G .D.Mozlteath,D.J Wllythe,K.W.T. Hughes PIEE,Vol.107,Pt.B,No.32,pP.150一154, 1960〔4〕超高镇速精波或脉冲波精密相位酚(英 文) R .T.Stevens E legtz、onies,Vol,33,No.10,pP.54一57, 1960.t6」微波频率相对相移的测量(英文) C .…     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

目标背景研究专题题录介绍

1.Infrared Simulation Model SENSAT-2红外模拟模型 SENSAT-2《Appl.Opt.》1987,V.26,N.12,pp.2376～2382.2.High Speed Infrared Radiome(?)er 高速红外辐射计《JOSA》1959,V.49,N.2,p.179.3.Spectral Radiation of Sky and Terrain at Wavelength between 1 and 20 Micron 波长在1～20μm 的天空光谱辐射《JOSA》1960,V.50,N.12.PP.1308～8～1320.4.Re-Entry Radiation From A IRBM 中程弹道导弹再入辐射《IRE.Trans.on Millitary Electronics》1961.Vol.Mil-5,N,1,pp.19～25.     

国外资料索引

一、激光技术 一07 .d:丫A。滋光材料中受热引妞的造幼作用 T比rmal Iensing in Nd:YAG laser洲x], w .Koechner,Appl.Optics,vol.9 no.11,PP. 2548一2553,Ndy.1970. 在光泵的作用下,Nd.YAG棒成为具有两个聚焦长度的正性透镜。 .08接路甸Al几离.能滋光材料 Chrom泛um do,刃GdA10:high energy stora小laser roaterlal,R.C.Ohlr口ann and R .Majelsky,US Pat.3550033. ,09“千冷”的离功卒忆铝石描石滋光研究 In search ofa,elean,high power vAG, J .D.F佣ter and L.M.Osterink,J.APPI. Phys.,vol.41,p.3656,A昭.1970. 研…     

索引

6.阴极镍钨镁基底奴化物阴极科技文献出版社1978,11月.8而粗化物阴极基金属镍钨钙合金科技文献出版社1978,8.14页柿一钨阴极逸出功的测t南京工学院1978,9,12页含有级化社非渗碳的钨丝的激活Unearburized thoriated tungsten filanzent activationEdwards D.Jr.J .Vae.Sei.Teehnol.,Vol.15,场1,p.128,2978.电子器件中电子发射源的反轰击系数The baek一五om五ardment eoeffieiento王emissio泣50- urees in eloetron devieosHennel J.WolskiWBull.Aead.Pol.Sei.Sear.Sei.Teeh.(Pol),Vol.26, 汤3,P .69~73,1978.Gap负电子亲和冷阴极G…     

BUTTERFLY扬声器系统产品

1 Hi-Pack C.D.H.483高频部分--D.P.R.W.G波导结构 Hi-Pack C.D.H.483作为Butterfly--蝴蝶系统的重要组成之一,其轻巧紧凑,质量仅为35 kg,适合流动演出,其主要负责对中低频、中频和高频部分的还原演绎.     

扫频技术资料索引

1.hp微波反射计 J .K.H、Intoi一and N.L.PaPI,as He、v lett一Paek盯d J.vol.6,sePtember一oetobe了,1954.2。比值计 N .L PaPPas IEEE Trans 011 Instrumel一tation,Vol.PG卜3,PP·25一触,APri],1954.3.自动显示有反射系数的波导阻抗计 H .L.Baehmal- IRE Tra才15 on MTT,Vo].MTT一3,PP·22一30,Januar了,1955.4.高频宽带反射计 R .T.Adans and A.Hor7atl- Elee.eommurl.,Vol.32一PP.118一125,June,1955.5.微波自动增盆控制系统 JorgenP·villding Trans.IRE,Vol.MTT一4,P.244.1956. 6.高频下小反射的幅度和…     

国际光学工程学会会议录馆藏新书目

机器视觉的应用.结构及综合系统Ⅳ=Machine vision applications,architectures,and systemsintegrationIV∥Proc.SPIE.-1995,V.2597.-326工业检验和计量用的三维非常规成像=Three-dimensional and unconventional imaging for in-dustrial inspection and metrology∥Proc.SPIE.-1996,V.2599.-420精密塑料光学的设计.加工和应用=Design,fabrication,and applications of precision plasticoptics∥Proc.SPIE.-1995,V.2600.-194     

激光损伤

001滋光摸结构对石英损伤的影晌 V G.Draggoo et al,Effeets of laser modestructure on damage in Quartz,IEEE J.Of Qu-ant.Eleetron.,Vol.QE一8,Feb.1972.Portl,pp.54一57. 002增退膜的激光感应损伤 R .R.Austin et al.,Laser indueed damage ofantirefleetion eoatings,Appl.Opties,Vol.12,Ma-reh 1972,pp.695一59了。 003滋光辐射对透明介质的破坏程度 1 .A Fersman et al.,Stages of surfaee fraetu-re of a transparent dieleetrie during laser irra-diation,KVANTOVAIA ELEKTRONIKA,No.3,1971sPP.61一66. 00…