非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了一种新的热绝缘材料,并将该材料应用到了非制冷红外探测器中,实际制备了探测器单元,对该材料的热绝缘能力进行了验证。     

非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标，对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析，分析表明，提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足，提出了一种新的热绝缘材料，并将该材料应用到了非制冷红外探测器中，实际制备了探测器单元，对该材料的热绝缘能力进行了验证。     

用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a2SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。     

基于导电聚合物的非制冷辐射热探测技术研究

非制冷辐射热探测技术的发展使在室温下进行红外探测成为可能,目前的热探测一般采用无机材料.探讨了导电聚合物聚乙烯二氧噻吩:聚对苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为非制冷辐射热探测器敏感材料的可行性,研究了其热敏特性和红外吸收特性,制备了PEDOT:PSS自支撑悬空微桥单元,并进行了初步测试,在室温下,预计该热探测器响应时间约为12ms,探测度D*可达3×1010cm·Hz1/2·W-1,在响应时间与无机材料热探测器相当的情况下,探测度高一个量级以上.     

非晶YBCO薄膜热释电红外探测器

介绍了非晶YBCO薄膜用作非制冷热释电红外探测器材料。它在室温下显示出强的热释电行为,并且容易在室温下采用射频磁控溅射法沉积,制备工艺与CMOS工艺相兼容,是 一种很有潜力的热释电探测器材料。并介绍了非晶YBCO热释电薄膜的研究现状,阐述了该薄膜及其探测器的制备技术和研究动向。     

非制冷型热释电薄膜红外探测器的制备及应用

介绍了室温非制冷型热释电薄膜红外探测器的原理和优势。从热释电材料的选择及器件的结构设计等方面阐述了热释电薄膜红外探测器的制备技术和研究动向,并归纳了器件的主要应用领域。     

光导型测辐射热计红外探测器

本发明提供一种光导型测辐射热计红外探测器。这种红外探测器是用一种电阻会随入射红外辐射的光激发和热激发而变化的探测器材料制作的。对于这种探测器材料来说，由光激发和热激发引起的电阻变化是叠加的。该探测器材料悬置在衬底上面，它与衬底之间的间隙为入射辐射的四分之一波长，     

长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性

从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.     

室温红外探测器研究与进展

简要概述了室温红外探测器技术的最新研究现状,首先根据工作机理的不同对红外探测器进行了分类,详细阐述了室温红外探测器的优点所在;接着在给出了室温红外探测器典型结构的基础上,对这些典型结构进行了比较和讨论;给出了最近出现的几种新型探测器,介绍了其工作原理、制作工艺和主要性能指标;最后对室温红外探测器的发展方向进行了预测。     

非致冷红外焦平面阵列研究进展

主要介绍了在室温下工作的红外焦平面的研究进展。非致冷红外焦平面阵列的研制主要分为两大类，即热释电焦平面阵列以及测辐射热红外焦平面阵列。文中较为详细地介绍这两种探测器的材料及结构，并给出国外对这两种探测器结构研究的最新发展趋势     

热释电探测器光谱响应的改善

热释电探测器是一种室温宽光谱响应的红外探测器。它在分析仪器中有广泛的应用。获得宽光谱响应的常规方法是在光敏面内涂敷金黑等吸收系数高的材料。由于金黑吸收系数与波长成反比,为了提高长波吸收率,金黑的厚度必须很厚,这无疑会大大减小响应率。本文从Siberg推导的金属—透明介质—金属夹层结构的吸收率公式求得使吸收率与波     

晶体HgCdTe

晶体HgCdTe材料主要应用于高速成像列阵和红外探测器。尤其受到红外探测器的欢迎,因为它具有宽可调直接禁带和出色的电学特性,以及高吸收效率和中等的热膨胀。     

多频谱激光接收机

红外辐射探测器通常用于某个频带范围。通常它是中红外（３～５μｍ）和远红外（８～１４μｍ）频段的一个大气窗口范围。另一重要情况是单色激光辐射探测。同时还要求探测器在宽频谱范围内具有预期的灵敏度特性。此类需要之一是激光告警探测器。这种探测器在宽频谱范围（包括从０．６到１１μｍ波长）必须灵敏。该宽频带范围易于用非选择性热探测器得到。令人遗憾的是热探测器响应速度慢、灵敏度不太高。非致冷光探测器的响应速度通常非常快。从原理上讲,每种具有长波灵敏度极限λＣＯ的光探测器还表现出对较短波长辐射灵敏。然而,其灵敏…     

非致冷红外焦平面阵列研究进展

主要介绍了在室温下工作的红外焦平面的研究进展，非致冷红外焦平面阵列的研制主要分两大类，即热释电焦平面阵列以是辐射热红外焦平面阵列，文中较为详细地介绍这两种探测器的材料及结构，并给出国外对这两咎探测器结构研究的最新发展趋势。     

硅基非致冷混合式焦平面探测器阵列研究

本文报道一种32×48元高灵敏非致冷混合式焦平面探测器厚膜阵列.提出了一种采用掺杂钛酸锶钡厚膜作为敏感材料的硅基微机械加工电容式红外探测器像元结构,对其工作原理、器件性能优化设计与制作工艺流程进行了分析,得出了优化的结构参数.分析了影响器件性能的关键因素,给出了器件所用铁电材料的基本物理和电学特性参数以及器件的热隔离技术和相应参数.本结构的像元电容值增量接近相同敏感面的体材料红外探测器,减小了像元与衬底电极引线的寄生电容.采用这种结构的红外探测器阵列对电路的精度要求低,便于研制集成电路.该红外探测器阵列结构的设计思路,符合大阵列红外焦平面像元结构设计的发展趋势,为开展非致冷红外焦平面阵列探测器研究奠定了基础.     

基于PMN-PT单晶的双通道热释电红外气体探测器

锰离子掺杂铌镁酸铅-钛酸铅(Mn:Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃, Mn:PMN-PT)弛豫铁电单晶在近、中红外波段具有较高的光透过率。通过在其表面上沉积具有宽光谱平坦吸收特性的红外吸收层,制备了热释电红外响应元。对该材料吸收红外辐射后产生的温度差以及热释电电流随频率的变化进行了模拟。讨论了电压模式热释电探测器的响应特性及其影响因素。进一步制备了基于Mn:PMN-PT单晶的双通道补偿型热释电红外探测器。经实验得到的频率响应结果与模拟数据吻合,因此该探测器适用于基于非分散红外(Non-Dispersive Infrared, NDIR)原理的气体探测。     

短波红外探测器的发展与应用（特邀）

短波红外波段作为“大气透过窗口”之一,探测器工作在该波段能获得目标更多的辐射能量。另外,短波红外对近室温目标的探测成像类似于可见光的反射式成像,一方面拥有中长波红外探测缺少的细节分辨能力,另一方面具有穿透烟雾进行成像等可见光探测不具备的能力。随着短波红外探测器在军事、民用领域的广泛应用,对短波红外探测器的性能、成本提出了更高的要求,InGaAs探测器由于高达约70%~90%的量子效率、室温下约8000 cm2/(V·s)的高迁移率,以及高灵敏度、高速响应、低成本的应用优势,是目前短波红外探测器的最佳选择。为了进一步扩展波长、提高分辨率、降低成本,发展了基于II类超晶格、胶体量子点、硅基材料等新材料和新工艺的短波红外探测器。文中对美国、法国、以色列、中国等国内外短波红外探测器的发展现状进行了归纳整理,对有关短波红外探测器的新材料和新工艺进行了报道,最后探讨分析了短波红外探测器的未来发展趋势。     

磁控溅射法制备氧化钒薄膜的研究

主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.     

长波量子阱红外探测器材料技术研究

针对红外探测应用开展了长波GaAs/AlGaAs量子阱材料技术研究。系统地介绍了量子阱红外探测器材料的材料设计、生长和表征。基于一维薛定谔方程的求解获得量子阱材料的能带结构,进行量子阱材料的设计。采用分子束外延技术进行量子阱材料的生长研究。对量子阱材料的室温光荧光谱和高分辨率X射线衍射测试结果表现出材料高度晶格完整性以及平整界面。基于布鲁斯特角配置的傅立叶红外光谱测试获得了量子阱材料子带间跃迁吸收产生的红外吸收谱。采用该材料制备出高性能的量子阱红外焦平面探测器。     

新型电极结构热释电红外探测器性能分析

一、引言利用铁电晶体热释电效应制成的红外探测器,由于在室温下工作以及宽光谱响应,比其他热探测器的响应快而得到广泛的应用。探测器有两种不同的电极结构形式,即面电极和边电极结构,见图1(a)和(b)。常用的是面电极结构。当用来探测快速调制的红外辐射时,边电极探测器较为有利。这两种电极结构的共同点是电极平面和晶体的极化轴垂直。当