GOT门极横向电阻值测定与关断能力

提出了ＧＴＯ的门极等值电阻问题，论述了它的测定依据。提出了ＧＴＯ门极横向电阻的测试方法，并给出了测试结果。阐述了门极横向电阻与ＧＴＯ关断能力的关系。     

门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证

分析了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）在关断过程中出现再导通现象的机理。通过试验证明了再导通现象的存在，同时验证了在高温下，再导通ＧＴＯ的阻断电压远低于规定结温下的阻断电压。     

利用实测GTO阳极电流波形设计逆变器缓冲电路

缓冲电路参数值对ＧＴＯ的关断性能及整个ＧＴＯ逆变器的工作性能起着至关重要的作用。本通过对ＧＴＯ关断过程中阳极电流与阳极电压波形的分析,提出一种以“综合指标”作为目标函数的缓冲电路参数寻优方案,可根据对ＧＴＯ装置性能的具体要求确定ＧＴＯ缓冲电路元件的最佳参数。     

关断过程中GTO正向阻断结失效机理的研究

本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理，在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时极峰值功耗，阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效，从器件内部载流子的输运规律出发，作者阐述了这三个极限参数引起ＧＴＯ失效的机理，建立了三种不同的失效模式；首次研究了ＧＴＯ关断过程中下降时间内瞬地峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。     

IGCT和IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的关断性能,并导致了集成门极换向型晶闸管（ＩＧＣＴ）的出现。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用新技术集成了硬驱动门极驱动电路及反并联二析管。使器件不需关断吸收电路、可靠性更高、工作频率更高、易于串联工作．电子注入增强门极晶体管（ＩＥＧＴ）是东芝公司于１９９３年开发出的一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的将逐步取代ＧＴＯ广泛应用于中等电压大容量变流器中,文中简要地介绍了ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的基本结构、工作原理、性能比较,以及在静止补偿器和逆变器中的应用情况。     

可关断晶闸管在60kVA变频电源中的应用

着重阐述了可关断晶闸管用于变频电源的技术原理及设计考虑，并提供了实测门极和阳极波形，给出了设计方法。     

可关断晶闸管无破坏测试模糊专家系统的研究

应用专家系统理论和模糊理论建立了可关断晶闸管（ＧＴＯ）无破坏测试模糊专家系统（ＧＴＯ ＮＤＴＦＥＳ）。ＧＴＯ ＮＤＴＦＥＳ主要具有两种功能：测试ＧＴＯ的最大可关断阳极电流ＩＡＴＯ和判断ＧＴＯ的性能优劣。为了表达“ＧＴＯ临近其关断极限”这一模糊概念,文章首次提出了“安全隶属度”的概念,并提出了用特征量的当量值变化的拟合曲线以确定安全隶属度垢模糊推理方法。提出了用极小－极大法则进行了模糊推理以评价ＧＴ     

采用GTO的新型静止无功发生器

大功率门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的出现使得新型静止无功发生器（ＡＳＶＧ）进入实用阶段，在这种情形下，河南电力局与清华大学决定联合研制２０ＭｖａｒＧＴＯ新型无功发生器，为进行机理研究，一台３００ｋｖａｒ的中间试验样机已于１９９５年７月并网运行，文中分析了由１８脉冲电压型ＧＴＯ逆变器构成的该新型无功发生器的原理及主要结构，并给出了试验结果。     

GTO拖尾电流及其对关断性能的影响

本文系统的阐述了ＧＴＯ拖尾电流的产生机理、组成、性质及特点，给出了ＧＴＯ在拖尾阶段的等效电路。在实验印证的基础上，作者首次逐段分析了关断过程中位移电流变化对拖尾电流的影响，论述了拖尾电流、拖尾损耗对ＧＴＯ关断性能的影响，并对由于拖尾损耗过大引起ＧＴＯ再导通现象的机理给予了说明     

新型功率器件（IGCT）的工作原理及其设计技术

阐述了新型功率半导体器件－－集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（ＩｎｊｔｅｇｒａｔｅｄＧａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具ＧＴＯ爱损耗低和ＩＧＢＴ关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。     

±20MVar静止无功发生器（ASVG）的研制

介绍国内第一台用于工业运行的基本大功率门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）电压源逆变器的先进静止无功发生器（ＡＳＶＧ）。该装置由清华大学和河南省电力工业局联合研制,于１９９９年３月并网运行。     

大容量门极可关断晶闸管变频器的技术分析

对大容量门极可关断晶闸管（GTO）变频器系统的电路结构和能良好保持各单元变频器间电流平衡的多重化脉宽调制（PWM）控制方法进行了分析。采用多重化和PWM控制后,不仅增大了装置容量,而且改善了输出电压波形,大幅度降低了高次谐波;与交一交变频器系统相比具有同等以上的指标,同时实现了电源电流的正弦化和电源的高功率因数运行。该系统在轧机主传动等各个领域中有着广阔的应用前景。     

三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究

针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对MOSFET的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡。分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡。     

自关断器件厚膜保护电路的研制

采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺，研制出适合ＧＴＲ、ＧＴＯ等自关断器件用的ＨＬ系列过流保护厚膜电路模块，本文给出了保护电路模块的原理、电路参数及使用方法。     

自关断器件厚膜驱动电路的研制

采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺研制出适合ＧＴＲ，ＧＴＯ，ＩＧＢＴ等自关断器件用的ＨＬ系列厚膜驱动电路模块。本文给出驱动电路模块的原理，电路参数及使用方法。     

浅谈门极可关断(GTO)晶闸管的"硬驱动"技术

文章介绍了门极可关断GTO晶闸管的“硬驱动”技术之优点，分析了“硬驱动”技术作用下GTO晶闸管的工作特点，剖析了“硬驱动”条件下GTO的关断波形，给出了“硬驱动”门极电路的典型结构。     

拖尾时间内GTO的关断特性

从ＧＴＯ的内部工作机理入手，结合外电路特性，研究了拖尾电流及其对关断性能的影响。给出了一种识别Ｊ３结反向雪崩击穿的新方法。     

GTO门控电路及其电压型变频器

介绍一小容量ＧＴＯ门极驱动电路和带零矢量分割，磁通轨迹ＰＷＭ法控制的ＧＴＯ电压型变频器。控制系统用两片８０９８单片机，并采用实时计算法。该变频器的试验令人满意。     

电子辐照对IGBT关断和通态特性的影响

分析了ＩＧＢＴ关断电流断形。指出ＩＧＢＴ的电流下降波形由迅速消失的ＭＯＳＦＥＴ电流和基区载流子复合引起的指数衰减电流两部分组成。给出了电流下降波形与基区电子辐照剂量的关系及关断时间与通态压降的折衷关系。     

中国首届电子电源及功率自关断器件应用技术研讨会征文

几年来,我国在电子电源开发及功率自关断器件（ＧＴＲ、ＧＴＯ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＭＣＴ、ＳＩＴＨ、ＳＩＴ等）的应用技术（包括驱动、保护及控制）领域取得了长足的进步,但与发达国家相比,我国在此方面还有较大差距,还存在着国驱动或保护线路的不成熟而引起烧器件的严重问题,但应看到国内在高校或科研单位已取得了成熟的研究成果。为推动该领域应用技术的发展及相关技术的进步和应用,中国电工技术学会电力电子学会、中国电源学会特种电源专业委员会、中国电源学会特种电源咨询培训服务中心、《电工技术学报》和《电工技术杂…