半导体器件工艺用的气体

硅集成电路制作用的气体 表1给出的气体,是硅IC芯片制作工艺用的主要气体。这些气体有的富有反应性,有的毒性强烈。因此,应充分掌握这些气体的性质,一旦使用不当,就将发生意想不到的事故.从半导体工厂以前发生事故的事例中得知,由气体引起的事故,虽然比酸、溶剂剂发生的次数要少,但却存在着寄生大事故的危险性。 气体的性质     

半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法

因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求,激光模拟辐射电离效应方法应运而生,并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置,激光模拟方法具有许多独特优势,可为深入认识半导体器件辐射效应,开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段,其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理,归纳了激光模拟的物理基础和主要特点,总结了国内外发展的情况,深入分析了当前研究存在的问题,并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。     

半导体器件模拟技术的研究

主要介绍了半导体器件模拟中常用的HD模型与DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例，简要说明了如何在三角网络上离散化方程。同时，介绍了几种求解非线形方程组常用的数值方法。     

半导体器件辐射效应研究

在回顾半导体器件辐射效应取得丰富研究成果的基础上,介绍近年来半导体辐射效应研究的一些动向,其中包括航空及地面环境的单粒子效应、综合辐射环境下的辐射效应、化合物半导体器件的单粒子效应、光电器件的辐射效应、功率半导体器件的辐射效应、绝缘体上硅(SOI)CMOS集成电路的辐射效应及混合信号电路辐射加固设计技术,给出了一些典型的研究结果,并指出在这些效应方面应该继续研究的方向。     

半导体器件实用保护技术

在现实环境中，电子产品容易受到雷电损伤、静电放电损伤、电源快速瞬变损伤、感应负载开关损伤和交流电源涨落损伤等。采用何种方法保护电子产品免受上述损伤，是实用保护技术的研究课题。传统的保护方法是用气体放电管、金属氧化物变阻器和保险熔断器进行保护。除此之外...     

半导体器件的发展动态

本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。     

半导体器件可靠性试验的计算机控制

介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程，详细探讨了系统控制原理和软件设计思想，给出了主要程序框图及测试实例，说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。     

微电子封装业和微电子封装设备

介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。     

SiC器件与电路的若干关键技术

SiC器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中,SiC已经成为进一步提高性能的理想材料。但是,在SiC器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前,晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了SiC技术的最新进展情况。     

半导体器件钝化膜应力的测量研究

作者建立了一套激光反射法薄膜应力测量装置。经分析得到其测量相对误差小于10％,灵敏度为1.8×10~8dyn/cm~2。利用该装置测量了常用的PECVD SiN和SiO_2钝化膜的应力,它们均呈压应力,数值分别为1～3×10~(10)dyn/cm~2和1～2×10~9dyn/cm~2。给出了不同的工艺条件、薄膜厚度和测试温度下的应力以及退火处理对应力的影响。     

半导体器件金属化与接触可靠性的改善

描述了目前采用的界面效应合金效应，覆盖效应和回流效应等四种提高半导体器件金属化和接触可靠性的方法及其特点。介绍了最新研究成果，展望了其应用前景。     

半导体功率器件热膨胀特性的全息干涉测试

采用全息干涉技术对半导体功率器件通电运行中的热变形进行了研究,测量了器件的离面位移分布及其弯曲挠度。通过改变功率数值或对样品的装配条件,探索功率、工作条件、夹持应力等因素对器件及芯片区域变形产生的影响;对器件的变形模式及其现象的因果关系进行了分析和讨论。     

半导体蓝光

叙述了当前以ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的崛起。ＧａＮ因其优良的特性而被用于制造蓝色发光二极管和激光二极管,引起了世界蓝光热。它的研究不仅是高技术的前沿课题,而且是具有巨大市场前景的技术经济竞争领域。蓝色发光二极管和激光器在全色动态显示、固体照明光源、交通信号灯、汽车尾灯、光盘信息贮存以及深海通信等领域都有广阔应用前景。     

高压半导体器件电场的二维数值分析

利用作者们开发的有限元二维分析程序对高压半导体器件的电场分布进行了模拟分析.给出了这类器件中有离子注入、场板和栅极延伸等终端结构时的电场分布;根据模拟结果得出突变平面结表面电场的近似公式,将此公式与圆柱坐标对称解和计算机模拟结果进行了比较.