I^2C总线彩电存储器数据拷贝技术及故障检修实例

存储器数据拷见(复制)法就是将相同型号正常彩电存储器中的I^2C总线数据利用存储器数据拷贝机拷贝到一块空白存储嚣中。这样，原来空白的存储器中就保存了与相同型号正常彩电存储器中完全棚同的总线数据。将拷贝好数据的存储器更换到故障机上，就可排除故障机的部分软件故障。     

构成大容量非易失性SRAM方法分析

分析了静态存储器的待机节电模式，介绍了构成非易失性SRAM两种方法：一是利用非易失性RAM控制器和静态存储器构成NVSRAM，二是利用继电器和静态存储器构成NVSRAM。     

相变存储器浅谈

非易失性存储器在日常生活中起着重要作用，它断电后可以继续保存数据。存储器也朝着更小、更快、低功耗的方向发展。而相变存储器（phasP—change Memory，PCM）由于其高密度、低功耗、工艺兼容等特点，引起了广泛的注意。本文简单地对相变存储器介绍和说明。     

负载仿真控制器的存储器扩展技术

80C196KC是Intel公司生产的CHMOS高性能低功耗16位单片机。本文主要介绍了它的主要性能特点，讨论了其在存储器扩展方面的设计方法，并结合负载仿真控制器的系统应用，给出了程序存储器、数据存储器扩展系统图和相应的控制电路图。     

TrueFFS原理及其在Flash存储器上的应用

作为嵌入式领域应用最为广泛的存储设备，Flash存储器具有高密度和良好的存取速度等优点。介绍了专为Flash存储器提供统一接口的TrueFFS的结构和工作原理，并给出了在NOR Flash上的具体实现过程。通过结合VxWorks的dosFS文件系统，实现了对Flash存储器的实时读写。     

两通道高速数据采集系统

介绍一种插于ＰＣ机上的高速两通道数据采集系统，该系统可用于两路信号的相关分析，采样速度档可调，分别为６ＭＨｚ、３ＭＨｚ、１．５ＭＨｚ和０．７５ＭＨｚ，以适用不同频率的信号，使用了数据存储器与计算机复用存储器技术，计算机可立即对所采集的数据进行处理，免去了数据传送的过程，大大节省了计算机ＣＰＵ的时间，使用了存储器页面管理虚存技术，解决了大数据量存储器问题。本电路已成功用于两路高速光信号相关运算设备中     

单片机存储器系统设计中的若干问题研究

存储器系统的设计在单片机应用系统的设计中是一个重要的内容。本文就单片机存储器系统设计中使用多片容量不同的存储器芯片的地址译码问题进行了讨论，对实际可能遇到的一些特定情况的设计问题给出了可行的解决方案，这些方案具有实用价值。     

话说数字卫星接收机中的存储器

在许多数字卫星接收机中，都采用了好几种型号和功能各异的存储器，给维修带来一定难度，这些存储器一般可分为以下三种。     

手机存储芯片逐个看

手机存储芯片是指程序存储器和数据存储器，其中程序存储器又包括字库(FLASH ROM)和码片(EEPROM)，数据存储器是指暂存器(SRAM)。     

单片机系统大容量存储器扩展技术

对单片机应用系统中大容量存储器的扩展技术进行了深入的研究，着重论述了存储地址的无冲突设计和基本／扩展存储器间数据线的隔离问题。     

CES中不同绕制拓扑松耦合旋转励磁变压器性能及分析

针对混合动力汽车用同步电机,其内部的电刷和滑环带来电接触的劣势不可避免.本文提出一种新型励磁系统,它无需电刷和滑环,称为非接触励磁系统(CES).相对旋转部分和相对静止部分同时存在于变压器中.设计毗连型和嵌套型两种针对CES的变压器绕制拓扑进行研究.通过模型建立确定了两种拓扑的最优工作气隙.毗连型和嵌套型绕制拓扑均可以...     

AT29C040A闪速存储器及其应用

ＡＴ２９Ｃ０４０ＡＪ ＡＴＭＥＬ公司生产的４Ｍ位闪速存储器,它具有使用单一电有不需要进行擦除、扇区（块）编程等许多优点。本文详细讨论了其特点,读、写方法,并给出了它与ＡＴ８９Ｃ５１的接口电路。     

基于智能控制器的非易失性存储器的设计研究

研究了断路器智能控制器的非易失性存储器的设计方法。在分析比较了3种常用的非易失性存储器优缺点的基础上,根据其功能和性价比进行存储器选型。通过加去耦电容、CRC校验和适当的读写方式进行非易失性存储器写保护、可靠性和延长寿命的设计。该项研究有助于提高智能控制器可靠性。     

A novel cell and array architecture for fet-type Ferroelectric nonvolatile memories

Abstract

A novel cell using a depletion type Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET (MFSFET) as storage device is proposed. Its operations are based on a Metal/Ferroelectric/N-Si/P-Si (MFNP) structure. Read and write disturbance can be avoided in an array of such cells. The basic operations of device have been simulated.     

超高频无源标签芯片测试方法研究

目的是完成超高频无源标签芯片测试中的步骤、条件、影响因素和注意事项的标准化工作，为相关标准引入国军标的决策提供支撑。通过调研国内超高频无源标签芯片的需求和研制现状，汇总分析目前国军标中标签芯片的性能评价试验要求。会同国内主要的标签芯片设计厂家研究标签芯片性能的测试方法，进而形成了《超高频无源标签芯片测试方法（草案）》的标准文本，并基于此标准草案组织了国内首次超高频无源标签芯片的比对测试。测试结果表明，目前国内自主研制的超高频无源标签芯片读灵敏度在高低温条件下可以做到小于-13 dBm，写灵敏度小于-11 dBm，最大工作功率大于20 dBm，与国际主流芯片的指标仍存在提高的空间。通过对测试结果的分析，认为制定的测试方法基本可以全面反映芯片的性能，可以作为一种标准方法加以固化，供设计、生产、应用单位加以使用。     

配电网调度监测数据的多线程集群共享内存折叠压缩方法

针对配电网中数据指数增长造成的读写时延越来越长的问题,提出一种多线程集群共享内存折叠压缩新方法。将数据结构扁平化处理融入于数据压缩之中,通过启用内存折叠方法,在写入内存过程中消除数据冗余,改变数据结构,减少刷新到磁盘的次数,同时缓解磁盘块缓存的压力,从而提高对数据的读写性能,以千万条数据记录的某动车段10kV配电网远动调度监控系统实测数据为例,搭建4个节点测试集群,进行集群内存压缩导入延时测试与读写性能测试。实验结果表明,启用内存压缩能优化内存结构,提升调度监测数据库的读写性能。     

Free electron laser induced forward transfer method of biomaterial for marking

Biomaterial, such as chitosan and poly lactic acid, containing a fluorescence agent was deposited onto biologic hard tissue, such as teeth, the claws of dogs or cats, or a sapphire substrate by free electron laser induced forward transfer method for direct write marking. Spin‐coated biomaterial with the fluorescence agent Rhodamin 6G or zinc phthalocyanine target on a sapphire plate was ablated by a free electron laser (resonance absorption wavelength of biomaterial: 3380 nm). In particular, the influence of the spin‐coating film‐forming temperature on hardness and adhesion strength of the biomaterial is studied. The effect of resonance excitation of the biomaterial target by turning the free electron laser is discussed with respect to damage in terms of biomaterial, rhodamin‐6G, or zinc phthalocyanine for direct write marking. © 2008 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 165(4): 60–66, 2008; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.20795     

步进电机超主分辨率细分控制函数发生器的设计与实现

在步进电机16位超高分辨率细分驱动系统设计中,采用“电流矢量恒幅均匀旋转”细分方法,对细分控制函数发生器EPROM中的数据进行固化,选用2片DAC0832八位D／A转换器和1片OP07高精度运算放大器,构成16位D／A转换器,复现了固化数据,达到了良好的设计效果。     

A nonvolatile single ferro fet memory concept with disturbance free operation scheme

Abstract

A novel AND-type ferroelectric field effect transistor memory concept for solid state mass storage applications is described. Disturbance problems caused by disturbance pulses between adjacent memory cells are prevented by device improvements and by choosing appropriate programming and read voltages.

The memory array presented here uses global source lines each of which is connected to its own sense amplifier. Disturbance free and fully functional operation of the memory concept has been demonstrated by circuit simulations. The results of the simulations yield a data access time comparable to DRAMs.     

A data aware 9T static random access memory cell for low power consumption and improved stability

Reducing the power consumption in static random access memory can significantly improve the system power efficiency, reliability, and performance. In this paper, we propose a data aware static random access memory cell to reduce the power consumption during read and write operation. The proposed cell contains nine transistors with separate read/write ports. The write operation in the proposed cell is controlled by an additional write signal instead of word line. Because of isolation of the storage nodes with bit lines, read signal‐to‐noise margin is equal to ideal hold signal‐to‐noise margin of the conventional cell. The proposed cell saves approximately more than 43% active power compared with the 6T cell and other published cells. The proposed cell gives faster write access and low leakage current compared with the conventional and other cells. About 99% standby column power reduction, with 128 cells, is observed in the proposed cell. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd.