快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响.实验结果表明:重掺p型(硼)硅片氧沉淀被促进,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷;重掺n型(磷、砷、锑)硅片氧沉淀受抑制,氧沉淀密度低却诱生出层错;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响.讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理,并利用掺杂元素-本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释.     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .     

氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响

研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ),体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为.     

空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用

研究了普通直拉（CZ）硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理（RTP）后,再经600~1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为. 研究表明,由RTP引入的空位在700~800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著,而在800~900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著;在800℃以上,氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强. 此外,提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺.     

氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响

研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ) ,体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为     

空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用

研究了普通直拉(CZ)硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理(RTP)后,再经600～1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为.研究表明,由RTP引入的空位在700～800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著,而在800～900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著;在800以上,氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强.此外,提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺.     

大直径直拉硅片的快速热处理

主要研究了快速热处理( RTP)对大直径直拉( CZ)硅片的清洁区( DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2 、O2 三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与RTP的温度、气氛有很大关系.在实验的基础上,讨论了在大直径CZ硅中RTP对氧沉淀和DZ的影响机理.     

大直径直拉硅片的快速热处理

主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与RTP的温度、气氛有很大关系.在实验的基础上,讨论了在大直径CZ硅中RTP对氧沉淀和DZ的影响机理.     

实时运输协议RTP的安全问题及解决方案

在因特网上进行实时多媒体通信时，实时运输协议RTP(Real—time Transport Protocol)已成为应用最广泛的核心协议。由于因特网是一个开放的系统，存在很多安全隐患。因此必须要充分考虑RTP的安全性。虽然RTP协议本身提供了报文加密、认证与完整性以及密钥管理等安全措施，但在具体实现时存在许多问题。为此，在不增加RTP报文字节总数的前提下，SRTP(Secure RTP)采用计数模式的高级加密标准AES—CTR和HMAC—SHA-1认证算法来保证RTP通信的安全性。随着因特网的发展，这些安全技术已得到实现。     

NGN网络测试仪RTP模块CDR合成的研究与实现

文中在介绍RTP协议的基础上,进一步针对NGN网络测试仪中RTP模块的CDR合成处理流程进行分析,并对整个流程涉及到的重要环节,如RTP协议解码分析、CDR合成方案进行了详细的介绍.通过实际数据的测试,验证了所提方法的有效性,解决了NGN网络测试仪中RTP模块的测试功能的问题,具有一定的实用价值.     

The application of rapid thermal processing technology to the manufacture of integrated circuits—An overview

Like many of the technologies used to process integrated circuits, the road to manufacturing for rapid thermal processing (RTP) has been twisted. What began as a speculative laboratory apparatus has evolved into a cornerstone of IC technology. Qualities that make RTP desirable for IC manufacture include the ability to process wafers individually, the ability to minimize the time wafers spend at elevated temperature, the convenience of clustering RTP to other systems, and the possibility of maintaining cold reactor walls. This paper will review how these properties make RTP desirable. The paper also will present an overview of the difficulties surrounding the use of RTP and describe how many serious hurdles have been overcome. It will summarize the evolution of RTP from a curiosity to a mainstay technology in building integrated circuits. It then will describe SEMATECH’s role in working with RTP, ending with a direction for future application of RTP based on the National Technology Roadmap for Semiconductors (NTRS).     

RTP/RTCP,RTSP 在无线视频监控系统的设计与实现

从流媒体协议入手,主要对应用在无线视频系统中的RTP/RTCP和RTSP协议进行了分析,研究了RTCP的反馈控制机制,给出了RTP/RTSP流媒体视频服务器和RTP/RTCP传输控制构架的设计和具体实现方法.并将此系统用于实践中,结果表明是可行的.     

NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究

采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP)完成硅化反应.X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi.还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi/Si界面的影响.研究表明:使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺,在未掺杂和掺As的硅衬底上,NiSi/Si界面较粗糙;而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi/Si界面要比一步RTP的平坦得多.高分辨率XTEM分析表明,在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的(111)面对准生长.同时讨论了轴延中的晶面失配问题.     

Linux下实时音频传输的实现

RTP是进行实时流媒体传输的标准协议和关键技术，文中介绍了RTP协议适合实时传输的特性及RTP数据包和RTCP控制包的格式，并简要介绍了Linux音频接口OSS的开发，最后给出了在Linux下利用RTP／RTCP进行实时语音传输的实现。     

VoIP设备设计中RTP协议的实现

详细介绍了RTP/RTCP协议(Real-time Transport Protocol & Real-time Transport Control Protocol)的原理及帧结构,重点介绍了时间戳的使用方法和注意事项,提出了基于RTP/RTCP协议的VoIP话音传输技术解决方案,设计了基于多JitterBuffer机制的RTP/RTCP协议栈,配套设计了协议栈与SIP协议和DSP驱动的接口软件,实现了实时的多通道会议模式的VOIP话音通信功能,现已形成成熟的技术,产品也已量产。实践证明,本设计具有一定的独特性,性能上也优于其他同类产品。     

Ultralong Room‐Temperature Phosphorescence from Amorphous Polymer Poly(Styrene Sulfonic Acid) in Air in the Dry Solid State

Polymer‐based room‐temperature‐phosphorescent (RTP) materials are attractive alternatives to low‐molecular‐weight organic RTP compounds because they can form self‐standing transparent films with high thermal stability. However, their RTP lifetimes in air are usually short (<≈0.4 s). Here, the simple organic amorphous polymer, poly(styrene sulfonic acid) (PSS), exhibits an ultralong RTP lifetime in air when desiccated. The maximum lifetime is 1.22 s, which is three times that of previously reported RTP amorphous organic polymers. The lifetime can be controlled by the PSS molecular weight and by the ratio of sulfonic acid groups introduced into the polymer. The dry polymers should enable unprecedented molecular engineering in organic molecule‐based optoelectronic devices because of the self‐standing and thermal stability attributes.     

Producing a Room Temperature Phosphorescent Film from Natural Wood Using a Top-Down Approach

Producing mechanic robust and sustainable room temperature phosphorescent (RTP) films in a convenient manner is a fundamental requirement but remains challenging. Here, an efficient “top-down” method for processing natural wood into RTP films is developed. Specifically, natural wood is partially delignified to increase its processability in the first step. After that, the treated wood is converted to W-film with a tensile strength of 273.6 MPa via mechanical pressing. The lignin units are well confined by cellulose in the W-film, triggering RTP emission with a lifetime of ≈241.9 ms. Additionally, the W-film exhibits good processability and energy transfer properties with Rhodamine B (RhB). Therefore, a series of multifunctional afterglow 2D and 3D RTP materials are constructed using W-film as a building block. This research is expected to result in a convenient and sustainable method for the preparation of RTP films.