基于晶向(100)硅片光刻工艺的研究

光刻工艺是其中一项重要工艺.先刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术.通过对实验中实现的主要问题光刺胶的难以去除作了一定的探讨,给出了合理化建议,其中采用1.5寸晶向(100)硅片光刻进行实验,实验结果表明不同的光刻胶厚度和烘培条件都会导致不同的光刻胶特性参数,利用本文中的工艺参数能达到较好的效果.     

a—Si TFT AMLCD中湿法刻蚀技术的研究

本文全面地介绍了ａ－Ｓｉ ＴＦＴ ＡＭ－ＬＣＤ制备工艺中的湿法刻蚀。通过改变刻蚀液的配比和刻蚀条件,达到了优化湿法刻蚀的目的。并达到了高的选择比,解决了沟道刻蚀困难的问题。而且克服了湿法刻蚀的刻蚀液不配比不当出现的针孔,以及刻蚀时间过长,渗透光刻胶的边缘出现的钻蚀。在单管器件的制备中做到了实际的应用。     

a—Si TFT AMLCD中湿法刻蚀技术的研究

本文全面地介绍了ａ —Ｓｉ ＴＦＴ ＡＭ － ＬＣＤ 制备工艺中的湿法刻蚀。通过改变刻蚀液的配比和刻蚀条件, 达到了优化湿法刻蚀的目的。并达到了高的选择比,解决了沟道刻蚀困难的问题。而且克服了湿法刻蚀的刻蚀液配比不当出现的针孔,以及刻蚀时间过长, 渗透光刻胶的边缘出现的钻蚀。在单管器件的制备中做到了实际的应用     

不同工艺参数对金刚石薄膜齿轮制备的影响

金刚石薄膜是最具潜力的微机械结构功能材料之一,但其极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型。本文采用反应离子刻蚀方法对金刚石薄膜进行了微齿轮结构的制作研究,制作出了厚度为5gin,模数为0．003的金刚石薄膜齿轮。实验结果表明,镍钛合金薄膜和光刻胶层作为金刚石薄膜刻蚀掩模,可以获得表面平滑、轮廓清晰、侧壁陡直的金刚石薄膜图形;O2及与Ar的混合气体对佥刚石薄膜图形化的刻蚀主要工艺参数如射频功率、工作气压、气体流量及反应气体成分等均对刻蚀速率和刻蚀界面形貌产生不同程度的影响。刻蚀中,当工作气压12Pa及气体流量50sccm稳定时,射频功率与刻蚀速率呈线性变化,但射频功率过高（大于135W）则掩模刻蚀生成物沉积在金刚石薄膜表面而发黑;对于给定的工艺条件下,金刚石薄膜的刻蚀速率并不强烈依赖于混合气体中氧气的含量。     

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除＂燕尾＂结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。     

硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.     

自组织纳米微结构的制备技术

自组织纳米结构以其新颖的结构特点以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点.本文总结评述了国内外关于自组织纳米结构的制备及应用的研究进展.重点总结了低能离子束刻蚀自组织纳米结构的制备技术、表征技术、形成机理和应用探索等方面的研究工作.在单晶半导体材料Si、Ge以及Ⅲ/Ⅴ族化合物等材料表面,利用低能离子束刻蚀可以获得自组织纳米点状结构和自组织纳米条纹结构.总结了低能离子束刻蚀自组织纳米结构的形成与离子束入射角、离子束能量、离子束发散角、气体离子种类、刻蚀时间、衬底温度、加速栅极电压和样品的旋转等参数的关系.评述了低能离子束刻蚀自组织纳米结构的形成机理.展望了相关研究的前景.     

应用于光电阴极的SiO2纳米孔阵列

目前以正电子亲合势K₂CsSb为代表的光电发射阴极材料因其有源层较薄的特征使其光吸收能力较差,现成为限制其提升性能的重要因素之一。以聚苯乙烯(PS)纳米球剥离法制备的金属孔阵为掩膜,在SiO₂衬底上刻蚀制备纳米孔阵列。首先刻蚀单层自组装PS纳米球以改变尺寸,然后在表面沉积镍膜并进行剥离获得孔阵掩膜,最后刻蚀SiO₂衬底并去除掩膜获得孔阵。通过改变PS纳米球的自组装和刻蚀工艺参数实现了对纳米孔阵的孔径、深度、周期等几何参数的灵活调节,并通过优化离子刻蚀的频率、反应气体配比等参数有效降低了纳米孔刻蚀面的粗糙度,最后结合实验测试和理论仿真探索了其光学特性,研究结果表明纳米孔阵列能够提高光电发射器件的光吸收率,具有重要应用价值。     

准分子激光直写加工形状与离焦量关系的研究

以玻璃为实验靶材，研究了准分子激光直写刻蚀过程中靶材和光束焦点之间的相对位置与加工形状之间的关系。加工出的沟槽剖面形状均为锥形。当离焦量为负时，沟槽底部较为光滑，表面较宽，深度较小，锥度较大；当离焦量为正时，槽底部模糊，表面较窄，深度较大，锥度较小。     

聚合物薄膜的大气压微等离子体射流无掩膜刻蚀工艺

为优化束斑直径在微米级的大气压微等离子体射流刻蚀工艺,自制搭建一种结构简单、操作方便的大气压微等离子体射流装置,以典型聚合物parylene-C薄膜为对象,研究大气压微等离子体射流处理parylene-C薄膜的刻蚀工艺,分析O2流量、工作电压、工作间距和刻蚀时间等工艺参数对刻蚀线宽和刻蚀深度的影响。结果表明：增大O2流...