La0.67Ca0.33MnO3—δ薄膜中的巨磁电阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（００１），ＳｒＴｉＯ３（００１），ＬａＡｌＯ３（００１）和ＮｄＧａＯ３（００１）等单昌衬底上成功地制备了Ｌａ０．０７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ薄膜。Ｘ－射线衍射结果表明薄膜具有良好的外延性。低温、磁场下的电输过测量上加磁场后，电阻急剧下降，出现负巨磁阻现象，磁阻比ＭＲ＝在室温一为５０％，２２５Ｋ这高达２０００％以上。文中还对径向磁电阻和Ｈａｌｌ电阻的温度和磁场依赖关系作     

电沉积La—Fe—Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ＾３＋的含量应远高于Ｆｅ＾２＋及Ｃｏ＾２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％￣３０％。     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

La^3＋掺杂Pb（Zr,Ti,Sn）O3反铁电陶瓷的研究

从反铁电材料的储能特性出发，着重介绍了一类适合制作储能电容器的Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试，研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电－铁电相变。结果表明：Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。     

钙钛矿型锰氧化合物的光电效应

报道了Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯδ单晶薄膜的光响应。这类钙钛矿型锰氧化物响应为测辐射热模式。新型测辐射热计算波段光吸收系数高，调整掺杂组份和氧计量比可获得合适工作温区。此外，还报道了样品的噪声特性。     

电子束蒸发制备MoO3薄膜及其电致变色特性

在三种条件下采用电子束蒸发方法制备钼氧化物薄膜。从烧结靶淀积出的薄膜为多晶状态；从粉末压结靶淀积出非晶态薄膜。在ＬｉＣｌＯ４－ＰＣ电解质中测试各种薄膜的循环伏安特性和阶跃电压下的电流响应和光透射响应，表明２．５×１０＾－２Ｐａ氧分压下压结靶淀积的薄膜具有较好的电色性能；ＸＰＳ分析该种薄膜为ＭｏＯ３组份，Ｌｉ＾＋注入使Ｍｏ３ｄ和Ｏ１ａ的结合能降低。     

SrTiO3压敏电阻耐浪涌电流特性的研究

本文研究了用一次烧成法制备的Ｍｎ＾２＋和Ｃｕ＾＋为受主掺杂的ＳｒＴｉＯ３低压压敏电阻，在浪涌电流冲击后，其压敏和介电特性的变化规律及影响因此。证Ｃｕ＾＋掺杂的试样具有较高的耐浪涌电流能力。     

Mn对一次烧成钛酸锶陶瓷复合功能的影响

采用一次烧成工艺制备了Ｍｎ掺杂的ＳｒＴｉＯ３电容－压敏复合功能陶瓷,采用ＳＥＭ观察了ＳｒＴｉＯ３复合功能陶瓷的微观结构,测量了不同氧化热处理温度下ＳｒＴｉＯ３陶瓷的电学特性,采用ＸＰＳ研究了ＳｒＴｉＯ３复合功能陶瓷中Ｍｎ主要以Ｍｎ＾２＋的化学状态,并分析了Ｍｎ的掺杂行为。研究结果表明：一次烧成ＳｒＴｉＯ３陶瓷达到较高的烧成致密度,Ｍｎ主要以Ｍｎ＾２＋的形式存在于晶界,氧化热处理过程Ｍｎ低价粒表面的     

多片LPE生长AlxGa1—xAs／GaAs单晶薄膜

介绍了一种新的“分离三室水平推挤式多片外延舟”，可在国产水平外延炉中实现多片单晶薄膜外延。同时，研究了适合于多片外延的各种工艺条件。用于研制的ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ｎ＾＋－ＧａＡｓ太阳通电池，ＡＭ０．２５℃，１２０ｍＷ．ｃｍ＾－２的转换室１９．８％。     

四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析

本讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＾＋源对＾２９Ｓｉ的原子检测了限达到了４×１０＾１５ｃｍ＾－３。     

氧分压对锰掺杂氧化锌结构及吸收性能的影响

采用直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上沉积了Zn0.93Mn0.07O薄膜,研究了氧分压对薄膜结构及吸收性能的影响.X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,Mn2 取代了ZnO中的大部分Zn2 ,但还掺杂有少量的MnO2分子.X射线衍射测试(XRD)结果显示,Zn0.93Mn0.07O薄膜都具有高度的C轴择优取向,在氧分压为0.4时,薄膜具有最小的半高宽及最大的晶粒尺寸.由于伯斯坦-莫斯效应,Zn0.93Mn0.07O薄膜光吸收跃迁过程只能在价带态和费米能级附近及以上的导带空态之间发生,与纯ZnO薄膜吸收谱线相比,吸收边产生了蓝移,同时还伴随有导带尾跃迁的发生.研究表明,这是由3d5多重能级的d-d跃迁而引起的.经过计算,氧分压为0.4时,Zn0.93Mn0.07O薄膜的禁带宽度是最大的,这可能是由交换作用的减弱而引起的.     

Influence of La-Mn-Al Co-Doping on Dielectric Properties and Structure of BST Thick Film

A new sol-gel process is applied to fabricate the BST (BaxSr1(xTiO3) sol and nano-powder of La-Mn-Al co-doping with Ba/Sr ratio 65/35, and the BST thick film is prepared in the Pt/Ti/SiO2/Si substrate. The powder and thick film are characterized by X-ray diffraction and transmission electron microscope. The influence of La-Mn-Al co-doping on the dielectric properties and micro-structure of BST thick film is analyzed. The results show that the La, Mn, and Al ions can take an obvious restraint on the growth of BaSrTiO3 grains. The polycrystalline particles come into being during the crystallization of thick film, which may improve the uniformity and compactness of thick film. The influence of unequal-valence and doping amount on the leakage current, dielectric loss, and dielectric property are mainly discussed. The dielectric constant and dielectric loss of thick film are 1200 and 0.03, respectively, in the case of 1mol% La doping, 2mol% Mn doping, and 1mol% Al doping.     

Effect of concentration of cadmium sulfate solution on structural,optical and electric properties of Cd1-xZnxS thin films

Cd1-xZnxS thin films were deposited by chemical bath deposition(CBD)on the glass substrate to study the influence of cadmium sulfate concentration on the structural characteristics of the thin film.The SEM results show that the thin film sur-faces under the cadmium sulfate concentration of 0.005 M exhibit better compactness and uniformity.The distribution dia-grams of thin film elements illustrate the film growth rate changes on the trend of the increase,decrease,and increase with the increase of cadmium sulfate concentration.XRD studies exhibit the crystal structure of the film is the hexagonal phase,and there are obvious diffraction peaks and better crystallinity when the concentration is 0.005 M.Spectrophotometer test results demonstrate that the relationship between zinc content x and optical band gap value Eg can be expressed by the equation Eg(x)=0.59x2+0.69x+2.43.Increasing the zinc content can increase the optical band gap,and the absorbance of the thin film can be improved by decreasing the cadmium sulfate concentration,however,all of them have good transmittance.At a concen-tration of 0.005 M,the thin film has good absorbance in the 300-800 nm range,80％transmittance,and band gap value of 3.24 eV,which is suitable for use as a buffer layer for solar cells.     

水基前驱体法制备BST铁电薄膜的研究

Ba1-SrxTiO3(BST)薄膜具有非线性强、漏电流小、不易疲劳等特点,在高密度动态随机存储器的应用,受到x了极大关注。以水基溶液为前驱体,调整Ti(OC4H9)4与H2O的配比以改变溶胶的黏度,并采用旋涂法制备了BST铁电薄膜。对水基BST前驱体溶液进行了DSC/TG和XRD分析。实验表明,采用较高浓度的水基前驱体,有利于薄膜的形成和均匀性。薄膜的相结构研究表明,随着退火温度的上升,BST薄膜的结晶度上升,而晶粒尺寸随之略有下降。     

Implanation de sélénium dans le Ga1?xAlxAs (Implanation of selenium into Ga1?xAlxAs

Par implantation d'ions de sélénium, de fines couches de type n sont obtenues dans le Ga0.71 Al0.29As. Pour les faibles doses, I'activité électrique est proche de 100%, et I'effet de l'implantation est comparable pour le GaAs et le Ga1?x Alx As. Les mêmes resultats sont obtenus en utilisant du Si3N4 ou de l'AIN comme film de protection. By implantation of selenium ions, thin n-type layers are obtained in Ga0.71Al0.29As. For small doses, the electrical activity is close to 100%. and the effect of the implantation is comparable for GaAs and Ga1?x AlxAs. The same results are obtained when using Si3N4 or AlN as a protective film.     

不同组分La-Ni-O薄膜的红外光谱特性研究

采用射频磁控溅射和组合靶在260℃的(111)Si上制备了不同Ni、La含量比的La-Ni-O薄膜．通过拟合2～12．5μm波长范围的反射和透射光谱,得出了薄膜在此区间的折射率和消光系数．薄膜的折射率随波长的增长均呈现单调增大的变化趋势,并且随组分的变化,此趋势没有大的变化．而消光系数的邑散却对薄膜的组分具有很大的依赖性．实验结果同时表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率．当Ni、La含量比大于1：1．44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电性．薄膜的晶面间距、电导率、折射率和消光系数随着Ni含量的增加具有相似的变化规律．并在Ni:La=1:1时,晶面问距和电阻率达到最小值．对所有实验现象,文中从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了理论分析,并取得了比较一致 的结果．     

掺杂对PZT铁电陶瓷介电铁电性能的影响

掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能。着重对掺 La3+、Mn2+对 PZT 陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现:掺 La3+可以增大剩余极化值和损耗;掺杂 Mn2+可以降低损耗;同时加入 La3+、Mn2+可以调整 PZT 性能得到理想的效果:2Pr 为 80×10–6/cm2,tg? 为 0.6×10–2。     

Photoelectrochemical performance of La3+-doped TiO2

La-doped TiO₂ thin films on titanium substrates were prepared by the sol-gel method with titanium tetrachloride as a precursor and La₂O₃ as a source of lanthanum. The heat-treatment temperature dependence of the photoelectrochemical performance of the La-doped TiO₂ film in 0.2 mol/L Na₂SO₄ was investigated by the Mott-Schottky equation, electrochemical impedance spectroscopy, and the open-circuit potential test. The results from the Mott-Schottky curves show that the obtained films all were n-type semiconductors, and the film at 300 ℃ had the highest conduction band position and the widest space charge layer. The electrochemical impendence spectroscopy (EIS) tests of the 300 ℃ film decreased most during the change from illuminated to dark. The potential of the La-TiO₂ thin film electrode was the lowest after the 300 ℃ heat treatment. The open-circuit potential indicated that the photoelectrical performance of the La-TiO₂ films was enhanced with the addition of the La element and the largest decline (837.8 mV) in the electrode potential was achieved with the 300 ℃ heat treatment.     

Nd_(0.5)Sr_(0.5)Co_(1-x)Mn_xO_3的晶体结构和电磁性能研究

采用固相反应法制备了Nd0.5Sr0.5Co1–xMnxO3多晶样品(0≤x≤1)。利用X射线衍射仪和Rietveld方法精修程序分析了样品的晶体结构;对样品的磁性和电输运性能进行了测量。结果表明:样品均为斜方晶系单相结构,空间群为Imma。样品的晶格常数a、b、c,晶格平均扭曲率D和有效磁矩μeff随着Mn含量x的增加而增大,促使Co离子向高自旋态转变。在x≥0.6时,样品中Co离子都处于高自旋态。在样品中,Mn替代了Co,Mn—O—Co的反铁磁性超交换作用与Co3+—O2–—Co4+的铁磁性双交换作用相互竞争破坏了样品的金属导电行为,致使当x≥0.2时,样品表现出半导体导电行为。     

氧化钒热敏薄膜的制备及其性质的研究

报道一种制备氧化钒热敏薄膜的新方法。采用离子束溅射V2O5粉末靶淀积和氮氢混合气体热处理相结合的薄膜技术,可制备热敏性能较好的低价氧化钒薄膜VOx(x＜2.5)。对不同温度退火后氧化钒薄膜在10－100℃范围内测定了薄层电阻随温度的变化,得到的电阻温度系数（TCR）值为（－1～－4）％K^-1。研究结果表明通过这种方法可在较低温度下制备氧化钒薄膜,这种薄膜具有较低的电阻率和较高的TCR值,可作为非致冷红外微测辐射热计的热敏材料。