超薄芯片微波功率管制作成功

本人经过多次摸底试验,最后采用了先机械减薄后化学减薄的方法,制取了70～120μm的硅片,化学腐蚀液为HNO_3+HF+HAC的混合液。化学反应机理见化学方程式如下: 3Si+4HNO_3+18HF→3H_2SiF_6+4NO     

高空穴迁移率P沟道a—Si TFT

掺氢非晶硅(a-Si∶H)低空穴迁移率的问题已经通过控制膜中的氢含量而得到了解决.利用游离基控制法已经制备了具有低氢含量的a-Si膜,该法借助SiF_4和H_2混合物的辉光放电,并控制各反应成份的滞留时间.MOSFET样品表明空穴迁移率为0.12cm~2/Vs,电子迁移率为0.24cm~2/Vs.这为a-Si CMOS电路的可行性提供了论据.     

用等离子体浸没离子注入制作亚100nmP^＋／N结

采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)技术,通过SiF_4预非晶化后进行BF_3掺杂制作了亚100nmP~+/n结。这种方法的掺杂率可高达10~(16)/cm~2·s。硅片浸没在SiF_4或BF_3等离子体中并加负偏压。带正电的离子由等离子体层内的电场加速后注入到硅片中。改变加在硅片支座上的负压及热退火的条件就可控制结深。     

TEA CO_2激光激励UF_6和H_2反应

在温度为20—23℃、UF_6分压为16托(UF_6:H_2～1:8)、激光波长10.59微米、能量为～1焦耳条件下,研究了激光激励UF_6和H_2反应。当激光聚焦于反应室时,观察到从焦点区发出的强烈兰光(焦点区能量密度为～10~2焦耳/厘米~2)。同时产生明显的压力下降现象和灰白色固体产物,红外光谱分析表明:在激光辐照300个脉冲后反应室中的 UF_6全部消失,同时伴有 HF 产生。从反应后的压力下降值证实了激光诱导介质击穿UF_6和H_2反应按2UF_6+H_2=2UF_5↓+2HF 式进行的可能性较大。     

TGS、ATGS和LiTaO_3的电性能测试

测量了TGS、ATGS、LiTaO-3材料的电滞回线、介电常数、正切损耗和热电系数,以及采些电学参数随温度的变化,并对测量结果作了初步分析。平面生长的ATGS的丙氨酸掺杂量在不同的生长层中有明显的改变,但在同一层中基本均匀,有利于作热电摄象管靶面。TGS的矫顽场随外加电场的变化速率而改变,所以把铁电材料作为电子计算机中的记忆元件有一定困难。     

ATGS、ATGSP和ATGSAs晶体喇曼光谱的研究

本文报导了 ATGS、ATGSP 和 ATGSAs 晶体常温和居里点以上温度的喇曼光谱,并对其中主要谱峰作了认定,讨论了相变机理。     

LEC GaAs中缺陷的光致发光研究

本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-850℃,退火在不同气氛下进行(真空,H_2,N_2,H_2+N_2或H_2+As_2). 与缺陷有关的发光带有1.443eV,1.409ev和0.67eV发光带.1.443eV发光带不仅在富Ga的GaAs中出现,而且在富As的热稳定性好的SI-GaAs晶体并经过850℃(在H_2中)热退火的样品中也观测到此发光带.这可能是在退火过程中促进反位缺陷GaAs的形成.1.443eV发光带与GaAs有关.GaAs晶体在H_2中退火后1.409eV峰很强,但在真空中退火末探测到此发光带.文中提出它可能是热退火时氢原子扩散到GaAs晶体中并与某些缺陷结合成络合物的新观点.     

基于激光光声光谱超高灵敏度检测SF_6分解组分H_2S

H_2S是SF_6气体绝缘设备中放电故障诊断的特征组分之一;针对H_2S在红外波段吸收系数小,传统光学检测方法对H_2S检测灵敏度较低的问题,结合大功率光纤激光放大技术、共振式激光光声光谱技术、波长调制光谱技术和二次谐波检测技术,提出了一种基于光纤放大激光光声光谱的SF_6分解组分H_2S气体的超高灵敏度检测方法;采用近红外可调谐窄线宽分布反馈激光二极管级联高饱和输出功率掺饵光纤放大器作为光声激发光源,搭建具有超高灵敏度的激光光声光谱微量H_2S气体检测系统。结果表明:当测量时间为100s时,该系统对SF_6背景中H_2S气体的检测极限达到1.5×10~(-8)。     

文摘选辑

一、晶体及薄膜材料和工艺088 六角晶系晶体的压电、电光、介电、光弹和热弹性——(Hanssuehl S.)《Acta Crystallogr.》Sect.A1978 A34 4 547—50测量了六角晶系的Cs_2S_2O_6、LiIO_3·3H_2O、LiClO_4·3D_2O及Ba(NO_2)_2·H_2O的压电、电光、介电等性能.Cs_2S_2O_6有很强的纵向压电效应(d_(333)=-41esuldyne)机电耦合系数K_1=0.25,它的声光性能表明它可用作高频声光器件的新材料.     

准分子激光引发石墨和氢的反应

氢气加石墨在XeCl(308nm)激光作用下产生了碳氢化合物CH_4、C_2H_2、C_2H_4、C_2H_6等。讨论了可能的反应动力学过程。     

高质量a-Si∶H的快速沉积

本文介绍了用Si_2H_6沉积a-Si∶H膜的方法,讨论了工艺参数对膜质量的影响。还介绍了用空芯阴极法合成Si_2H_6的新技术。     

横向脉冲化学激光器:大气压下操作的HF激光器

在C_3H_8-He-SF_6混合物中,通过多重横向火花放电产生振动-转动跃迁的HF,在大气压下获得化学激光运转。用C_4F_8、C_2F_6或CF_4代替SF_6,用H_2、CH_4、C_2H_6或C_4H_(10)代替C_3H_8也获得了激光作用,在低压下获得的最大脉冲峰值功率超过0.5兆瓦。在大气压下,其峰值功率是30千瓦数量级。在某些情况下,压力达到1大气压,激光是超辐射。研究了HF的v=3,2,1的振动能级的P-支跃迁。泵浦反应是F RH=HF~ R。     

用16微米激光进行UF_6的多光子离解实验研究

在温度为18°—20℃、UF_6压力为1托、H_2压力为2.5托、CF_4激光波长16.25微米、脉冲能量为5—25毫焦耳、脉宽为160毫微秒、重复率为0.33赫/秒、焦点区能量密度为0.5—2.5焦耳/厘米~2条件下,完成了UF_6单频多光子离解过程。离解阈值为～1焦耳/厘米~2。聚焦体积内分子分解几率为16～25%。从InSb红外探测器接收到的2.8微米荧光信息表明:反应过程中有振动热 HF~*分子产生。荧光脉冲在激光脉冲尖峰内迅速产生。反应按 UF_6■UF_5+F,F+H_2→HF+H 式进行的可能性较大。     

链式反应的H_2—Cl_2激光器

作者预言,用化学链式反应有可能有效地泵浦H_2-Cl_2激光器。在他们所提出的方案中,振动受激的氢分子与氯原子结合,产生HCl和自由氢原子,而自由氢原子本身又与分子氯发生反应,生成HCl和自由氯原子。对分子氢进行热激励,他们预言,在气压为—10乇时,化学气动H_2-Cl_2激光器产生的     

CO_2激光照射液体时的光声效应

CO_2激光照射在液态H_2O(水)、C_2H_6OH(乙醇)和CH_3-CO-CH_3(丙酮)等物质表面上时,液面会发出声音,我们把这种光声变换现象称为光声效应。     

渗Ce~(3+)、Ce~(3+)+Mn~(2+)高硅氧玻璃的吸收、激发和荧光光谱

某些Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃经过热处理可分成主要含Na_2O、B_2O_3的钠硼相及主要含SiO_2的高硅相。将已分相的钠硼硅酸盐玻璃进行酸处理、浸析出其中的钠硼相,可得到SiO_2含量高达96%的多孔高硅氧玻璃。将多孔高硅氧玻璃干燥、烧结,可制得具有类似石英玻璃性质的高硅氧玻璃。本工作利用孔隙率为30%、孔径为75(?)的多孔玻璃浸以不同浓度的Ce(NO_3)_3·6H_2O、Al(NO_3)_3·9H_2O溶液或Ce(NO_3)_3·6H_2O、Mn(NO_3)_2·6H_2O、Al(NO_3)_3·9H_2O溶液,经过     

用浸渍法制造的添加Pt的SnO_(2-x)薄膜气体传感器特性

研究了含有添加Pt的SnO_(2-x)薄膜。SnO_(2-x)叫薄膜是由反应电子束蒸发的烧结SnO_(2-x)粉末而制成。沉积薄膜用H_2PLCl_6·6H_2O水溶液浸渍,并加热。用电子分光仪进行化学分析、研究表面结构和制成膜的成份,用x射线衍射仪进行研究薄膜的电特性和添加剂Pt的效应。     

AI/W/TiN/AI及AI/W/TiW/AI结构特性研究

本文研究了H_2还原WF_6在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上LPCVD生长钨膜的特性。测量和分析了Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构的接触电阻和界面特性,研究了两种结构的热稳定性。结果表明,H_2还原WF_6可以在α-Si/TiN/Al和TiW/Al衬底上实现选择性钨淀积,钨膜质量较好。Al/W/TiN/Al和Al/W/TiW/Al结构接触电阻率为10~(-?)Ωcm~2量级,远低于难熔金属硅化物同硅的欧姆接触电阻率。两种结构的热稳定性良好。采用TiN或TiW作为Al和W之间的隔离层,CVD-W填充互连层连通孔可以满足多层金属平坦化互连技术的要求。     

C_4H_4N_2、C_4H_2N_2和C_6N_4分子在193nm处的激光光离解——CN(X~2Σ~+)基的转动能量分布

本文描述了C_4H_4N_2、C_4H_2N_2和C_6N_4分子的紫外光离解过程。利用激光诱导荧光技术(LIF)研究了以上分子被193nm激光光解后所产生的CN(X)基的新生内能态分布。实验中观察到,CN基×~2∑~+态的0-0带和1-1带的转动分布均具有Boltzman分布的特征。CN(X)基υ″=0能级的转动温度分别为1680±40K(C_4H_4N_2)、20004±50K(C_4H_2N_2)和1470±30K(C_6N_4),而C_4H_2N_2分子所产生的CN(X)基V″=1能级的转动温度为1150±160K。本文也测量了以上三个分子在气相中的紫外吸收光谱     

激光诱导荧光法研究简单多原子分子的振动弛豫

振动弛豫在研究、探索新的分子气体激光的工作物质,在激光制备态的态—态化学反应中用途很广。我们用近红外可调谐的光参量振荡器激励3000cm~(-1)附近的C—H_2伸展振动模,观察了红外活性能级的荧光寿命。主要做过的一些分子为C_2H_4、C_3H_6、C_2H_4O和CH_2Cl_2等,从中发现一些共同的弛豫特性。我们对此进行了分析讨论,给出了一个简单的弛豫模型。