白光LED用YAG∶Ce~(3+)发光材料的性能增强研究

以硼酸和碱土氟化物作为助熔剂,调整助熔剂比例和组分,采用高温固相法合成一系列白光LED用YAG∶Ce3+发光材料。采用XRD、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)等对样品进行表征。研究表明,合适的助熔剂有助于降低样品的烧结温度,不会有杂相产生,加入不同浓度和成分的助熔剂对样品的发射、激发光谱形状和峰值波长位置无影响,但对发光强度影响较大;采用助熔剂质量分数为0.4%(0.2%H3BO3-0.2%BaF2)时,所合成样品的颗粒比较均匀,发光性能的增强最为有效。将其和蓝光Ga(In)N芯片封装成白光LED,光效也得到显著提高。封装后白光LED的色坐标为(0.3341,0.4190),色温为5470K,显色指数为67,光效可达到78.3lm/W,高于其它条件合成荧光粉封装的白光LED。     

铟出口关税降低

经过多年研究开发,艾笛森光电采用自有封装技术,近期已成功试产推出优质化、高均匀性白光LED。目前在市场上,白光LED封装型式普遍为黄色荧光粉混合硅胶,覆盖在蓝光芯片上;因不均匀的涂布封装技术,在搭配二次光学后会明显地出现黄圈,黄斑等问题,大幅降低照明质量。     

纳米氧化镁改性白光LED封装的光学性能研究

光通量、色温、显色性和光衰是白光LED的四大性能指标。本文通过在LED封装硅树脂里掺入纳米氧化镁来分析其对白光LED光源的四大性能指标的影响。结果表明适当的掺杂纳米氧化镁,能提高LED的光取出效率。     

试论大功率白光LED的荧光粉涂覆工艺

本论文首先阐述国内外LED的发展技术概况、LED封装的主要工艺以及LED荧光粉涂覆传统工艺的局限性;然后重点针对大功率白光LED封装关键技术的荧光粉涂覆工艺技术进行了探讨,并指出了新工艺的光学性能的改进。     

电场仪球形传感器涂覆方案研究

电场仪涂层的均匀性是影响其电场测量精度的重要因素,手工喷涂方案难以满足涂层的均匀性需求,且工艺不稳定.为解决电场仪球形传感器涂层喷涂的均匀性问题,提出了一种新的喷涂方案,采用机械臂带动喷枪运动,在喷枪与球形传感器之间增加带开口的挡板,通过改变开口的形状控制喷涂到球形传感器上的涂料量,从而实现涂层的均匀性.初步实验得到的结果看,涂层的均匀性较好,而且提高了涂层质量,因此该方案能够最终解决电场仪球形传感器的涂覆问题.     

新型Ce:YAG陶瓷荧光体封装白光LED的性能

利用真空烧结技术制备了一种可用于白光LED封装的Ce:YAG陶瓷荧光体。用X射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱等测试手段对这种陶瓷荧光体进行表征。结果表明:陶瓷荧光体的主相为Y3A l5O12,该荧光体可以很好的被470 nm蓝光激发,发射出550 nm的黄光。该陶瓷荧光体封装蓝光芯片所得的白光LED器件在110℃的高温下老化600小时,光衰只有10%,色坐标无变化,证明其寿命及稳定性远远好于采用传统方式封装的白光LED。研究结果表明,该Ce:YAG陶瓷荧光体是一种非常适合大功率白光LED封装的荧光材料。     

RGB全彩LED封装工艺常见异常状况的分析

随着科技的发展,LED产业取得了长足的进步,其应用领域和范围不断的扩大,同时对LED的封装技术也提出了更高的要求。本文从RGB全彩LED光源工艺入手,分别从固晶、焊线不良引起的电失效,点胶不良引起的光失效,以及由于材料热膨胀、湿气等引起的机械失效三方面,系统的介绍了RGB全彩LED封装生产过程中经常遇到的异常。     

TSV转接板组装工艺对微凸点可靠性的影响

TSV转接板组装工艺过程引起的封装结构翘曲和应力对微凸点可靠性有重要影响。该文采用有限元方法,分析了TSV转接板封装自上至下和自下至上两种组装工艺流程,通过比较工艺应力/应变和翘曲得到较优工艺流程;针对优选工艺流程,分析了不同工艺步微凸点的力学行为,重点关注封装结构中微凸点定位对微凸点可靠性的影响。结果表明:自上至下组装工艺流程较优;微凸点位置设计应尽量避开下填料边缘,当微凸点正好位于TSV上方时,微凸点阵列塑性功密度最低,且分布均匀,微凸点的这种定位设计最为合理。     

高显色白光LED的制备与研究分析

通过在LED芯片上涂敷有机材料MPPV粉胶层,然后用点YAG粉胶层的方法来研究白光LED的发光光谱,并提高其显色指数,其中MPPV与YAG的质量分数分别为0、1%、4%和6%。结果表明,随着MPPV质量分数的增加,光谱中红光区域峰值逐渐增加,当其质量分数为4%时,出现了明显的红光区域峰值,显色指数高达88,而且通过显色指数的标准计算方法、对照8个标准试验色及其对应的特殊显色指数,分析研究了MPPV能够大幅度提高白光LED显色指数的原因。     

白光LED用Ce:YAG单晶光学性能及封装工艺的研究

采用提拉法生长了白光LED用Ce:YAG单晶, 通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征, 并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。Ce:YAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发, 产生500~700 nm范围内的宽发射带。Ce³⁺的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰, 据此量化分裂的5d能级能量, 依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm^-1。温度升高, Ce³⁺的²F_7/2能量升高导致了发光强度的降低, 可降低幅度(13.28%)不大, 比肩国家标准且要优于目前商用白光光源的Ce:YAG单晶制白光LED光源的封装工艺, 从芯片、驱动电流、晶片厚度和添加物四方面进行讨论。研究结果表明, Ce:YAG单晶是一种新型白光LED用荧光材料。