CMOS／SOI的高温特性分析

采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。     

降低聚合物稳定蓝相液晶显示器驱动电压的一种方法

聚合物稳定蓝相液晶显示器存在驱动电压高和"磁滞效应"的缺点,是其应用之路上的难题。本文在深入研究蓝相液晶显示器中所使用的各种材料介电常数的基础上,结合电动力学中电介质中的电场和电位移之间关系的知识,解释了蓝相液晶显示器驱动电压高的原因为聚合物材料和绝缘层材料的介电常数远低于蓝相液晶材料的介电常数。研究中发现提高聚合物材料和绝缘层材料的介电常数,将会明显降低聚合物蓝相液晶显示器驱动电压。理论和模拟结果表明:当聚合物材料和绝缘层的介电常数达到蓝相液晶的平均介电常数,该聚合物稳定蓝相液晶显示器的驱动电压降低一半。研究结果将对聚合物稳定蓝相液晶显示器的产业化应用起到促进作用。     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

基于光配向的主链型液晶聚合物预倾角的控制

液晶的方位角和预倾角的调制广泛应用于各类液晶光子器件的研究。液晶预倾角调控常使用的小分子液晶容易受外场干扰导致液晶预倾角的改变,影响液晶器件稳定性和可靠性。液晶聚合物具有相变温度高、耐热、耐强光、耐机械振动、更加稳定不易受外场干扰等优点,因此液晶聚合物预倾角的可控制备有着重要研究意义。由于液晶单体受液晶与空气界面的锚定能的影响,RM257液晶聚合物的预倾角与液晶层的厚度有关,难以实现预倾角的稳定可控。本研究利用两步法曝光偶氮染料亮黄（BY）薄膜诱导液晶单体RM257倾斜,采用多层旋凃及液晶单体RM257光聚合的方式降低液晶与空气界面锚定能对预倾角的影响,实现RM257主链型液晶聚合物预倾角可控制备。结果表明,采用这一方法制备的液晶聚合物薄膜预倾角可在0°～16°之间连续可调,并具有光热稳定的优点,具备实现液晶光子器件所需的图案化能力。本研究有望为液晶光子与显示器件的制备提供新的材料设计思路。     

基于多重掺杂的高科尔常数聚合物稳定蓝相液晶

聚合物稳定蓝相液晶具有亚毫秒级响应速度,光学各向同性及无需配向工艺等特点,在显示及光子器件领域有广泛的应用。本文研究了一种基于聚合物稳定蓝相液晶的多重聚合物材料掺杂系统。聚合物稳定蓝相液晶的驱动电压可以通过掺杂N-乙烯吡咯烷酮(NVP)和聚苯胺氧化石墨烯(G-PANI)得到大幅度的降低。经过优化掺杂物的配比,多重掺杂的聚合物稳定蓝相液晶材料的科尔常数被提高了68%,并且不会对材料的响应时间、磁滞及残留双折射产生负面影响。     

一种新型的聚合物网络胆甾液晶显示器

在胆甾液晶材料中掺入少量的聚丙烯类单体材料制作了一种新型的聚合物网络胆的液晶显示器。相对于传统的ＰＤＬＣ器件，这种新型显示器可以进行反模式显示，零电场时呈透明态，加电场呈散射态．而且还具有非常宽阔的视角特性。文中报道了器件的制作方法以及聚合物网络对器件电光特性的影响，并且对该器件的应用前景作了简要介绍。     

《液晶与显示》征稿简则

正1.本刊征集有关液晶、聚合物、胶体等软物质和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有特邀报告、材料物理和化学、器件制备技术及器件物理、器件驱动与控制、成像技术与图像处理等栏目。     

《液晶与显示》征稿简则

正1.本刊征集有关液晶、聚合物、胶体等软物质和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有特邀报告、材料物理和化学、器件制备技术及器件物理、器件驱动与控制、成像技术与图     

《液晶与显示》征稿简则

<正>1.本刊征集有关液晶、聚合物、胶体等软物质和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有特邀报告、材料物理和化学、器件制备技术及器件物理、器件驱动与控制、成像技术与图像处理等栏目。     

蓝相液晶光电特性研究

蓝相液晶由于其特有的扭曲双螺旋结构,具有快速响应特性与宏观上的光学各向同性。通过聚合物稳定的方法,可以提升其热稳定性,但是也导致了驱动性能下降,磁滞效应增强等问题。文章通过研究手性掺杂和聚合物网络对蓝相液晶材料体系的作用以及不同温度下的磁滞效应,探索蓝相液晶器件光电特性的影响因子,为改善蓝相液晶材料的光电特性提供理论上的支持。     

GaN MESFET

ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅具有这方面的特性，而且还可以制成异质结构的器件。据《Ｅｌｅｃ．Ｌｅｔｔ．》３０卷第１５期报道，Ｓ．Ｃ．Ｂ...     

《液晶与显示》征稿简则

<正>1.本刊征集有关液晶、聚合物、胶体等软物质和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有特邀报告、材料物理和化学、器件制备技术及器件物理、器件驱动与控制、成像技术与图像处理等栏目。     

《液晶与显示》征稿简则

<正>1.本刊征集有关液晶、聚合物、胶体等软物质和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。2.本刊设有特邀报告、材料物理和化学、器件制备技术及器件物理、器件驱动与控制、成像技术与图像处理等栏目。     

用于反射型彩色液晶显示器中的新型聚合物—液晶弥散结构

研制出一种明亮的全色反射型ＬＣＤ称作ＩＲＩＳ，即反向散射型内反射。ＩＲＩＳ具有２独特的聚合物－液晶混合结构，在这种结构中，定向聚合物微粒弥散在液晶中。通过研究聚合物单体，液晶材料及紫外光聚合过程，这种混合体系能满足有源ＬＣＤ所需的足够的电阻率，热稳定性和光稳定性。     

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。     

无序的混合排列型ECB—LCD的研究

为了改善常规的ＥＣＢ的显示品质，采用不摩擦技术制备无序的混合排列型ＥＣＢ液晶盒，分析了它的电光特性和视角特性。无序的混合排列型ＥＣＢ液晶盒是多畴的结构，并具有很多向错，但人的肉眼却识别不出。无序的混合排列型ＥＣＢ器件具有三色峰值电压分离较好、工作电压低、视角在整个平面内具有方位角对称性的特点。     

提高共面转换液晶显示器件响应时间的研究

利用液晶弹性理论和动力学理论对共面转换液晶显示器件响应时间参数进行了分析, 将聚合物网络引入这种模式, 利用聚合物网络对液晶的锚定作用, 使得 Ｉ Ｐ Ｓ液晶显示器件的下降响应时间得到极大改善。实验结果表明, 聚合物的百分比含量对器件的响应时间、阈值电压、对比度有较大影响。     

《液晶与显示》征稿简则

正1.本刊征集有关液晶、聚合物、胶体等软物质和各类显示材料及制备方法、液晶物理、生物液晶、液晶非线性光学、液晶显示、等离子体显示、阴极射线管显示、发光二极管显示、有机电致发光显示、场发射显示、微显示、真空荧光显示、电致变色显示及其他显示、各类显示器件物理和制作技术、各类显示新型模式和驱动技术、显示技术应用、显示材料和器件的测试方法与技术、各类显示器件的应用等研究论文。     

MBE生长面发射激光器的的位厚度监测

在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＥＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义，我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜，     

不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．