粒度级配比对B4C制品性能的影响

研究了真空热压烧结碳化硼制品过程中粒度级配比对碳化硼制品性能的影响.结果表明,合适的粒度配比(20%W5 80%W3.5)将有利于烧结的进行,在此条件下烧结可使碳化硼制品的体积密度达2.514g·cm-3(理论密度为2.52g·cm-3),抗弯强度达434MPa,显微硬度达27.66GPa.这些数据将为工业化生产提供理论依据.     

聚丙烯与碳化硼共混体系的纺丝与性能研究

讨论了聚丙烯／碳化硼共混体系中碳化硼粒度、助剂种类和用量、温度等因素对该体系流变性能及可纺性的影响，并对纤维和织物的性能进行了测试．     

碳化硼陶瓷低温烧结技术的研究现状

综述了各种碳化硼陶瓷低温烧结技术及其影响因素，阐述了粉末粒度、制备工艺和化学成分等关键因素对碳化硼陶瓷烧结温度的影响，分析了进一步降低碳化硼陶瓷烧结温度的可能途径。结果表明，通过以上几种途径可以实现低温烧结。     

碳化硼的显微组织研究

采用直接合成法合成碳化硼粉,并用合成的碳化硼粉进行热压烧结.采用金相显微和扫描电子显微镜(SEM)对碳化硼烧结体的显微组织进行了研究.     

热压烧结碳化硼的性能研究

采用直接合成法合成碳化硼粉,并用合成的碳化硼粉进行热压烧结.对其性能进行了测试,结果表明碳化硼的性能达到或超过所提供的参考值.     

碳化硼粉末制备方法的研究进展

碳化硼制备复杂,属高能耗产业.本文主要探究了碳化硼粉末的制备方法.     

球磨对碳化硼粒度及游离碳的影响

主要研究球磨因素对碳化硼粒度分布的影响,并考察游离碳含量随球磨时间的变化规律.实验结果表明：随着球磨时间增加,碳化硼粒径分布曲线向粒径小的方向移动,当球磨时间达到60 h,粉体粒径细化程度减缓,继续球磨可进一步提高超细颗粒含量;当球磨时间达到一定程度,不同的球料比对粉体粒径分布曲线影响较小;游离碳含量随着球磨时间增加而提高,在20～40 h碳含量增加显著,之后增加缓慢;SEM电镜显示球磨前后粉体显微形貌发生显著变化;XRD分析显示球磨60 h后粉体中出现很强的游离碳衍射峰.     

机械化学法制备碳化硼及其晶体结构的研究

以氧化硼、镁粉和石墨粉为原料,通过机械合金化与镁热法相结合,制备了碳化硼材料:在氧化硼、镁、石墨的质量比为10:11:1、行星式球磨机转速为200 rpm、研磨时间为72 h、研磨罐温度略高于室温的条件下,诱导了化学反应,合成制备了碳化硼颗粒材料。由酸洗和水洗产物后粉末的XRD谱图,证明粉末的主要成分为碳化硼。用三线法和最小二乘法,对所制备的碳化硼粉末的晶体结构及晶格常数进行了分析计算,结果表明碳化硼的晶系为六方晶系,晶胞的晶格常数a=0.562 8 nm,c=1.218 6 nm,与文献报道的结果相一致。     

反应稀释自蔓延法制备碳化硼超细粉

以硼酸/镁粉/葡萄糖为反应体系,利用稀释反应自蔓延法制备碳化硼超细粉末。通过改变反应原料的配比来调节反应体系吸放热反应的比率,控制自蔓延反应和产物晶粒尺寸。制备工艺的最佳条件为吸放热比率0.14,反应启动温度800℃。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、拉曼和傅里叶红外光谱、激光粒度分析仪和热重差示扫描量热,对产物的晶型、形貌、结构、粒径分布进行了表征。结果表明:m(C)∶m(B)∶m(Mg)=1∶2.9∶5.8,反应启动温度为800℃时,反应制备得到是B_4C结构的碳化硼,纯度最高,产物粒径为400 nm左右。     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。