复合锌镍纳米线结构和磁性研究

采用直流电化学沉积方法,在多孔阳极氧化铝模板纳米孔洞中制备出直径约90nm,长度超过10μm的金属Ni/Zn纳米线有序阵列.通过扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD),振动样品磁强计(VSM)对模板及所制备的样品进行形貌、结构及相关性能的表征和测试.结果表明所制备的Ni/Zn纳米线具有沿[111]方向择优生长特性,易磁化方向沿纳米线长轴方向.     

镍掺杂四氧化三钴纳米线阵列的制备及其超级电容特性

采用直流电化学沉积与高温氧化相结合的合成方法, 在氧化铝模板的辅助下, 成功制备了一种新颖的Ni掺杂的Co₃O₄纳米线阵列, 利用X射线衍射仪、扫描电镜和高分辨透射电镜等对所制备的纳米线阵列的物相和形貌进行了表征, 结果表明：所制备的Ni掺杂Co₃O₄纳米线形貌和尺寸均匀、垂直于基底排列, 纳米线的平均直径约为80 nm, 长度约为1.4 μm, 整个纳米线由纳米颗粒堆积而成, 其中Co : Ni的比例约为20 : 1。利用循环伏安和恒流充放电技术在2 mol/L的KOH电解液中对材料的电化学性能进行了测试, 结果显示所制备的纳米线阵列具有优异的电化学电容特性, 当电流密度为10 mA/cm²时, 纳米线阵列的面积比电容为173 mF/cm², 经过1000次充放电后, 比电容值仍能保持最初值的98%, 表现出良好的循环稳定性。优异的性能可归因于材料的比表面积较大以及镍掺杂后材料导电特性的提高。     

铝阳极氧化膜模板组装铜纳米线及其TEM表征

为了研究纳米线的微观结构，通过电化学交流电沉积的方法，以多孔阳极氧化铝膜（Al2O3/Al)为模板，制备了金属铜纳米线，利用透射电子显微及选区电子衍射技术对纳米线进行了表征，并从电化学角度探讨了铜纳米线凸凹相间条纹结构的形成机理，研究表明：铜纳米线具有凸凹的条纹结构，平均长度约为4μm，直径20nm；铜纳米线具有面心立方（FCC）的多晶结构，其凸、凹部位具有相同的物相组成。     

阳极氧化铝作为铝电解电容器阳极箔用的研究

采用直流电阳极氧化法在高纯铝箔上制备了多孔阳极氧化铝(AAO)膜,同时采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安(CV)和电化学阻杭谱(EIS)等技术对AAO膜的表面形貌、厚度和比表面电容性质等进行了表征.结果表明,AAO膜由垂直于膜表面的、孔径在60～80nm之间的平行纳米孔道组成,膜的多孔层厚度约为20μm左右;AAO...     

大规模制备Ni纳米线阵列及其磁学特性研究

在多孔氧化铝模板的纳米孔洞中,利用直流电化学沉积的方法成功地制备了高度有序的磁性金属Ni纳米线阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和物理性质测量系统(PPMS)对样品的形貌、晶体结构和磁学性能进行了表征测试.SEM和TEM观察结果显示,Ni纳米线均匀地生长在氧化铝模板的孔洞中,直径约为300nm,其表面非常光滑.XRD结果显示,生长的Ni纳米线为fcc结构.磁测量结果表明,与体材料相比,Ni纳米线展现出增强的矫顽力和剩磁比,并且表现出较强的磁各向异性,其居里温度约为627K,与块体Ni的居里温度相当,说明在较高温度下,纳米线仍可呈现铁磁特性.     

逐级降电压法交流电沉积Pd-Ni纳米线的研究

在传统的二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板的基础上,利用逐级降低电压的方法减薄阻挡层,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪对Pd-Ni合金纳米线的组织形貌、晶体结构和化学状态等进行了表征与测试,结果表明,Pd-Ni纳米线的直径为70nm左右,且纳米线径向表面不够光滑,呈毛刺状,单根纳米线属于多晶结构;Pd-Ni纳米线中Pd：Ni原子比接近为1：1,表明金属Pd、Ni在纳米线中处于简单混合状态。此外,对交流电沉积制备金属纳米线时沉积条件的选择做了简要解析。     

Co88Ni12合金纳米线阵列的制备与磁性能表征

采用直流电化学沉积方法，在多孔阳极氧化铝模板的纳米级微孔内电沉积钴镍合金，制备出直径为30nm，长度为几个微米的准一维合金纳米线（阵列）材料；随后采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM），透射电子显微镜（TEM），X射线衍射仪（XRD），振动样品磁强计（VSM）对纳米线的形貌、结构及其磁性能进行了相关表征与测试．发现所制备的Co88Ni12合金纳米线表面光滑，粗细均一，具有较高的长径比；呈现密排六方结构（hcp），沿[100]择优取向生长，易磁化方向沿纳米线轴向方向．     

硅纳米线的制备及其生长条件探究

Si纳米材料自问世以来便受到研究者的重视，其不同于宏观块体材料的特殊性质可使其应用于各个领域。如何制备形貌较好且具有良好光电性能的纳米材料是在纳米材料应用前必须解决的问题。以Ni膜作为催化剂直接在Si衬底上制备了密集的Si纳米线，获得了Si纳米线较强的蓝紫波段的发光，研究了退火温度、退火气氛N₂流速、Si膜厚度等制备条件对Si纳米线形貌、光致发光强度的影响，并讨论了双层膜制备Si纳米线形成和生长机理。实验结果显示，退火温度、N₂流速对Si纳米线的生长起到关键性的作用，N₂流速能够影响Si纳米线的光致发光强度，且较大的N₂流速能够使Si纳米线定向生长。而在Ni膜催化剂上预沉积一层适当厚度的Si膜也有助于Si纳米线的生长，且有效改善了Si纳米线的光致发光强度。     

金属纳米线的制备方法

综述了金属纳米线近年来的研究现状,总结了多孔氧化铝模板法、聚合物膜模板法、软模板法和外场诱导法制备金属纳米线的研究成果,并提出了金属纳米线目前研究中存在的问题和潜在的发展方向。     

Ni/Cu双金属纳米线非模板法制备研究

在外加磁场作用下,制备出Ni纳米线,再以Ni纳米线为载体,利用Ni置换溶液中的Cu2+制备出Ni/Cu双金属纳米线,并进行扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)等表征。结果显示样品线性较好、尺寸均匀,约为200 nm,组成为Ni单质和Cu单质,均为面心立方结构,其含量分别为62.34%与36.37%(质量分数)。