硅吸除技术

本文详细地叙了各种硅吸除技术;阐明了非本征吸除、本征吸除和综合吸除的机理和工艺。举例说明了吸除技术的应用。     

非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究

本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．     

多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区，分析认为该过渡区是一个吸除中心     

NTDCZSi内吸除技术的研究

利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.本文探讨了将NTD技术与IG技术相结合的问题,并讨论了NTDCZSi IG效应机理.     

双吸除技术在CCD制造中的应用及其具有增强吸除功能的研究

本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺陷的吸杂能力强;利用离子对模型所做的估算也证明了这一点,因此相对仅是缺陷吸杂而言,双吸除技术是一种具有增强吸除功能的吸除技术.     

HgCdTe晶体的缺陷吸除效应

利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能提高HeCdTe材料的光、电性能。     

中子擅变掺杂直拉硅的内吸除效应

中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。     

MIC薄膜多晶硅材料的动态镍吸除技术基本机理及其应用

首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.     

硅双极晶体管1／f噪声的物理机制

在低频下,1/f噪声是硅双极晶体管的主要噪声.到目前为止,一般认为1/f噪声有二种来源:表面态的存在和体内自由载流子迁移率的涨落,这二种1/f噪声有不同的表现形式.目前还没有统一的模型来描述1/f噪声,这是由于1/f噪声的物理基础还没有一个完整的认识.本文对1/f噪声研究的主要结果作了评述.     

硅微电子技术物理极限的挑战

本文对硅微电子技术在发展过程中随着半导体器件的不断缩小和芯片集成度的不断提高，所着一系列的挑战进行了回顾和展望，并从基本物理规律，材料、工艺技术、器件、电路和系统等几个方面的其来自于基本物理极限和实际的物理限制的挑战进行了讨论，其中起地基本物理规律的基本物理极限是不可逾越的，而在实际发展过程中由于材料、结构、工艺技术及电路和系统方面的一系列具体因素产生的实际物理限制则是有可能突破的。同时还探讨了从     

硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.     

光合作用中激发能量转移物理机制研究进展

主要对国内外光合作用中激发能量转移(EET)物理机制研究的进展作了详细的叙述和总结。阐述了EET的基本概念,论述了EET的优势和存在的问题,并对EET研究的一些主要的研究方法和结果进行了分析比较;结合现有的研究成果,提出了若干值得继续研究的方向和亟待解决的关键问题。     

p型硅片表面氧化雾缺陷的吸除

利用快中子辐照在ｐ型硅片中产生辐照缺陷，利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心，在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区，能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成。提出了较为实用的退火工艺和简单的解释。     

p型硅片表面氧化雾缺陷的吸除

利用快中子辐照在p型硅片中产生辐照缺陷,利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心,在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区,能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成.提出了较为实用的退火工艺和简单的解释.     

CATV运行中信号“凹陷”的物理机制及对策

保证有线电视系统的良好运行 ,对有线电视系统中出现的故障及时排除 ,是广大有线电视工作者应尽的职责 ,当然 ,对于常见故障 ,许多专家都做过探讨和论证。本文介绍的是我们在有线电视的维护过程中曾遇到的一个极为少见的故障 ,即某一频道 (4频道 )的信号出现严重“凹陷” ,比其他频道信号低 (2 0～ 30 )ｄＢμＶ ,致使该频道信号在这一区域出现麻点 ,无法收看。经过分析和实际测试 ,可以排除以下几种情况 :一不是前端问题 ,因为其他区域无此现象 ;二不是接触不良 ,如果是接触不良 ,应该是整个低频段都受到影响 ,而不是某一个单一低频道效果…