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利用低温红外光谱技术(8K),研究了微氮硅单晶中氧和氮杂质在高温1300℃退火时的性质,实验指出,在此高温退火时,硅单晶中的原生氮-氧复合体被逐渐分解,氮杂质以很高的扩散速率,迅速外扩散 相似文献
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氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用 总被引:4,自引:2,他引:2
通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快 ,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理 相似文献
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研究了微氮硅单晶在600~900℃温区的新施主形成特性,发现氧、氮杂质对新施主有重要影响.明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主NND,其热处理行为类似于普通新施主,但形成特性受氮杂质的较大影响.对其形成机制也作了初步探讨 相似文献
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利用低温(8K)远红外吸收技术,研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响,指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力,而微氮硅中的浅热施主和氧-氮复合体直接相关。 相似文献
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掺氮6H—SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了7-1000K的掺氮6H-SiC材料基本电学性质,用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合,利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质激光活能和载波子有效质量。分析结果表明,控制杂质能级和表观杂质激活能由补偿度和杂质浓度决定。掺氮6H-SiC材料预期有0.08eV、0.12eV两个能级,当补偿杂质浓度大于较小能级浓度时,材料将由较高的能级控制 相似文献
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对不同条件下含氮和不含氮的硅单晶,在300K和8K下进行红外吸收研究.实验结果表明:含氮硅单晶和氮一氧复合体相关的红外吸收峰为1030cm-1,1000cm-1和806cm-1. 相似文献