发光层厚度对双层有机EL器件ITO/PPV/Alq3/Al发光特性的影响

制务出一组双层有要ＥＬ器件ＩＴＯ／ＰＰＶ／Ａｌｑ３／Ａｌ，测试并分析了各层厚度不同时器件的光电性能。     

红色OLED器件发光特性的研究

采用DCJTB作为红色染料，以绿色发光材料Alq，Gaq，Inq作主体材料。分别制备了结构为ITO／TPD／Mq(M=Al^3 ，Ga^3 ，In^3 )：DCJTB／Alq／LiF的一系列红色OLED器件，目的在于研究主体与客体发光分子间的能级匹配情况对载流子的注入、限制、激子的复合及发光色纯度方面的影响。同时研究了DCJTB的掺杂浓度，发光层中发光基质与掺杂染料之间的能带匹配，以及器件的各有机层之间的能带匹配对器件发光性能的影响。分析表明．在ITO／TPD／Alq(Gaq，Inq)：DCJTB／Alq／LiF／Al器件中．发光层中存在着从Mq向DCJTB的能量传递，Alq，Gaq，Inq与DCJTB之间的能带匹配显著地影响着这些器件的发光性能，如最大发光亮度、发光效率、色度-电压的关系等。     

硅发光研究

硅发光对于在单一硅片上实现光电集成是至关重要的．本文介绍了目前已有的使硅发光的方法：掺深能级杂质，掺稀土离子，多孔硅，纳米硅以及Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格，讨论了两种可能的发光机制：量子限制效应和表面复合效应．最后介绍了两个硅发光器件，表明硅发光器件的前景是光明的     

退火对聚合物有机发光器件的影响

制作了结构为ITO／MEH—PPV／AI的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH—PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30％左右,器件的寿命增加40％左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。     

与硅平面工艺兼容的p~-/p~+型多孔硅的发光特性研究

ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件，提供了重要的参考设计参数和进一步改进工艺的依据     

金刚石/氮化铝发光器件

把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV～4.8eV(442nm～250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。     

可印刷磷光有机发光器件

本文报道了一种制造全色可印刷磷光有机发光器件的新方法,与传统加工0LEDs的方法不同,本可印刷磷光OLED有机发光器件的发射层中具有共轭聚合物,该发射层是由小分子基质与掺杂物组成的,本文给出的红、绿、浅蓝、蓝可印刷磷光OLED有机发光器件在初始亮度分别为500cd／m2、1000cd／m2、500cd／m2及500cd／m2时,其光效及预期寿命分别为9cd／A与5．3万小时,35cd／A与5．2万小时,18cd／A与3000小时,6cd／A与1000小时。     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上,信息传输速度,储存和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现在的集成电路是采用硅材料,而发光器件则用ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体。Ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟。因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Ｓｉ／ＳｉＯ_２等超晶格结构材料,并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。     

高效白光磷光有机发光器件

我们研制成功了两种磷光白光有机发光器件。在1000cd／m^2的亮度下，一种器件的外部量子效率为20％。色座标CIE为（0．38，0．39），另一种器件的光效为251m／W．色座标为（O．39，0．44），在100cd／m^2的亮度下，借助于光外耦合增强技术，前者的EQE达到了37％，而后者的光效则提高到511m／W。     

席夫碱及其锌配合物的合成和发光特性

采用优良的电荷给体N，N-二乙基修饰配体，设计合成了两种新型可溶性席夫碱配体及其锌配合物，并对其电致发光性质进行了研究。两种配体和配合物均呈现很好的发光性能，通过增大配体的共轭结构，成功地调节了材料的发光光谱，吸收峰由397nm红移到429nm，发射峰相应的由543nm红移到560nm。以配合物ZnDEDN为掺杂客体材料，聚合物PVK为主体材料，制备了结构为ITO／PVK；ZnDEDN／BCP／Alq3／LiF／Al的有机电致发光器件，器件的最大发光效率为0．19cd／A，最大亮度为143cd／m^2。     

Enhanced brightness and efficiency of organic light-emitting diodes with an LiF in the Alq/sub 3/

Highly efficient and bright organic light-emitting diodes have been realized by inserting a thin insulating lithium fluoride (LiF) layer in the tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq/sub 3/) with conventional organic layers. By comparing the performances of newly devised devices as a function of the position of the LiF in the Alq/sub 3/ layer, the authors propose the optimal position of the LiF in the Alq/sub 3/ layer. Experimental results show that the efficiency and brightness of the newly devised device with LiF in the Alq/sub 3/ layer were seven times higher than that without LiF in the Alq/sub 3/ layer.     

新型芴-咔唑共聚物电致发光性质的研究

研究了一种新型的芴与咔唑交替共聚合物材料的电致发光(EL)特性,制备了2种不同结构的器件,分别为indium-tin-oxide(ITO)/polymer/tris-(8-hydroxyquinoline)-alumium(Alq3)/Mg:Ag和ITO/polymer/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.实验结果表明;前者发射绿色光,为Alq3的本征发光,聚合物起空穴传输层(HTL)的作用;后者发射蓝色光,EL谱与聚合物材料的光致发光(PL)谱一致,说明这种共聚物除了可用做空穴传输材料外,本身亦可做为优良的OLED蓝色发光材料.     

有机／聚合物双异质结发光二极管

报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／ＡｌｑＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电极中注入，产在ＰＢＤ及ＰＶＫ中传输注入到Ａｌｑ３发光层中。器件在正向偏压为４Ｖ时有绿色光输出；在正向偏压为１０Ｖ，最大亮度可达３０００ｃｄ／ｍ＾２以上。经光谱测试，电致发光峰值波长为５２３ｎｍ。     

Manganite/Alq3 interfaces investigated by impedance spectroscopy technique

With the general objective of studying interfaces between ferromagnetic materials and organic semiconductors, we report ac impedance investigations on La_0.7Sr_0.3MnO₃ (LSMO)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum (Alq3)/Al and Indium Tin Oxide (ITO)/Alq3/Al heterostructures, in the frequency range between 20 Hz and 1 MHz. The comparison of the equivalent circuits deduced to fit the experimental ac responses allows isolating a specific RC contribution which can be attributed to the LSMO/Alq3 interface region. Using the information obtained from our ac measurements, we propose a model which fits the temperature dependence of the magnetoresistance in spin valves combining LSMO electrodes and Alq3 layers.     

多孔硅/八羟基喹啉铝复合体系的电致发光

采用阳极氧化法制备了多孔硅(PS)，通过真空沉积在纳米孔中组装了有机发光小分子八羟基喹啉铝(Alq3)，制作了有机／无机复合电致发光器件，并与单层的Alq3电致发光器件相比较，观察到复合体系的电致发光蓝移现象，这种蓝移现象与纳米孔对有机分子聚集程度的限制有关。     

有机薄膜发光二极管失效过程的动态观察和分析

本文报道了利用带有ＣＣＤ摄像机的显微镜对由常用有机材料ＴＰＤ和Ａｌｑ３制备的有机薄膜发光二极管（ＯＬＥＤ）ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ及ＩＴＯ／ＴＰＤ／Ａｌｑ３;Ｒｕｂ／Ａｌｑ３／Ａｌ失效过程的动态观察,对于造成器件失效的主要原因－黑斑的产生和变化进行了描述和分析。     

多孔硅中八羟基吡啉铝的光致发光

通过两种方法将有机小分子八羟基喹啉铝（Alq3)嵌入到用阳极腐蚀法制备的多孔硅中。一是浸泡法,将新鲜的多孔硅浸泡于Alq3的氯仿溶液中,通过物理吸附使Alq3嵌入到多孔硅的纳米孔中;二是反应法,先将多孔硅浸泡于硫酸铝的水溶液中,再在其中加入八羟基喹啉的甲醇溶液,使它们在多孔硅的纳米孔中反应产生Alq3。两种方法得到的Alq3的光致发光光谱均较硅片上蒸镀的Alq3的光致发光光谱有所蓝移,半高宽有所减小。反应法比浸泡法得到的光致发光强得多。     

PTPD/Alq_3器件ETL厚度对发光和复合的影响

以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器件发光性能随Alq3电子传输层(ETL)厚度变化的规律,研究了聚合物/小分子异质结发光器件的电场对载流子复合区域的影响。基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。     

不同空穴阻挡材料对白色OLED性能的影响

采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。     

XPS Investigation on Surface and Interface Electronic States of Alq3／ITO

The surface and interface electronic states of tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/indium-tin oxid(ITO)were measured and analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).The results indicated that, in Alq3 molecule,the binding energy(Eb)of Al atoms is 70.7eV and 75.1eV,corresponding to Al(O)and Al(Ⅲ）,respectively;The binding energy of C is 285.8eV,286.3eV,and 286.8eV,corresponding to C of C-C group,C-O,and C-N bond,respectively,N is the main peak locating at 401.0eV, corresponding to Natom of C-N=C.Oatoms mainly bond o H atom,with the binding energy of 533.2 eV.As the sputtering time of Ar^ ion bearn increases,Al2p,C1s,N1s,O1s,Ind3d5/2 and Sn3d5/2 peaks slightly shift towards lower binding energy,and Al2p,C1s and N1s peaks get weaker,which contributed to diffusing the oxygen,indium and tin in ITO into Alq3 layr.