高强度高导电铜基复合材料制备技术回顾与展望

高强度高导电铜基复合材料是一类很有应用潜力的功能材料,本文按非原位合成(Ex situsythesis)和原位合成(In situsythesis)两个方面综述了该类材料的主要制备工艺,并对各种工艺的关键环节、主要参数及所制备的材料性能进行了阐述,最后指出了该类材料研究的发展趋势.     

金属基复合材料原位反应合成技术现状与展望

在现有的金属基复合材料制备技术中，原位反应合成技术具有显著的技术优势和经济优势，它已成为当今复合材料领域中最活跃的研究方向。原位反应合成技术主要有：放热弥散法、气液反应合成法、自蔓延燃烧反应法、直接氧化法、无压力浸润法、反应喷射沉积法、接触反应法、机械合金化法等。文中综合评述了各种原位反应合成工艺方法的原理、特点和应用前景。利用原位反应合成法制备金属基寿星 合材料，在同等条件下，其力学性能一般都高于强制法制备的复合材料。并且原位反应合成技术的原料来源广泛、价格较低，工艺又相对简单、制作成本低，适合并能够大规模工业化生产，是一种很有前途的合成技术。     

高强高导铜基复合材料

高强高导铜基复合材料是一类很有应用潜力的功能材料。本文综述铜基原位复合材料的研究现状 ,对其制备工艺及性能进行了介绍。最后阐述了该类材料的发展方向。     

TiC强化Crl2MoV基复合材料的组织和性能分析

用原位合成铸造法制备了TiC弥散强化Crl2MoV钢基复合材料，对材料的制备工艺、力学性能及微观组织进行了系统的研究．试验结果表明，用原位合成铸造法制备TiC颗粒增强钢基复合材料的工艺具有可行性，且易于实现工业化生产．TiC颗粒在基体中分布均匀，形状呈块状和球状，分布在晶内和晶界上．颗粒与基体结合良好，且无团聚现象．引入TiC后材料的室温和高温强度比基体材料的强度均有提高，说明TiC颗粒起了良好的强化效果．金属基体与高耐磨性的增强粒子相结合，使复合材料获得了优异的耐磨性能．在提高材料的强度、耐磨性、抗热疲劳性能的同时，TiC的加入也使材料的塑性和韧性有一定程度的下降．     

微孔——介孔复合分子筛的合成近况

微孔－介孔复合分子筛是近年来沸石研究人员颇感兴趣的一类新催化材料。概述了该类催化剂合成方法的进展情况，主要介绍了原位合成法和后合成法。     

MnSb系压电陶瓷材料sol—gel法合成工艺研究

采用sol-gel工艺制备了钙钛矿结构的锆钛酸铅压电陶瓷材料(PZT)，用先驱体合成法制得了PMS、PZN，然后以制得的PZT、作为基料，与PMS、PZN一起合成PMZN压电陶瓷，探讨了PZT、制备工艺对材料结构和性能的影响．结果表明：sol-gel法合成PZT粉制备的PMZN系压电陶瓷材料具有机电耦合系数高，介质损耗小，介电常数与机械品质因数适中等特点：sol-gel工艺降低了材料的烧结温席．改善了材料的介电与压电性能．提高了谐振频率．     

TiC强化Cr12MoV基复合材料的组织和性能分析

用原位合成铸造法制备了TiC弥散强化Cr1 2MoV钢基复合材料 ,对材料的制备工艺、力学性能及微观组织进行了系统的研究 .试验结果表明 ,用原位合成铸造法制备TiC颗粒增强钢基复合材料的工艺具有可行性 ,且易于实现工业化生产 .TiC颗粒在基体中分布均匀 ,形状呈块状和球状 ,分布在晶内和晶界上 .颗粒与基体结合良好 ,且无团聚现象 .引入TiC后材料的室温和高温强度比基体材料的强度均有提高 ,说明TiC颗粒起了良好的强化效果 .金属基体与高耐磨性的增强粒子相结合 ,使复合材料获得了优异的耐磨性能 .在提高材料的强度、耐磨性、抗热疲劳性能的同时 ,TiC的加入也使材料的塑性和韧性有一定程度的下降     

TiC增强Fe3Al基复合材料的显微组织与力学性能

运用原位合成反应工艺制备了TiC颗粒增强Fe     

下期发表论文摘要预报

原位合成 Ti B/ Ti复合材料的微观结构及力学性能吕维洁 ,　张　荻 ,　张小农 ,　吴人洁(上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 ,上海 2 0 0 0 30 )摘　要 :利用钛与硼之间的自蔓延高温合成反应经普通的熔铸工艺原位合成制备了 Ti B增强的钛基复合材料 .通过 XRD、SEM、TEM和 HREM等分析方法测试了合成材料的物相及微观结构 .结果表明 :原位合成的增强体为Ti B,合金化元素铝的加入并不导致新相形成 ,增强体均匀地分布在基体合金上 .由于 Ti B的 B2 7结构导致 Ti B易于沿 [0 1 0 ]方向生长而长成短纤维状 .增强体与基体合金界…     

高分子复合调剖剂的制备及性能

利用水溶液聚合的方法制备高分子复合调剖剂(FRC)。研究聚合条件、材料结构对性能的影响，并优化聚合工艺条件，确定合成工艺。结果证明，高分子复合调剖剂(FRC)的综合性能显著优于均聚物调剖材料，具有显著的调剖应用效果。     

燃烧合成AL_2O_3/Cr复合材料的研究

利用燃烧合成工艺制备了原位反应的AL2O3加Cr的陶瓷基复合材料，并对其显微组织及形成机理进行了研究与分析。     

地质聚合物原位合成沸石及沸石制品的研究进展

地质聚合物是一类新型的胶凝材料,其具有类沸石的三维网络结构,可视为沸石的前驱体,在一定条件下可转化为沸石.本文综述了国内外地质聚合物原位合成沸石及沸石制品的研究进展,探讨了直接合成法和水热合成法的合成工艺及工艺影响因素,介绍了沸石及沸石制品的应用途径,阐述了地质聚合物原位合成沸石的机理.结论表明,地质聚合物原位合成是一种工艺简单、低成本的沸石合成新工艺.     

燃烧合成AL2O3／Cr复合材料的研究

利用燃烧合成工艺制备了原位反应的ＡＬ２Ｏ３加Ｃｒ的陶瓷基复合材料，并对其显微组织及形成机理进行了研究与分析。     

原位合成TiB/Ti复合材料的微观结构及力学性能

利用钛与硼之间的自蔓延高温合成反应经普通的熔铸工艺原位合成制备了TiB增强的钛基复合材料.通过XRD、SEM、TEM和HREM等分析方法测试了合成材料的物相及微观结构.结果表明原位合成的增强体为TiB,合金化元素铝的加入并不导致新相形成,增强体均匀地分布在基体合金上.由于TiB的B27结构导致TiB易于沿[010]方向生长而长成短纤维状.增强体与基体合金界面非常洁净,没有任何界面反应.由于原位合成增强体的加入,复合材料的力学性能与基体合金比较有了明显的提高.     

TiC增强Fe3AI基复合材料的显微组织与力学性能

运用原位合成反应工艺制备了TiC颗粒增强Fe3AI基复合材料。显微分析研究表明，在FeAI中引入TiC颗粒，可以有效地细化材料的显微组织，从而改善材料的热变形和加工工艺性能。TiC强体不仅本身具有很高的热稳定性，而且也大幅度地提高了复合材料的热稳定性。对复合材料进行的一系列性能测试结果显示，在Fe3AI中加入TiC颗粒后，材料的室温和高温强度和抗蠕变性能得到显著提高，但是在一定程度上降低了材料的室温塑性。     

原位TiB2/Al复合材料制备工艺研究

采用接触反应法（CR）制备了原位内生TiB2／A1复合材料。对制备工艺中的主要问题进行了探讨，包括润湿性、界面反应、搅拌。在此基础上，制备出了颗粒分布均匀、组织致密的TiB2／Al复合材料。     

多元ZnO压敏陶瓷材料的I—V特性与微结构的研究

通过改进传统的长时间烧结工艺,制备出了具有好的压敏特性的多元ZnO压敏材料,获得了非线性系数α=13的结果,系统研究了材料的I-V特性,利用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜微区形貌分析(SEM)研究了材料的微结构及对压敏特性的影响,对该类材料的压敏机理作了进一步的讨论。     

高温固相法合成锂离子电池正极材料LiNi0.8Co0.2O2研究

研究了高温固相法合成锂离子电池正极材料LiNi0.8Co0.2O2时原材料、气氛、温度、时间、Li:(Ni Co)化学计量比例、氧气流量、二次烧结等参数对制备电极活性材料结构和电性能的影响，使用其优化后的工艺参数，制备出容量为170mAb/g的LiNi0.8Co0.2O2,并对此正极材料组成的电池性能进行了测试。     

原位复合纤维强化AgCuNiCe合金制备过程的组织性能演变

银合金是重要的低压和中压电接触材料，力学与导电性能的协同调控一直是银合金电接触材料领域的关键挑战和重点发展方向。本文提出了采用原位复合纤维强化方式调控Ag–11.40Cu–0.66Ni–0.05Ce (质量分数)合金力学与导电性能的思路，明确了原位复合纤维强化合金制备过程的组织性能演变规律。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和电子背散射衍射(EBSD)对不同变形阶段的微观组织进行了观察。研究结果表明，本文提出的方法可以实现原位复合纤维强化Ag–Cu–Ni–Ce合金的制备。大变形量拉拔后，纤维直径约为100–200 nm，合金室温硬度由铸态的HV 81.6提升到HV 169.3，导电率由铸态的74.3% IACS提升到78.6% IACS。随着变形量的增加，合金表现出两种不同的强化机制，电导率显示出三个阶段的变化速率。相关研究通过原位复合纤维强化机制的引入，实现了银合金电接触材料强度和导电性能的同时提升，为制备高性能银合金电接触材料提供了新的思路。     

硅基底铜基材料电极制备及其储能特性研究

【目的】以过渡金属氧化物、硫化物、氢氧化物为代表的赝电容材料由于其良好的比电容容值、高功率密度和低成本等优势，被广泛用于宏观常规超级电容器的电极中。然而，当前对于过渡金属电极的研究多采用非常温下合成，辅以导电剂、粘合剂固定的加工工艺，制约了其在以硅基底为主的微型超级电容器(micro-supercapacitor, MSC)中的应用。【方法】在硅基底上沉积了钛集流体和铜薄膜，通过兼容微加工工艺的常温原位氧化法制备了氢氧化铜纳米线，并进一步通过浸泡硫化钠溶液实现了原位硫化。【结论】测试结果表明，在1 mA/cm²的电流密度下，硅基底硫化铜的比电容为166.98 mF/cm²,较氢氧化铜电极提升了6.68倍，500次充放电循环后电容保持率为74.2%,展现了其在硅基微型超级电容器方面广阔的应用前景。