溶胶-凝胶法制备KZnLa（PO_4）_2：Ce,Tb及其荧光性能研究

采用溶胶-凝胶法合成KZnLa（PO4）2：Ce,Tb,并对其荧光性能进行研究,利用XRD、SEM对产物的物相结构、形貌进行研究,用荧光光度计对荧光粉的激发光谱和发射光谱测试,研究不同浓度的激活剂和敏化剂对荧光强度的影响。研究结果表明：制备的荧光粉粒径约200nm,为单斜向磷酸盐结构;改变La3＋,Ce3＋,Tb3＋浓度,将对相对荧光强度产生影响,且（KZn）0.3La0.45PO4∶0.2Tb,0.05Ce时,相对荧光强度最大。     

超声合成CePO_4:Tb/LaPO_4核/壳结构纳米棒

文章通过超声法辅助合成CePO4:Tb/LaPO4核/壳结构纳米棒,采用XRD、SEM、TEM及PL方法对样品进行了表征。结果表明:样品CePO4:Tb/LaPO4尺寸为25 nm×104 nm六方晶系纳米棒状的正磷酸盐,与尺寸为10×70 nm CePO4:Tb纳米棒相比较,CePO4:Tb/LaPO4的LaPO4壳的厚度约7 nm,EDS分析CePO4:Tb/LaPO4其原子的分布比较均匀,可知Ce3+,Tb3+离子已经掺杂入稀土磷酸镧晶格中。     

Li2SrSiO4:Eu2+,Tb3+中Eu2+和Tb3+的发光特性和能量传递

用高温固相法在N2/H2=95/5(v/v)还原气氛下合成了Li2SrSiO4:Eu2+,Tb3+荧光粉发光材料,通过荧光光谱研究其发光特性,并从理论上探讨了Eu2+与Tb3+之间的能量转移类型。结果表明:该发光材料主发射峰值550nm,与Eu2+在4f7-4f65d1产生跃迁有关;通过掺杂,共存于Li2SrSiO4基质中的Tb3+通过电多级相互作用将能量传递给Eu2+;在500~650nm范围内对Eu2+具有很强的敏化作用,使其在主发射峰550nm的发射强度显著增强;当名义化学组成为Li2Sr0.995SiO4:0.005Eu2+,0.010Tb3+时,发光强度为最佳。     

Ca_(0.7)Sr_(0.3)MoO_4:Eu~(3+)红色荧光粉发光性能的改进（英文）

采用水热法制备了Ca0.70Sr0.18Mo O4:Eu0.083+,Ca0.70Sr0.18-1.5xMoO4:Eu0.083+,Lax3+与Ca0.70Sr0.18-yMo O4:Eu0.083+,La0.043+,Nay+红色荧光粉。用X射线衍射、扫描电子显微镜、荧光分光光度计对样品的物相、形貌以及发光性能进行测试和表征。结果表明:La3+离子的共掺杂可显著增强Eu3+离子的发光性能。当La3+的掺杂量为4%(摩尔分数)时,在395 nm激发下,位于616 nm处的主发射峰的相对发光强度最大。另外,电荷补偿剂Na+的引入,也明显增强了荧光粉的发光强度,荧光粉的最高发光强度是未引入Na+荧光粉的1.47倍。     

稀土离子(Gd~(3+),Ce~(3+)/Ce~(4+),Eu~(3+))对Tb~(3+)掺杂硅酸盐玻璃发光性能的影响

研究了(Gd3+,Ce3+/Ce4+,Eu3+)对Tb3+掺杂硅酸盐玻璃发光性能的影响.结果表明:Tb3+掺杂硅酸盐玻璃可以发出弱蓝光(400～460 mm)和较强的绿光(480～600mm).Gd3+对Tb3+的发光起敏化作用,可提高TB3+掺杂硅酸盐玻璃的发光强度.在空气中熔制的玻璃中Ce3+和Ce4+同时存在,Ce3+对Tb3+发光起敏化作用;而Ce4+对Tb3+发光起淬灭作用.由于Ce4+比例比较高,CeO2加入导致TB3+发光强度降低,同时也缩短了Tb3+发光余辉.加入Eu2O3时,Eu3+自身发光分散了激发Tb3+发光的能量,使Tb3+的特征发射强度降低.     

沉积法制备CaS∶Eu2+,Sm3+红外上转换荧光屏工艺的研究

以固相法制备的上转换荧光粉CaS∶Eu2+,Sm3+为原料制备荧光屏,对电解质的种类及用量、水玻璃的用量、沉积厚度对荧光屏性能的影响进行了研究.研究结果表明:采用硝酸钡为电解质时,荧光屏表面平整;当水∶粉体∶水玻璃∶电解质=100∶0.03∶2.88∶0.027(质量比),退火温度为400℃时,得到的荧光屏表面平整,不存在褶皱,粉体与玻璃基片粘结效果佳;沉积厚度为0.0163 g/mm2时,荧光屏的发光性能达到最佳.     

新型橙红色荧光粉KNaCa2(PO4)2∶Sm3+的发光性能

利用高温固相法合成了KNaCa2(PO4)2∶Sm3+系列橙红色荧光粉,并对其发光性能进行了研究.样品的激发光谱在402 nm有很强的发射带,与近紫外LED芯片匹配.在402nm近紫外光激发下,KNaCa2(PO4)2∶Sm3+的发射光谱由3个峰组成,发射峰值位于569、601和648nm处,分别归属于Sm3+的4G5/2→ 6HJ/2(J=5,7,9)跃迁.随着Sm3+掺量的增加,样品发光强度先增强后减弱,当Sm3+掺量为0.02 mol时发光强度达到最大,浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.分析了不同Sm3+掺杂浓度样品的荧光衰减时间,并研究了电荷补偿剂Li+对样品发光强度的影响.样品KNaCa1.96(PO4)2∶0.02Sm3+,0.02Li+发射光谱(402nm激发)的积分强度是商用红色荧光粉Y2O3∶Eu3+发射光谱(253 nm激发)的1.5倍.     

超声波辅助合成YOF:Tb~(3+)荧光粉及其荧光性能

以Tb4O7与Y2O3为主要原料,用超声波辅助合成前驱体,经高温煅烧后合成了稀土YOF:Tb3+绿色荧光粉。采用XRD、SEM和荧光分光光度计对样品的结构、形貌和荧光性能进行分析。样品XRD表明,产物为四方晶系YOF:Tb3+,结晶度较好。SEM表明合成的荧光粉为100mm~200nm左右的纳米颗粒。荧光分析显示,荧光粉的荧光性能受前驱体辅助合成方式及Tb3+掺杂浓度等各种因素影响。在230nm的紫外光激发下,40℃的低温超声波辅助下合成的前驱体经过煅烧后制得的荧光粉荧光性效果好。当Tb3+的摩尔掺杂浓度大于5%时,出现浓度淬灭现象。     

绿色荧光粉Ca_9Al(PO_4)_7:Tb~(3+),Ce~(3+)的发光特性

采用固相法合成Ca9Al(PO4)7:Tb3+,Ce3+绿色荧光粉,研究了材料的发光性质。结果表明,以377 nm近紫外光作为激发源时,Ca9Al(PO4)7:Tb3+呈现出多峰特征,主峰位于491、545、589和623 nm,分别对应Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3跃迁发射,其中545 nm发射峰最强,从而材料整体发射绿光;监测545 nm发射峰,对应的激发光谱为多峰特征,覆盖300~390 nm;增大Tb3+的掺杂量,发现Ca9Al(PO4)7:Tb3+的发射强度逐渐增大,在实验范围内,并未出现浓度猝灭现象;通过添加A+(A=Li、Na和K)以及敏化剂Ce3+,有效增强了Tb3+在Ca9Al(PO4)7中的发射强度。测量了不同Tb3+掺杂量下材料的色坐标,发现Ca9Al(PO4)7:Tb3+的色坐标基本不变,位于绿色区域。     

Ca0.7Sr0.3MoO4：Eu3+红色荧光粉发光性能的改进

采用水热法制备了 Ca0.70Sr0.18MoO4：Eu0.083+, Ca0.70Sr0.18?1.5xMoO4：Eu0.083+, Lax3+与 Ca0.70Sr0.18?yMoO4：Eu0.083+, La0.043+, Nay+红色荧光粉。用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、荧光分光光度计对样品的物相、形貌以及发光性能进行测试和表征。结果表明：La3+离子的共掺杂可显著增强 Eu3+离子的发光性能。当 La3+的掺杂量为4％(摩尔分数)时,在395 nm 激发下,位于616 nm处的主发射峰的相对发光强度最大。另外,电荷补偿剂 Na+的引入,也明显增强了荧光粉的发光强度,荧光粉的最高发光强度是未引入 Na+荧光粉的1.47倍。     

GdAlO3:Tb,RE中Tb,RE的能量传递研究

采用柠檬酸盐硝酸盐燃烧法制备了GdAlO3 Tb, RE荧光粉体.在紫外激发下(254nm),GdAlO3Tb发射绿色荧光(5D4→7F5,544nm),Dy共掺杂对绿色发光有增强作用,Ce共掺杂对GdalO3 Tb绿色发光有降低作用.激发谱和能谱研究表明Dy能级嵌入Tb主发射能级5D4(绿色发光能级)、5D3(蓝色发光能级)能级之间,Ce能级嵌入Tb主发射能级5D4、5D3能级上方.这种能级嵌入方式,使得稀土离子之间存在声子支持的共振能量传递,但T→Dy→Tb能量传递使Tb绿色发射(5D4→7FJ (J=3,4,5,6))增强,蓝色发射(5D3→7FJ (J=3,4,5,6))减弱;而Ce→Tb能量传递使Tb蓝色发射增强,绿色发射减弱.     

白光LED用Ca_6Sr_4(Si_2O_7)_3Cl_2:Ce~(3+),Eu~(2+),Sm~(3+)荧光粉的合成及其发光性质

采用传统的高温固相法合成了Ce3+,Eu2+,Sm3+离子分别单激活和三种稀土离子共激活的Ca6Sr4(Si2O7)3Cl2荧光粉,并通过X射线粉末衍射、荧光光谱和CIE色坐标对其结构和发光性质进行了研究。荧光粉Ca5.91Sr3.96(Si2O7)3Cl2:0.02Ce3+,0.04Eu2+,0.04Sm3+在365 nm激发下能发射高强度白光,其色坐标为x=0.2183,y=0.2187,有望成为一种新型白光LED灯用荧光粉。     

红色荧光粉SrTiF_6:Eu~(3+)的合成及发光性能研究

采用固相法,两步合成制备了SrTiF_6:Eu~(3+)荧光粉,系统研究了Eu~(3+)用量对发光强度的影响,并对样品进行XRD、SEM和荧光光谱(PL)分析。结果表明,当Eu~(3+)用量为0.16 mmol时,用393 nm的紫外光激发样品,617nm处的红光发射最强。计算得到SrTiF_6:Eu~(3+)的红光发射的色坐标为(0.64,0.37),接近国际标准值(0.67,0.33),表明这种荧光粉有低激发强发射的特点,具有一定的研究意义。     

Sr_3Y(PO_4)_3∶Sm~(3+)荧光粉的制备及发光特性

采用高温固相法合成Sr3Y1--x(PO4)3∶xSm3+发光材料。X射线衍射表明,1 400℃高温烧制的Sr3Y(PO4)3荧光粉为纯相晶体结构。荧光粉的主激发峰为343、360、373、400、436和468nm;主发射峰为550~575nm(4 G5/2→6 H5/2)、580~620nm(4 G5/2→6 H7/2)和630~660nm(4 G5/2→6 H9/2)。荧光粉在599nm附近有很强的发射,呈现良好的红橙光,符合广泛应用的UV-LED芯片。研究了不同Sm3+掺杂量对样品发射谱的影响,发光强度随着Sm3+掺杂量的增大而增强。当掺杂量x=0.04时,发光强度最强。继续增大Sm3+掺杂量,样品的发光强度反而减弱,即出现浓度猝灭现象。根据Dexter理论,猝灭机理为离子之间的能量转移作用。     

白光二极管用荧光粉LiBaPO_4:Tb~(3+)的制备及发光性质

采用高温固相法合成白光发光二极管用绿色荧光粉LiBaPO4:Tb3+,并研究荧光粉的发光性质。测定荧光粉的激发光谱和发射光谱,发射峰由位于436nm(5D3→7F4)、490nm(5D4→7F6)、544nm(5D4→7F5)、587nm(5D4→7F4)及621nm(5D4→7F3)的五组线状峰构成,对应Tb3+的特征跃迁,其中544nm处的最强,样品呈现绿色发光。激发光谱由4f75d1宽带吸收(200～280nm)和4f–4f电子跃迁吸收(330～390nm)组成,其中以380nm处的激发峰最强,可被紫外发光二极管(ultraviolet-light-emittingdiode,UV-LED)有效激发。研究Tb3+掺量(摩尔分数,下同)对发光亮度的影响,结果显示:当Tb3+掺量为9%时,荧光粉的亮度最高,之后出现浓度淬灭现象。Na+、K+和Cl–作为电荷补偿剂均能提高发光亮度,以Cl–作为电荷补偿剂的效果最好。Ce3+对Tb3+具有明显的敏化作用。结果表明:LiBaPO4:Tb3+是一种适用于白光发光二极管用的绿色荧光材料。     

WLED用单基质硅酸盐荧光粉的制备及性能研究

采用溶液-燃烧法制备了Ca2MgSi2O7白光LED用荧光粉,探讨了溶液-燃烧法制备样品的工艺参数并分别对单掺Eu3+和三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+在不同浓度下的荧光性能进行分析。通过同等条件下荧光光谱的对比分析发现单掺Eu3+离子,掺杂浓度为金属离子浓度的1%时荧光强度最强;三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+的物质的量比为1∶1.5∶1时样品荧光强度最强。     

Ce3+掺杂的Ca1.5Y1.5Al3.5Si1.5O12荧光粉发光性能研究

采用高温固相法合成白光LED用Ca1.55Y1.5Al3.5Si1.5O12:x Ce3+黄绿色荧光粉,利用X-射线粉末衍射和荧光光谱进行表征。实验结果表明,在紫外近紫外区(200~380nm)激发下荧光粉发射光谱主峰位于402nm,在蓝光454nm激发下荧光粉发射光谱主峰位于530nm。当灼烧温度为1623K,Ce3+掺杂浓度为10%,发光强度最高。随着Ce3+的掺杂增加会发生浓度猝灭。该荧光粉与商业近蓝光芯片发射相匹配,是一种优秀的白光LED用黄绿色荧光粉。     

SrWO_4∶Gd~(3+),Tb~(3+)荧光粉的发光性质及能量传递

合成了SrWO_4∶Gd~(3+),Tb~(3+)两个系列荧光发光粉,其XRD衍射测试结果表明,合成材料结构均为体心四方晶系。颗粒的形貌为类球形,分散性很好,平均晶粒尺寸在3μm左右。荧光光谱检测表明,在223nm激发下,Sr_(0.9)WO_4∶0.05 Gd~(3+),0.05Tb~(3+)荧光粉最强发射峰位于549nm处,属于Tb~(3+)的~5D_4→~7F_5的跃迁,在该体系中存在Gd~(3+)→Tb~(3+)的能量传递,使得该荧光粉的发光强度随着Gd~(3+)掺杂浓度的增加而增大。     

溶胶凝胶法制备的Y3Al5O12:Tb3+,Ce3+的光学性能及能量传递研究

用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O1 2(YAG):Tb3+,Ce3+荧光粉,对其物相、光学性能和能量传递进行了研究.多晶粉末X-射线衍射结果表明,所有样品均为YAG晶相,没有其它杂相.当样品在Tb3+的特征激发峰273 nm激发时,除了Tb3+的特征发射外,还观察到位于467 nm的YAG基质的电荷迁...     

硅掺杂对YAG:Ce~(3+)荧光粉性能的影响

以TEOS(正硅酸乙酯)为硅源,采用微波均相沉淀与喷雾干燥相结合的方法,在1370℃合成了荧光强度明显提高的硅掺杂的YAG∶Ce3+荧光粉。研究了硅掺杂对YAG:Ce3+荧光粉颗粒形貌和荧光性能的影响,并对其物相组成、形貌以及晶体结构进行了分析。结果表明,硅掺杂能够明显改善荧光粉颗粒的结晶性,进而提高荧光强度,但随着Si 4+掺杂量的增加,荧光粉团聚性加剧。