各向异性热参量对Nd:YVO4晶体热效应的影响

基于解析各向异性分析理论,研究了矩形横截面Nd:YVO4激光晶体受到具有高斯分布LD端面抽运时的激光晶体温度场分布和抽运面热形变分布.通过LD抽运Nd:YVO4激光晶体工作特点分析,建立了符合激光晶体工作状态的热模型,利用各向异性介质热传导方程的一种求解方法,得出了矩形截面Nd:YVO4晶体的温度场、热应变场和端面热形变场的通解表达式,分析了各向异性热参量对Nd:YVO4激光晶体热应变场的定量影响.研究结果表明:当使用输出功率为15 W LD端面中心入射Nd:YVO4晶体(Nd3 浓度0.5 atm%)时,在抽运端面中心获得244.9℃最高温升和1.99μm最大热形变量.     

LD端面抽运圆形截面YAG-Nd:YAG复合晶体热效应

通过对半导体激光端面入射复合晶体工作特点的分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用热传导方程求解方法,得出了圆形截面复合晶体的温度场分布和端面热形变场通解表达式.研究结果表明:当使用输出功率为1 8 W半导体激光器端面中心入射复合晶体YAG-Nd:YAG时,抽运端面中心获得91.21℃最高温升和2.53μm最大热形变量.复合晶体可以有效降低晶体中最高温升,但是不能减少晶体端面热形变.     

激光二极管端面抽运圆形截面Nd:GdVO4晶体的热形变

以解析分析理论为基础，研究圆截面Nd：GdVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光端面中心入射时，晶体温度场分布和抽运面热形变分布情况。通过对激光二极管（LD）端面入射晶体工作特点分析，建立了符合实际工作情况的热模型，利用热传导方程新求解方法，得出了圆形截面Nd：GdVO4晶体温度场分布和端面热形变场通解表达式，对比分析了圆形截面和矩形截面Nd：GdVO4晶体的热形变。研究结果表明，当使用输出功率为15W激光二极管端面中心入射Nd：GdVO4激光晶体时，在抽运端面中心获得187．5℃最高温升和1．313μm最大热形变量。两种截面晶体具有相同的热形变形状，当截面尺寸不太大时，如果圆形截面晶体的半径等于矩形截面晶体半边长，最大热形变量将减少4．1％。这种方法还可以应用到其他圆形截面晶体热问题研究中，为有效解决激光系统热问题提供了理论依据。     

激光二极管侧抽运长方形Nd:YVO4激光晶体热分析

以解析分析理论为基础,研究长方形Nd∶YVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光侧端面抽运时,晶体温度场和热形变的分布情况。通过对激光二极管(LD)侧面抽运晶体工作特点分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用正交各向异性材料热传导方程,得出长方形Nd∶YVO4晶体温度场和热形变场通解表达式,并提出了两种有效减小晶体热形变的方法。研究结果表明,当使用输出功率为30 W的激光二极管侧面中心抽运Nd∶YVO4激光晶体时,在抽运端面中心获得240.0℃最高温升和4.73μm最大热形变量。偏心0.6 mm时,端面最大热形变量减少31.1%。晶体厚度减小30%时,端面最大热形变量减少23.5%。     

抽运光分布对Nd:YAG微片激光器热效应的影响

以半解析热分析理论为基础,研究超高斯分布激光二极管(LD)端面抽运背冷式微片Nd:YAG晶体的热效应。通过对超高斯分布激光二极管端面抽运背冷式微片Nd:YAG晶体工作特点分析建立热模型,利用热传导方程新的求解方法得出微片Nd:YAG晶体内部温度场、热形变场、附加光程差(OPD)半解析计算表达式;利用附加光程差得出微片Nd:YAG晶体的热焦距计算表达式。研究结果表明,当使用总功率为24.2 kW,10%占空比4阶超高斯分布激光二极管抽运时,微片上获得70.36℃最高温升,0.465μm最大热形变,0.836μm最大附加光程差。     

端面抽运Nd:YVO4,Nd:GdVO4及Nd:GdYVO4晶体的热效应比较

为了改善激光晶体热效应,建立了矩形截面激光晶体热模型,通过求解热传导泊松方程,比较了矩形截面Nd:YVO4和Nd:GdVO4及Nd:GdYVO4晶体的温度场分布和抽运端面的热形变,计算了由抽运端面热形变引起的光程差和总的光程差。由比较结果可知,在相同情况下,Nd:YVO4,Nd:GdYVO4及Nd:GdVO4晶体的端面中心最高温升分别约为320℃,342℃和190℃,总光程差最大为1.7μm,2.11μm和1.3μm。结果表明,Nd:GdYVO4晶体端面中心最高温升及总光程差均为最小,更适用于大功率LD端面抽运;对于大功率全固态激光器,由端面热形变引起的光程差对晶体热焦距有较大影响。     

激光二极管端面抽运圆形截面Nd∶GdVO_4晶体的热形变

以解析分析理论为基础,研究圆截面Nd∶GdVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光端面中心入射时,晶体温度场分布和抽运面热形变分布情况。通过对激光二极管(LD)端面入射晶体工作特点分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用热传导方程新求解方法,得出了圆形截面Nd∶GdVO4晶体温度场分布和端面热形变场通解表达式,对比分析了圆形截面和矩形截面Nd∶GdVO4晶体的热形变。研究结果表明,当使用输出功率为15 W激光二极管端面中心入射Nd∶GdVO4激光晶体时,在抽运端面中心获得187.5℃最高温升和1.313μm最大热形变量。两种截面晶体具有相同的热形变形状,当截面尺寸不太大时,如果圆形截面晶体的半径等于矩形截面晶体半边长,最大热形变量将减少4.1%。这种方法还可以应用到其他圆形截面晶体热问题研究中,为有效解决激光系统热问题提供了理论依据。     

偏心度对矩形截面Nd:GdVO4晶体热效应的影响

对激光二极管（LD）端面高功率偏心抽运矩形截面激光晶体引起的热效应进行了研究。建立了符合实际的热模型,利用一种新的解析方法得出了矩形截面激光晶体温度场以及热形变场的通解形式。定义了偏心抽运矩形截面偏心度（ERS）,得出了ERS对激光晶体内部温度场及热形变场影响的规律。研究表明：随着ERS的增加,激光晶体最高温升及最大热形变随之移动并降低;当ERS分为0．50、0．75时,Nd：GdVO4晶体的最高升温相对中心抽运分别下降了3．3％、12．2％,最大热形变量相对中心抽运分别下降了8．8％、27．4％。     

背冷式方形Nd:GdYO4微片激光器的热效应

以半解析热分析理论为基础,研究了超高斯分布激光二极管(LD)端面抽运背冷式方形Nd:GdVO4微片晶体的热效应.通过对激光晶体工作特点的分析,建证热模型,利用新的热传导方程求解方法,得出了背冷式方形Nd:GdVO4微片晶体内部温度场、热形变场的半解析计算表达式.研究结果表明,当使用输出功牢为700 W的LD(超高斯阶次为4)端面中心入射背冷方形Nd:GdVO4晶体(晶体掺钕原子数分数为1.2%)时,在抽运端面中心获得69.6℃最高温升和74.1 nm最大热形变量,与实验结果一致.得出的方法可以应用到其他激光晶体热问题研究中.     

端面抽运矩形截面Nd∶GdVO_4晶体热效应研究

以解析分析理论为基础,研究矩形横截面Nd∶GdVO4晶体受到具有高斯分布的端面中心入射时,激光晶体温度场分布情况和晶体抽运面热形变分布情况。通过对半导体激光端面入射Nd∶GdVO4激光晶体工作特点分析,建立了符合激光晶体工作状态的热模型,利用热传导方程(泊松方程)的一种新求解方法,得出了矩形截面Nd∶GdVO4晶体的温度场分布和端面热形变场通解表达式,同时对影响激光晶体温度场分布的各种因素进行了定量研究。研究结果表明,当使用输出功率为15W的半导体激光器端面中心入射Nd∶GdVO4晶体(晶体掺钕离子原子数分数为1.2%)时,在抽运端面中心获得189.0℃最高温升和1.37μm最大热形变量。这种方法还可以应用到其他激光晶体热问题研究中。     

单模热辐射场作用下原子的压缩效应

本文研究了处于热平衡状态的理想腔内原子在与单模热辐射场相互作用过程中的压缩效应,并讨论了腔的温度对原子压缩效应的影响。     

复合YVO4-Nd:YVO4激光晶体的超高斯热效应研究

为了研究方形复合激光晶体YVO4-Nd:YVO4在超高斯抽运光分布下的热效应,采用半解析的分析方法进行了理论分析和实验验证。当使用输出功率为15W的半导体激光器端面中心入射、超高斯阶次为2时,在抽运端面中心获得175.4℃的最高温升和1.97μm的最大热形变量。结果表明,超高斯模型有更广泛的适用性,复合晶体可以有效地降低晶体中最高温升,但是不能明显减少晶体端面热形变。这一结果对解决激光系统热问题是有帮助的。     

多光子过程中单模热辐射场与原子相互作用的场熵特性

本文研究了处于热平衡状态的理想腔内与原子多光子相互作用的单模热辐射场的熵特性，讨论了平均光子数和跃迁光子数对场熵演化的影响。     

采用光学介质变温控制的固态激光器热效应补偿方法

提出了一种采用环状光束照射RG850动态补偿固态激光器热效应的新方法.研究中采用MATLAB和ANSYS理论分析了侧向泵浦的Nd:YAG晶体的热致波前畸变,以及热效应补偿片RG850的温场、折射率和波前分布;重点仿真研究了RG850在不同温度分布时对系统热效应的补偿效果.实验结果表明:该方法在单模和多模两种情况下都能较...     

TSV 的电磁-热-结构耦合分析研究

基于三场的控制方程建立了电磁场、热场及结构场耦合分析的数学模型,推导出其等效积分“弱”解形式,研究了 TSV（Through Silicon Via,硅通孔技术）电磁-热-结构的多物理场耦合效应,分析了高斯脉冲加载条件下TSV 的温度和等效应力分布情况。仿真结果表明,在考虑三场耦合的情况下得到的结果更为准确,这将有助于 TSV的设计及对其性能进行相应的预测。     

火焰温度场的红外热成像动态测试

文中利用先进的红外热像仪对辊道窑火焰燃烧过程的动态温度场进行测试，精确地测量了火焰形状和火焰温度场中每一点的温度值，统计了火焰中各等温区及三维火焰形状，为研究火焰温度场对窑炉内温度场的影响提供了可靠依据。     

激光辐照Si-CCD热力效应的研究

由于光电探测器吸收激光后的温升、以及由于温升造成的各种现象,均能使探测器遭受到不同程度的损伤.丈中利用热弹性理论对氧碘激光器辐照硅材料进行研究,建立二维平面模型,通过解析计算得到由激光辐照半导体材料引起的温度场和应力场的瞬态分布.     

某设备电子控制模块的热设计

随着电子元器件的高度集成化及加工制造工艺手段的不断提高,电子设备功率密度越来越大,对电子设备进行热设计在电子设备设计过程中越来越重要.该文首先介绍了电子设备热设计的层次、研究内容和任务,然后具体介绍了选择冷却方式的准则,并根据准则选取了合理的冷却方式,设计了散热系统结构,并通过数值模拟计算得到了设备内部的热流场和温度分...     

改善光源性能的直线加速器耦合结构的电磁和热分析

高亮度同步辐射光源和自由电子激光对直线加速器耦合结构的性能提出了更高的要求.通常的单边耦合器由于耦合腔结构的不对称导致腔内电磁场的不对称,较大地影响了束流的品质.提出了一种新的加载圆柱介质棒的单边耦合器,结构简单、易于加工.模拟结果表明:新型耦合器中电场的二极、四极分量的场振幅梯度分别为-0.0794％、-0.0666％,而传统单边耦合器二极、四极场振幅梯度分别为5.02％、2.99％,有效地减弱了场振幅的不对称性.对耦合器温度场分布、热变形、热应力进行了分析计算,结果表明新型耦合器与通常的单边耦合器热性能差别不大,有望用于提高光源性能.     

激光二极管双侧泵平板Nd:LuVO4晶体热效应

以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:LuVO4晶体在激光二极管阵列双侧泵抽运时的导热微分方程。通过方程求解,得到平板Nd:LuVO4晶体内部温度场分布的解析式及热形变分布。温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光平均功率Po=10 W、泵浦区域为1 mm×1 mm时,四组激光二极管阵列光源在三处不同位置的一维温度场、二维温度场分布和热形变量有很大差异;将三处泵浦光源位置所产生的温度分布和热形变量对比,得到了泵浦光源在位置1、2处所产生的温升和热形变量相对较小,位置3处最大。所得结论可为平板Nd:LuVO4激光器的设计及热效应消除提供理论依据。