沉淀法制备形貌可控YVO_4:Eu~(3+),Bi~(3+)粉体及其发光性能

采用沉淀法合成了YVO4:Eu3+,Bi3+荧光粉,利用XRD,SEM和TEM对样品的结构和形貌进行表征,并用荧光光谱仪测试了样品的激发和发射光谱。X射线衍射图分析表明,所制得的荧光粉与YVO4的物相一致,样品属于体心四方相。其扫描电镜和透射电镜照片显示颗粒为纺锤形,大小比较均匀,长径为250nm左右,短径为100nm左右。在275nm近紫外光激发下,该荧光粉的发光峰分别归属于Eu3+的5 D0→7 F1(596nm),5 D0→7F2(617nm,621nm),5 D0→7F3(654nm),5 D0→7F4(702nm)辐射跃迁。最强发射位于617nm左右,属于红光。研究了Eu3+浓度对样品发光强度的影响。随着Eu3+浓度的增加,发射峰强度增大,当Eu3+摩尔分数为12%时,峰值强度最大。Bi3+对Eu3+的发光有一定的敏化作用,当Bi3+摩尔分数达到5%时,敏化作用最强。     

橙红色荧光粉Mg2-x SnO4:Eu3+x发光性能的研究

采用高温固相法合成Mg2-xSnO4∶Eu3+x系列橙红色发光粉.用X射线衍射分析测定Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉的晶体结构,用F-4600荧光分光光度计测定其激发光谱和发射光谱.结果表明:Mg2-xSnO4∶Eu3+x荧光粉属于正交晶系,在250～370 nm是一个很宽的激发峰,它属于O-Eu的电荷迁移带和Eu3+的f-f高能级跃迁吸收.发射光谱由588 nm、595 nm、598 nm、617 nm4个主要发射峰组成,它们分别属于Eu3+的5D0-7F1(588 nm,595 nm,598 nm)和5D0-7F2(617 nm)跃迁,以5D0-7F1跃迁为主.具体研究激活剂Eu3+的掺杂量对Mg2-xSnO4∶Eu3+x发光粉发光性能的影响.结果表明Eu3+的最佳掺杂浓度为7%.     

Eu3＋掺杂的SiO2-NaF-YAG系氟氧化物玻璃的荧光性能研究

采用传统工艺方法制备以YAG：Eu3和Eu2 O3两种方式掺杂Eu3＋的系列SiO2-NaF-YAG系氟氧化物玻璃.研究Eu3＋离子浓度对玻璃发光强度的影响;采用XRD、红外光谱和荧光光谱研究Eu3＋离子掺杂的玻璃的结构和发光性能.XRD谱表明样品为非晶态玻璃;红外光谱的研究结果表明：玻璃是以硅氧四面体网络结构为主;发射光谱研究结果表明：发射峰来自于Eu3＋的5D0→7F0、5 D0→7F1和5D0→F2跃迁,614 nm处的特征发射峰最强.YAG∶Eu3＋形式掺杂的玻璃的发光性能较好,且Eu3＋周围的晶格场环境具有较高的对称性.在掺杂浓度0.15％ ～1.0％范围内没有发生浓度淬灭现象.     

Eu3+浓度对Ca3Al2O6:Eu3+晶体结构和发光性能的影响

以β-丙氨酸和尿素为燃料,采用溶液燃烧法在低温450℃下合成制备了Ca3Al2O6:Eu3+荧光粉。样品的发射光谱由位于594 nm、617 nm、653 nm及700 nm处的4组线状峰构成,分别对应Eu3+的5D0→7Fj(j=1~4)特征跃迁,其中617 nm处的峰最强,样品呈现红色发光。考察了Eu3+掺杂浓度对晶体结构和发光性能的影响。结果呈示:随着掺杂浓度的增加晶格常数逐渐减小,[O—Al—O]的对称伸缩振动Raman峰蓝移;在低掺杂浓度时荧光强度逐渐增大,掺杂6%时达到最大,之后出现浓度猝灭现象,猝灭机制为交互作用;Eu3+的5D0→7F2与5D0→7F1跃迁强度比随着掺杂浓度的增加逐渐增大,掺杂的Eu3+主要取代处于非对称中心的Ca2+。     

Eu掺杂TiO_2纳米晶光致发光影响因素

为了寻找Ti O2∶Eu3+纳米晶的最佳制备工艺条件,采用溶胶-凝胶法制备了Ti O2∶Eu3+纳米晶,研究了Eu3+掺杂浓度、退火温度、Al3+的掺入等工艺参数对Ti O2∶Eu3+纳米晶发射光谱的影响.利用PL、PLE对样品进行了表征.结果表明用468 nm激发光源激发Ti O2∶Eu3+纳米晶时,样品显示出强红光发射,对应于Eu3+粒子的5D0→7F2超灵敏跃迁;且荧光强度随着Eu3+掺杂浓度和退火温度的升高先增强后减弱;700℃退火的样品红光发射强度达到最强,Eu3+的最佳掺杂浓度为0.8%mol;Al3+的掺入可以提高Eu3+的红光发射强度,采用钛酸正四丁脂∶异丙醇∶冰乙酸∶水=1∶4∶4∶2制备出的Ti O2:Eu3+纳米晶的红光发射光谱最强.     

稀土铕掺杂钒酸钇的荧光温度特性研究

采用水热法制备了四方相YVO4:Eu3+纳米荧光粉,研究了YVO4:Eu3+晶体结构、发光特性及荧光温度特性.XRD结果表明合成的YVO4:Eu3+荧光粉与基质YVO4的晶相结构一致.发光光谱表明,在398 nm激发下显示了Eu3+离子的4f-4f特征跃迁红光发射.在303～623 K温度区间,发光峰位没有发生变化,各特征峰强度均显示出温度依赖性.采用荧光强度比技术,分别基于热耦合能级到相同基态的跃迁(5D1→7F1和5D0→7F1)、热耦合能级到不同基态的跃迁(5D1→7F1和5D0→7F4)及到Stark能级(5D0→7F4(1)和5D0→7F4(2))跃迁,研究其荧光温度特性.结果表明,在623 K时基于热耦合能级到相同基态跃迁(5D1→7F1和5D0→7F1)可获得最大测温灵敏度为2.55×10-3 K-1,大于基于热耦合能级到不同基态能级(5D1→7F1和5D0→7F4)时获得的最大灵敏度为1.08×10-3 K-1;而基于热耦合能级到Stark能级跃迁(5D0→7F4(1)和5D0→7F4(2))可在303 K时获得最大灵敏度为5.03×10-4 K-1.说明基于热耦合能级荧光强度比技术更适合用于高温条件,测温灵敏度决定于热耦合能级差,与到达基态能级无关.而低温条件下,基于Stark能级荧光强度比可获得较高的测温灵敏度,测温灵敏度决定于Stark能级差.     

高浓度Eu3+掺杂钛酸盐薄膜的红光发射

采用溶胶-凝胶法制备了高浓度Eu3+掺杂无定型钛酸盐(KBT)发光薄膜.紫外灯下观察,Eu3+掺杂的KBT薄膜发出明亮的红光.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行了分析,利用荧光光谱仪对薄膜的发光性质展开了测试和研究.荧光光谱记录到的Eu3+的发射包括4个强峰,其中Eu3+的5D0→7F2(616 nm)超灵敏跃迁最强.激发光谱和三维荧光光谱分析表明,由于Eu-O的电荷迁移带的吸收作用,Eu3+掺杂的KBT薄膜在短波紫外区被有效激发,是一种高效紫外-可见光转换材料, 为从光-光转换角度提高硅太阳能电池的光能吸收率提供了新思路.     

Eu~(3+)掺杂钠钙硅玻璃光谱性质的研究

钠钙硅普通玻璃是现在应用最广的一种玻璃,特别是用在建筑物上,研究稀土掺杂钠钙硅玻璃发光性能有实际意义。利用高温熔融法制备了Eu3+掺杂钠钙硅系发光玻璃。测试了不同浓度Eu3+掺杂下钠钙硅系玻璃的激发光谱、发射光谱,分析了Eu3+掺杂浓度对其发光性能的影响,并研究了稀土离子Tb3+、Dy3+的敏化作用对玻璃发光特性的影响。结果表明:在掺杂浓度0.1 mol%~1.0 mol%范围内没发现浓度猝灭现象;Eu3+掺杂钠钙硅玻璃用394 nm(7F0→5L6)激发时主要有5个发射带集中于(5D0→7F0-4)跃迁,对应的发射峰分别为577 nm,590 nm,611 nm,652 nm,702 nm;等摩尔量的Dy3+掺入对玻璃的发光起到敏化作用,Tb3+与Eu3+共掺时,由于Tb3+自身发光分散了激发Eu3+发光的能量从而降低Eu3+特征发射强度。     

Eu~(2+),Eu~(3+)掺杂对Sr_2MgSi_2O_7荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法分别制备Eu2+和Eu3+掺杂的Sr2MgSi2O7荧光粉.在356nm近紫外光激发下,Sr2MgSi2O7:Eu3+荧光粉呈多峰红光发射,主峰位于590nm、615nm、650nm和700nm,分别对应于Eu3+离子5D1→7FJ(J=1,2,3,4)能级的跃迁.在371nm近紫外光激发下,Sr2MgSi2O7:Eu2+荧光粉发射峰介于425~550nm之间,呈蓝光发射,主峰位于476nm,对应Eu2+的4f65d1→4f7跃迁.随着Eu2+浓度的增大,发射峰强度先增大后减弱.     

H_3BO_3对γ-LiAlO_2:Tb~(3+)荧光粉的发光性能的影响

利用柠檬酸溶胶凝胶法合成了绿色发光材料γ-LiAlO2:Tb3+。用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及荧光光谱(PL)等测试手段,研究了助熔剂H3BO3对γ-LiAlO2:Tb3+的物相、形貌和发光性能的影响。结果表明,样品仍为四方晶系,在238nm的紫外激发下,跃迁发射峰位于489nm,542nm,548nm,584nm和620nm,分别对应于Tb3+的5 D4→7F6,5 D4→7F5,5 D4→7F4和5 D4→7F3的能级跃迁。硼酸的加入,有利于样品荧光和形貌的改善,其最佳掺杂摩尔浓度为1.5%。     

从混合稀土LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3中分离CeO2的研究

以湿空气为氧化剂，研究稀土氯化物LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3的氧化反应特性，根据铈和非铈稀土元素氧化物的氧化产物不同实现CeO2的分离．最佳氧化反应温度和时间分别为900K和60min，实验产物经X射线衍射分析，只有CeO2的衍射峰，实现了单一稀土CeO2的分离．     

R^3上微分形式及其积分

通过借鉴流形上微积分的处理手法,在R^3中建立“微分形式的积分”的概念,使得Green公式、Stokes公式和Gauss公式内在联系的表述更加清晰。     

关于Hopf丛S^3的几个论题

证明了Hopf主纤维丛S^3的几个相关的命题,指出底流形S^2上的Laplace算子在主丛上的提升是主丛S^3上的Laplace算子,以及主丛的嵌入截面具有不动点性质等。     

氯化镧、氯化铈、氯化镨、氯化钕鞣性的研究

本文主要研究氯化轻型稀土中氯化钢、氯化铈、氯化镨、氯化钕的鞣性。在铬鞣剂用量相同的情况下，用扫描电镜观察到：加入氯化稀土的革中铬的固定量多于不加稀土的革；稀土在革中也不同程度地被固定。衰减全反射红外光谱图说明了铈离子、镨离子与铬离子间有协同作用；钢离子、铁离子与铬离子间有掩蔽作用。研究表明铈离子比其它三种离子鞣革性能好。     

3-3群图的构造

本文用局部分析的方法研究了下列问题:若群G由它的两个有限子群生成,G=,其中P_1∩P_2在P_1、P_2的指数都为3,且P_1∩P_2不包含G的非平凡正规子群,则总共有15个群对(P_1,P_2) 满足以上条件。用这种方法,不但简化了证明过程,突出了问题的本质,还可以得出有限单群的新结论。     

用HF-HNO_3-CH_3SiCl_3气相钝化芯片

本文介绍一种钝化方法:首先在半导体芯片上形成SiO_2,然后再淀积一层高聚合物有机硅树脂,以提高器件的稳定性和可靠性。     

La1-xZnxMnO3和LaL2/3 Sr(1-x)/3 Znx/3 MnO3的磁电输运特性

用固相反应方法制备La1-xZnxMnO3和La2/3Sr(1-x)/3Znx/3MnO3化合物.La1-xZn MnO3在不同掺杂浓度x的研究表明:Zn2 在一定浓度范围内掺杂,具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在50%～70%时有ZnO衍射峰,其电阻率在100 K以上随温度而下降,当掺杂浓度为x=0.3时电阻率最低.当Zn2 和Sr2 共掺而保持La3 浓度不变,即载流子浓度不变,维持Mn3 /Mn4 =2∶1,随Zn2 掺杂浓度增大,铁磁-顺磁转变温度降低,磁阻效应增大.低场磁阻效应与Zn2 掺杂浓度无关,而与温度有关;高场磁阻效应随掺杂浓度增大而增大.     

Dielectric properties of Pb (Zn_(1/3) Nb_(2/3)) O_3-PbZrO_3-PbTiO_3 solid solution near morphotropic phase boundary

The dielectric properties of Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PZN-PZ-PT) system near the rhombohedral/tetragonal morphotropic phase boundary (MPB) are carefully studied in this paper. It is found that, for all samples, the curves around the temperatures of dielectric permittivity peak show the characteristics of diffuse phase transition. The change in PbZrO3/PbTiO3 ratio has much influence on the dielectric properties of the samples. The extent of diffuse phase transition increases with the increasing Zr/Ti ratio. The samples in rhombohedral region have typical diffuse phase transition in the temperature range measured. However, for the samples with tetragonal symmetry, a spontaneous normal ferroelectric-relaxor phase transition exists at temperature lower than that of permittivity peak. This normal ferroelectric-relaxor phase transition is confirmed by the experiment of thermally driven current . The analysis of TEM reveals that the samples in tetragonal region show a 90° macrodomain structure , while th     

Dielectric Properties of B_2O_3 Doped MgTiO_3-CaTiO_3 System Ceramics

1　IntroductionMgTiO3 basedceramicsarewellknownasmicrowavedielectricwithhighQvalueandlowτfvalue .Since1990s ,FerreiraetalReportedthemicrowavedielectricpropertiesofMgTiO3 CaTiO3ceramicsdopedwithLa2 O3,Cr2 O3[1 3] .Mostoftheresearcheswereconcernedwithimpro…