在用于大型螺旋装置中性束注入系统的1／3比例氢负离子源中Cs沉积的优化

利用一个紧凑的铯沉积系统对用于大型螺旋装置-中性束注入（LHD-NBI）系统的1/3比例氢负离子源的内表面进行直接的沉积，试验了在3-200mg范围内小的、很确定的铯量的沉积，在纯氢运行模式和有铯模式下都进行了负离子的引出和加速。对等离子体室单纯的3-30mg的铯沉积使H∧-产额暂时增高2-5倍，但是在几个放电脉冲之内该产额又降低到原先的稳态值。在3-5h/60次放电间隔之内连续两次的30mg沉积，产生了类似的H∧-的瞬时增长，但达到很大的H∧-产额的稳态值。在20-120h/150-270次放电的间隔内，更大量的0.1-0.1gGs的沉积，在一个长的运行周期（2-5d）内改善了H∧-产额。对等离子体室各个壁的定向的Cs沉积表明了近似同样的H∧-的增加。对被水泄漏污染的表面沉积0.13gGs产生了与单一30mg铯沉积时相类似的H∧-的瞬时增加和H∧-的稳态水平，用铯等离子体的0.1g沉积得到了用相同量的铯原子沉积时获得的H∧-产额的一半。与在相同的放电功率下12根灯丝运行相比，在8根灯丝的放电运行期间记录到更高的稳态H∧-流值和更小的H∧-产生速率。     

TOMAS—用于研究未来聚变装置壁处理的环形磁化等离子体装置

环形磁化系统（TOMAS）是一个简单的磁化环，它用微波产生的等离子体来研究壁处理方法。在TOMAS装置中，电子回旋共振等离子体是用频率为2.45GHz的微波和相应的共振磁场为87.6mT产生的。本文描述该装置和用甲烷等离子体膜沉积的第一次运行经验。     

冷轧钢等离子体处理：现状,要克服的问题及未来

对于诸如汽车工业、包装工业等许多工业而言，钢基体的防腐是一项重要的工业工艺。钢表面防腐的最普遍的方法现在是热浸和电镀。然而，这些方法也有一些缺点：涂层种类少，多层沉积几乎不可能，高的处理和再利用成本。众所周知，薄膜的等离子体沉积（包括溅射）能产生一个非常致密的结构，它有均匀的沉积、少量的针孔和足够长时间的抗腐性能。等离子体沉积的大量工作局限于小工件上。较大工件的等离子体处理已初步用于塑料和玻璃基体     

用于金刚石沉积的一种简单微波等离子体源

我们描述一各上简单的为等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜而建造的微波等离子体源。用700W 民用微波炉磁控管，把微波功率输进一个用水冷却的圆柱形不锈钢真空容器中。把放进容器中的甲烷／氢气混合气，通过微波激发来产生一个界面清晰、不与容器壁发生相互作用 的等离子体球。它在容器中的位置，可以通过轴向电场分布的冷腔计算来预测。该容器有几个不改变共振条件的诊断口。金刚石沉积在各种基片上。其片位于等离子体球下而在石墨盖顶的石英支架上。本文介绍和讨论了某些结果。     

用微波等离子体源SLANⅡ的远距离清洗和直接清洗

有一个用作等离子体室的石英管的２．４５ＧＨｚ窄缝天线微波等离子体源已用于从远距离等离子体中的玻璃基体去除有机润滑剂，有选择地用一个无距离笼把直接在石英管壁的初始放电与工艺室中的扩散本体等离子体开来，地于有和没有远距离笼的源型，研究了离子浓度的径向和轴向分布和去除率。一般的工艺条件是：功率为４ｋＷ、压强为－２５Ｐａ氧流率１００ｓｃｃｍ。对于直接等离子体和远距离等离子体。测得的离子浓度分别为８×１０６     

光敏有机硅聚合物的低压力等离子体沉积

单基取代的有机硅前身的等离子体沉积能够导致一些层含有广延的Ｓｉ－Ｓｉ键合的主键。娄这些膜同时暴露于紫外线和氧时，Ｓｉ－Ｓｉ健裂开，氧进入形成Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ聚合物链。证明这些膜可以用低压力直流等离子体源沉积。由Ｘｅ和甲基硅烷的电子激发产生了等离子体，而用一轴向磁场约束基片表面附近的等离子体。等离子体粒子能量较低（１０－２０ｅＶ），而且分散小。这样限制了不希望有的气相反应的产生。在低压力及相应的低沉积     

中心螺线圈式大面积均匀金属等离子体形成方法

传统的磁过滤阴极真空弧系统的金属等离子体输出面积较小且出口处的密度呈高斯分布,阻碍了等离子体浸没离子注入与沉积(PⅢ&D)技术的工业化应用,使得大面积均匀金属等离子体的产生成为了业内研究的热点.本文提出了一种基于多阴极脉冲真空弧源对称配置的中心螺线圈式大面积均匀金属等离子体形成方法,可输出直径约为600mm的金属等离子体.沉积探针结果表明:载流螺线圈对沉积均匀性有较大的影响.单源X方向的沉积均匀性优于Y方向的沉积均匀性;四弧源的离子流密度约为单源的5.5倍,沉积均匀性最高可达83.8%.     

热等离子体反应器中不同几何形状基体上的金刚石沉积

研究了大气压强ｄｃ热等离子体射流反应器中工艺参数对金刚石膜没积的影响，估计了两种不同的先质注入系统，逆流注入和侧面注入，发现使用乙醇时本质流率大大影响晶体尺寸和晶体生长平面的取向，而且，发现尖边缘的晶体尺寸比平表面的晶体尺寸大４倍，也研究了基体几何形状对沉积的金刚石的形态和面积的影响，这项研究结果表明，ｄｃ热等离子体射流提供高的金刚石沉积率，例如在金属丝和钻头上就是那样，尽管晶体尺寸和膜厚度有显著     

等离子体辅助化学气相沉积的新技术

等离子体辅助化学气相沉积译沉积薄膜具有许多优点。在膜生长期间使用离 能轰击膜是生产致密结构的一种重要技术。本文讨论了在高能轰击对用等离子体沉积工艺生产的膜的应力水平及结构的影响方面研究的最近进展。诊断设备，诸如原位椭圆汁，能量选择质谱仪及残余气体分析器，能对ＰＡＣＶＤ过程仔细监测，因此可精确地控制生长面的条件。新的等离子体源，比如螺旋波等离子体源，可发射出高的离子通量。     

自由表面液态锂偏滤器靶板物理过程研究

本文建立了一种高温液态锂蒸发、锂蒸气云等离子体运动、它对入射等离子体粒子屏蔽和锂蒸气云等离子体内的光子辐射和输运的综合物理模型.导出了与温度相关的蒸发功率.研究了静态液态锂表面在10 MJ/m2,1 ms高脉冲表面热负荷作用下考虑蒸发和不考虑蒸发两种情况下靶板温升并作了比较.结果表明定常自由表面液态锂靶板也可以取出大量表面热负荷.最后计算了入射到偏滤器靶室中的高能α粒子和弱相对论性电子在锂蒸气云等离子体中的能量沉积.     

圆柱形与圆锥形放电腔室中氢等离子体组分与状态研究

采用圆柱形和圆锥形的放电腔室,使用氢气作为放电气体在不同的射频功率下进行了放电。使用质谱诊断和Langmuir探针诊断相结合的方法对两种放电腔室中的氢等离子体的离子组分、离子能量分布（IED）、等离子体电势、电子密度和有效电子温度进行了对比研究。根据等离子体的诊断结果,讨论了圆锥形与圆柱形两种放电腔室中的放电特性。结果表明：圆柱形放电腔室中含有更多的亚稳态氢原子H ^*,而圆锥形放电腔室中含有更多的H⁺离子。圆锥形放电腔室中等离子体具有更高的电子密度和离子密度及更低的等离子体电势。     

CHN薄膜的制备

文章简要描述了空心阴极等离子体化学气相沉积(HPCVD)的原理，以及用HPCVD方法制备CHN薄膜的工艺和实验结果。用XPS和AFM分别分析了CHN薄膜中C和N的成分及表面形貌，并得到了一定条件下的薄膜沉积速率。     

全方位离子注入与沉积技术及其工业机的研制

全方位离子注入与沉积（Plasma immersion ion implantation and deposition，PIIID）技术发展到现在，已经逐步走向工业化应用。本文介绍了全方位离子注入与沉积技术的原理，探讨了全方位离子注入与沉积工业机应该具备的功能，介绍了研制成功的全方位离子注入与沉积设备的结构和实施效果，其脉冲阴极弧等离子体源沉积速率达到2．9A／s，IGBT固体开关调制器输出电压达到10kv，能够一次处理多个工业零件。     

全方位离子注入及增强沉积工业机和应用

报道了等离子体源离子注入 (PSII)或等离子体浸没离子注入 (PIII)及增强沉积工业机的实验结果及应用。该机真空室直径 90 0mm ,高 10 5 0mm ,立式放置 ,抽气系统由分子泵及机械泵构成并且实现了PLC控制 ,本底真空小于 4× 10 - 4Pa。等离子体由热阴极放电或三个高效磁过滤式金属等离子体源产生 ,因此可实现全方位离子注入或增强沉积成膜。该机的负高压脉冲最高幅值为 80kV ,最大脉冲电流为 6 0A ,重复频率为 5 0— 5 0 0Hz ,脉冲上升沿小于 2 μs,并且可根据需要产生脉冲串。其等离子体密度约为 10 8— 10 10 ·cm- 3,膜沉积速率为 0 .1— 0 .5nm/s。     

微波ECR等离子体物理汽相沉积研究和应用(英文)

研究了用微波电子回旋共振(ECR)技术蒸发镀Ti膜、Cu膜。沉积速率达50.0nm/min左右,基片温度50～150℃。获得了附着力强的非晶态膜层。进行了ECR溅射镀膜,采用较高的等离子体密度、电离度及负的基片电位,制作了YBaCuO超导薄膜。该膜层致密、呈非晶态、膜厚1.0μm,沉积速率达10.0nm/min。结果表明,ECR等离子体沉淀技术是能够在低压下产生高密度、高电离度的等离子体,这种等离子体是薄膜沉积工艺和表面处理技术中最合适的等离子体源。     

微波ECR等离子体物理汽相沉积研究和应用

研究了用微波电子回旋共振(ECR)技术蒸发镀Ti膜、Cu膜。沉积速率达50.0nm/min左右,基片温度50～150℃。获得了附着力强的非晶态模层,进行了ECR溅射镀膜。采用较高的等离子体密度、电离度及负的基片电位,制作了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。该膜层致密,呈非晶态,膜厚1.0μm,沉积速率达10.0nm/min。结果表明,ECR等离子体沉淀技术是能够在低压下产生高密度、高电离度的等离子体,这种等离子体是薄膜沉积工艺和表面处理技术中最合适的等离子体源。     

STE—2反场箍缩极向偏滤器实验的首批结果

已在有一个外偏滤器室的放电容器中产生了有单极向零的反场箍缩。在目前的实验中没有装上导电壳。极向偏滤器位形维持的时间为壁的时间常数，在磁起伏中ｍ＝１撕裂模的优势不受偏滤器位形的影响。采用偏滤器位形和在偏滤器电流达到主等离子体电流的３０％的情况下，极向偏滤器都没有引起对等离子体性能的有害效应。     

磁过滤等离子体沉积和注入技术

利用阴极真空弧放电技术能够产生高密度的金属等离子体。经过90度的磁过滤器，可以除去金属等离子体中的大颗粒微粒，从而为制备高质量的、致密的各种薄膜提供了一种全新的技术。利用该技术制备薄膜具有非常广泛的应用。本文介绍了阴极真空弧放电技术的应用，以及磁过滤等离子体沉积和注入装置及其应用。     

改进型PSII―IM全方位离子注入工业样机(英文)

报告了核工业西南物理研究院最近研制成功的改进型PSII―IM全方位离子注入工业样机。该机的真空室由不锈钢制成,其直径为1000 mm,长 1070 mm,采用多极会切磁场约束产生的等离子体。该机抽气系统由低温泵、扩散泵和机械泵组成。本底真空度小于 2×10- Pa。真空室内的气体等离子体可由热灯丝或射频放电产生, 4另外还配置了 4 个金属等离子体源、两套磁控溅射靶和冷却靶台。所以该机可以实现全方位离子注入或增强沉积薄膜。该机的负高压脉冲幅值为 10～90 kV, 重复频率为 50～500 Hz, 脉冲上升沿小于2 μs。一般情况下等离子体密度为 108～1010 cm- , 膜沉积速率为 30.1～1.0 nm/s。并给出了一些实验结果。     

感应耦合等离子体源制备硬质类金刚石膜的研究

采用感应耦合等离子体源(ICPS)成功地实现化学气相沉积硬质类金刚石(DLC)膜,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜,并且在相对较低的基片负偏压条件就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。