电子束曝光系统中精密工件台的测量系统

介绍了电子束曝光技术的原理。根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法。重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与运动方向敏感性的关系以及读出装置信号处理方法。在此基础上,对研制的电子束曝光系统精密工件台进行了直线性和垂直性实验测试,其测量分辨率达到0.6nm,测量重复性精度达到±0.06μm,测量绝对误差达到0.011μm。结果表明,采用双频激光测量系统可确保工件台系统测量和定位准确性。     

电子束曝光机激光工件台测量系统研究

由于电子束曝光机采用的修正技术,工件台的测量系统显得十分重要。介绍了电子束曝光机激光定位精密工件台的工作原理,其测量系统首次采用国际先进的HP5527双频激光干涉仪。对测量系统进行了详细的误差分析,在此基础上提出了系统误差的补偿方法。     

基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器设计

基于激光干涉仪的精密工件台是电子束曝光机的关键设备。为了改进工件台控制器的运算速度．设计了一种基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器。本控制器由上位机接口、激光干涉仪测量系统接口、电机控制接口、手动面板接口和主处理器组成,以美国Xilinx公司Spantan3系列的FPGA芯片XC3s400为核心。实现控制器与上位机、激光干涉仪测量系统、伺服驱动系统、手动控制面板之间的数据交换和指令传递。完成工件台的精确移动。满足电子束曝光的定位精度和拼接精度的要求。     

基于FPGA的电子束曝光村工件台控制器设计

基于激光干涉仪的精密工件台是电子束曝光机的关键设备。为了改进工件台控制器的运算速度．设计了一种基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器。本控制器由上位机接口、激光干涉仪测量系统接口、电机控制接口、手动面板接口和主处理器组成,以美国Xilinx公司Spantan3系列的FPGA芯片XC3s400为核心。实现控制器与上位机、激光干涉仪测量系统、伺服驱动系统、手动控制面板之间的数据交换和指令传递。完成工件台的精确移动。满足电子束曝光的定位精度和拼接精度的要求。     

亚微米电子束曝光机工件台控制系统

激光工件台是电子束曝光机关键部件之一。它主要任务是完成图形的拼接。本文描述双频激光干涉仪为测量系统的计算机控制的数字伺服系统以及真空条件下的Ｘ－Ｙ工件台。该系统用于亚微米圆形矢量扫描电子束曝光机中。     

电子束曝光机的精密x-y工件台和基片装卸系统

<正> 对于一台电子束曝光系统来说,关键的问题是待曝光的基片相对于电子束扫描区域能够精确地定位。高精度要求x y工件台能够精确地定位,并且装片夹板可以以稳定及可重复性方式装片。采用将掩模或晶片定位于光路系统的每一个曝光区域的方法,工件台完成电子束系统的步进一重复功能。工件台的定位精度严格受到系统可能做到的小的几何结构限制。装片夹板就是一个框架。它能夹住基片。它提供了将基片放在工件台上和在装卸过程中保护基片的方法,以及使作图表面与工件台电接触。     

激光定位工件台长度测量的有理化电路

在激光干涉测量的数据处理中,常用迭代法对测量数据进行有理化(指小数有理化),本文讨论迭代参数的设计,并介绍一种用于电子束曝光机双频激光定位工件台中长度测量的有理化电路。     

环境因素对微纳加工中精确定位影响的研究

以双频激光干涉仪在电子束曝光机精确定位中的运用为例(其具有典型的代表性),研究环境因素对微纳加工中精确定位的影响,并针对温度是其中影响最大的因素,提出了一种实时温度补偿方法,修正了测量结果由于热膨胀不能真实反映工件台位置带来的定位误差.     

双束型电子束控制CO_2激光器

双束型电子束控制CO_2激光器是由一支电子枪相背发射两束电子,分别控制两台激光器件的放电,从而实现两束激光的同步输出.与通常的电子束激光器一样,双束器件的性能很大程度上取决于电子束的强度、均匀性、稳定性及两侧发射的对称性.     

电子束曝光机的一种新型精密工件台结构特点及几何精度分析

介绍了电子束曝光机的一种新型精密工件台,在结构上成功地将工件台的承载力与导轨的导向作用分离开来,极大地提高了工件台的运动精度和运行的平稳性。论述了精密工件台的结构设计要点、几何精度以及达到的技术指标。     

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。     

基于TMS320C6713的电子束曝光机图形发生器的硬件设计

提出了一套功能较为完备的新型扫描电子束曝光机图形发生器的硬件设计方案.方案采用TMS320C6713芯片作为核心单元,并由USB2.0接口电路、存储器扩展电路、标记检测控制电路、曝光控制电路和束闸控制电路构成.方案具有数据处理能力强、速度快、接口方便等优势,克服了传统图形发生器单纯依靠软件完成、速度慢、精度低、工作不稳定的缺点.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

电子束曝光机吊装结构工作台的分析研究

本文介绍了电子束曝光机激光定位工作台的一种新型吊装结构。用有限元法分析了吊装结构工作台的静态特性及其对测量系统定位精度的影响,并用散斑摄影法测试了模拟吊装结构工作台的静态变形位移。分析与实验表明吊装结构工作台是实现亚微米定位精度较理想的切实可行的结构方案。     

基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计

基于扫描电镜(SEM)的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加工设备的需求。在电子束曝光系统中,需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝光。从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计。     

Submicron T-shaped gate HEMT fabrication using deep-UV lithography

A new combination of low/high/low sensitivity tri-layer (PMMA/PMIPK/PMMA) resist system was used for deep UV lithography to-fabricate submicron T-shaped gate. Gate length as narrow as 0.2 μm is achieved. GaAs HEMTs with 0.3 μm T-shaped Ti/Pt/Au gate are fabricated using this technology. The HEMT demonstrated a 0.6 dB noise figure and 13 dB associated gain at 10 GHz. This deep UV lithography process provides a high throughput and low cost alternative to E-beam lithography for submicron T-gate fabrication     

电子束静电折板偏转系统研究

以SDS-3电子束曝光机为基础,用折板结构静电偏转替代直板结构静电偏转,探讨了电子束曝光机折板静电偏转场的电子轨迹与电位分布应满足的要求。导出了折板静电偏转灵敏度与电位分布之间的关系,给出静电偏转像差方程及像差系数。用矢量描写电子轨迹,以积分式表示像差系数,给出了折板结构方程与参量。像差系数适应计算机辅助运算。结果表明,折板结构静电偏完成的图像像差明显优于原直板结构静电偏。提供了静电折板偏转与直板偏转的相关计算数据及摩尔栅条纹图。     

Improved CD control and line edge roughness in E-beam lithography through combining proximity effect correction with gray scale techniques

A proximity effect correction (PEC) technique for E-beam lithography is presented which overcomes hardware limitations of many older E-beam writers regarding the number of physical dose classes by a unique combination of gray scale techniques with PEC using the Layout BEAMER software. The benefit is not only an improvement in critical dimension control, but also an improvement in line edge roughness (LER). Compared to standard PEC techniques the percentage line width deviation has been dramatically reduced by more than a factor of three.