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研究了Pb(Mg1/2W1/2)O3-PbTiO3-PbZrO3陶瓷的化学不均匀性和介电行为。EDS分析得到:体系中存在富W和富Zr、Ti的两相,平均分子式为:I相(富W相):Pb(Mg0.270W0.367Zr0.182)O3.091;Ⅱ相(富Zr、Ti相):Pb(Mg0.109W0.187Ti0.204Zr0.340)O2.758。两种居里点分别为:TCI〈-65℃,TCI=105℃,图像处理 相似文献
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研究了Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3陶瓷的化学不均匀性和介电行为。EDS分析得到:体系中存在富W和富Zr、Ti的两相,平均分子式为:Ⅰ相(富W相):Pb(Mg_(0.270)W_(0.367)Ti_(0.178)Zr_(0.182))O_(3.091);Ⅱ相(富Zr、Ti相):Pb(Mg_(0.109)W_(0.187)Ti_(0.204)Zr_(0.340)O_(2.758)。两相居里点分别为:T_(cI)<-65℃,T_(cI)=105℃,图像处理得到两相的面积比为:S_Ⅰ=68.64%,S_Ⅱ=31.36%。按3-3模型复合,得到两相体积比为:76%、24%。复合相的介电性能符合X7R要求,|TCC|≤12%,且介-温曲线与原材料有相同的规律。 相似文献
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硬盘基板用微晶玻璃的析晶过程研究 总被引:9,自引:0,他引:9
利用差热分析、热膨胀曲线与X射线衍射等方法研究了含TiO2和ZrO2的 MgO-Al2O3-SiO2玻璃的析晶过程.780℃时玻璃中析出的镁铝钛酸盐促使玻璃在800℃析出Mg-透辉石,随后在 930℃Mg-透辉石和镁铝钛酸盐开始向假蓝宝石、金红石和Zr/Ti固溶体转变;1030℃假蓝宝石开始转变为β-石英固溶体,而在1125℃以上温度,β-石英固溶体转化为α-堇青石、方石英和顽火辉石,同时金红石和Zr/Ti固溶体向锆英石和钛酸镁转变.依据玻璃析晶序列,选择在930~1050℃间温度下对玻璃进行热处理,制得以假蓝宝石为主晶相的微晶玻璃.此微晶玻璃具有细小均匀的晶粒结构,具有高的弹性模量(120GPa)和良好的表面性能,是适宜的硬盘基板材料. 相似文献
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用磁控射频溅射方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜。研究了制膜工艺对Pb(Z0.52Ti0.48)O3薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明,所制备的薄膜表面致密,光滑。此Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜以钙钛矿结构为主,并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得。通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的铁电特性得 相似文献
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以Zr(OC3H7)4和Y(CH3COO)3为原料,应用溶胶-凝胶法制备了ZrO2+9%摩尔分数Y2O3超微粉末。通过TG-DTA,XRD分析技术,研究了粉末的热分解过程及晶化过程,结果表明:ZrO2+9%Y2O3超微粉末的热分解过程分为三个阶段;水份和有机溶剂的蒸发;有机基团的燃烧和无定形ZrO2的形成,无定形ZrO2向立方相ZrO2的转变,钇稳定立方相ZrO2的合成温度在470℃左右。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备含PbTiO3微晶的玻璃陶瓷 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶工艺低温合成含有Pb,Ti成份和玻璃相组成成份的均匀透明凝胶,并通过热处理在凝胶玻璃中原位生长出纯净的铁电PbTiO3微晶。利用热分析手段和IR谱分析了凝胶在热处理过程中有机基团的分解及内部元素键合方式的演变。 相似文献
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Lead zirconate titanate (Pb(1.1)(Zr(0.52)Ti(0.48))O(3)) thin films of thickness 260?nm on Pt/Ti/SiO(2)/Si substrates were densified by 2.45?GHz microwave annealing. The PZT thin films were annealed at various annealing temperatures from 400 to 700?°C for 30?min. X-ray diffraction showed that the pyrochlore phase was transformed to the perovskite phase at 450?°C and the film was fully crystallized. The secondary (again pyrochlore) phase was observed in the PZT thin films, which were annealed above 550?°C. The surface morphologies were changed above 550?°C of the PZT thin films due to the secondary phase. Higher dielectric constant (ε(r)) and lower dielectric loss coercive field (E(c)) were achieved for the 450?°C film than for the other annealed films. 相似文献
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半化学法制备0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3陶瓷的反应机理 总被引:4,自引:0,他引:4
采用半化学法制备了纯钙钛矿相的0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3(简称为0.80PMN-0.20PT)陶瓷。反应前驱体是以硝酸镁的饱和溶液代替传统氧化物混合法中的氧化镁,与PbO、Nb2O5和TiO2混合球磨得到的。该前驱体的TG-DTG-DSC和XRD分析表明,半化学法的反应机理不同于传统氧化物混合法和二次合成法的反应机理。在煅烧过程中,硝酸镁与氧化铅反应生成铅的活化中间体Pb6O5(NO3)2,由此活化的PbO或Pb3O4可与Nb2O5生成不稳定的、缺B位的焦绿石相Pb3Nb2O8,再与MgO反应生成钙钛矿相PMN-PT。 相似文献
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以Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料,采用冲击波加载技术合成锆钛酸铅Pb(Zr0.95Ti0.05)O3粉体,并对粉体活性和烧结特性进行XRD和SEM表征,研究结果表明,利用冲击波的高温高压作用可以合成单一钙钛矿相锆钛酸铅粉体,合成粉体产生了细化并存在一定程度的晶格畸变,有利于增强粉体活性,促进了低温活化烧结,也显著地改善了陶瓷的烧结性能,在常压下1200℃烧结150min得到了密度达到7.83g/cm3的锆钛酸铅95/5陶瓷体,比传统固相法制备的粉体烧结温度降低了100℃左右,且得到的陶瓷体晶粒形状、大小均匀。 相似文献
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采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。 相似文献
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