一种新型的光谱记录系统

本文介绍了采用自扫描硅光电二极管阵为探测器的光谱记录系统,以及实时数据采集系统。目前,该系统已被用于天文观测及实验室中,并取得大量结果。     

一种可穿戴式近红外光谱成像系统的前端设计

提出了一种连续波多通道可穿戴式功能近红外光谱成像系统的前端设计,用于实时同步监测脑功能活动。在该系统中,选择性能良好驱动简单的双波长LED作为光源,光源驱动电路采用可编程集成芯片,实现光源调制及时分复用,有效区分来自不同通道的信号,同时也去除了环境光等背景噪声的干扰。并利用光电二极管、ADS1299和GS1011完成信号的采集处理以及传输,实现一款低功耗、高精度、无线传输的功能近红外光谱成像系统前端。     

p-n结光谱响应特性分析

<正> 本文以n~+—p浅结硅光电二极管为例,通过解连续方程用计算机对器件光谱响应特性进行分析,结果表明:表面复合速度、掺杂分布、结深是影响光谱响应的主要因素。报告中提出了计算公式,所有计算工作由微机完成。     

基于单片机的光电二极管阵列驱动电路设计

介绍了一种基于单片机的光电二极管阵列驱动电路。在单片的单片机上完成光电二极管阵列时序信号产生、A/D转换及数据传输整个过程,能够检测nA级微弱信号,与常用的可编程逻辑器件相比具有成本低、功耗低、电路结构简单的特点。     

基于DSP的光电二极管阵列信号采集系统设计

介绍了一种基于DSP的光电二极管阵列信号采集系统。讨论了DSP芯片TMS320F2808和光电二极管阵列芯片S4111-16Q的特点,设计了高精度的S4111-16Q的放大电路,并给出了S4111-16Q与TMS320F208的接口电路。     

基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器

基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。     

新型CCD磁场摄像器

本文介绍了一种类似于光电二极管线阵扫描ＣＣＤ摄像器的磁场摄像器，其中磁信号是以电流方式被收集并象普通ＣＣＤ那样读出。磁摄像器采用埋入通道及ＣＣＤ读出电路，使摄像器像素要以实现最佳化，其灵敏度高达１０９．７Ｔ。     

自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度分析􀀁

自扫描光电二极管线阵图像传感器的灵敏度为单位曝光光量下器件的输出电流或电压,本文用计算机辅助分析得出了灵敏度与每位二极管电容Ｃｓ的关系,根据本文给出的程序框图与所编制的程序,可以计算出不同光照时,灵敏度大小的分散性,对自扫描光电二极管线阵器件的选用与制造都有一定的参考价值。     

基于光照强度的PIN光电二极管响应时间分析

在PIN光电二极管应用中发现,光照强度对响应速度具有很大影响.论文研究了光强对响应速度的影响,提出了内部PIN结等效电场模型,并搭建了实验电路对PIN光电二极管在不同光照强度下的响应速度进行检测,验证提出的结模型,很好的解释了光电二极管从无光照到有光照这一过程中,光强越强,响应时间越短;而当光电二极管从有光照到无光照这一过程中,光强越强,响应时间越长这一现象.提出的模型和实验验证为光电二极管在响应速度要求较高的系统中的应用提供了理论分析依据,也为进一步提高PIN光电二极管的速度提出了有益的探索.     

一种新型颜色传感器设计

本文介绍一种采用脉冲光源照明、双光纤束导光的新型颜色传感器，光电探测器由光电二极管和覆盖其上方的滤色片组成。用光电积分法进行测量，在整个可见光谱区间内，对反射光谱功率进行积分，得到被测物体的颜色三刺激值X、Y、Z。同步控制脉冲光源发光与电路测量，由双光路捡测系统测量颜色三刺激值X、Y、Z和脉冲光源的微小变化，并根据后者对测试结果实时修正。该颜色传感器适合于本身不发光物体的表面颜色测量。     

基于背向拉曼散射的分布工光纤温度传感器APD最佳雪崩增益的分析

本文分析了基于背向拉曼散射的分布式光纤温度传感器中光电接收用雪崩光电二极管雪崩增益对接收电路信噪比的影响，给出了使传感器系统接收电路输出信号噪比最大这一最佳意义下ＡＰＤ雪崩增益的表达式并进行了分析，实验结果和理论分析基本一致。     

基于背向拉曼散射的分布式光纤温度 传感器APD最佳雪崩增益的分析

本文分析了基于背向拉曼散射的分布式光纤温度传感器中光电接收用雪崩光电二极管雪崩增益对接收电路信噪比的影响,给出了使传感系统接收电路输出信号信噪比最大这一最佳意义下APD雪崩增益的表达式并进行了分析,实验结果和理论分析基本一致。     

对称齐纳二极管及其应用

<正> 齐纳二极管就是硅稳压二极管,对称齐纳二极管则相当于两只对接的硅稳压管。它没有极性要求,有双向稳压和吸收浪涌电压的特点,可以广泛应用于交、直流电路中,简称为 VRD 管。此外,还可用来组成一些实用电路。1.消火花电路(如图1所示)     

基于fNIRS与SiPM的脑血氧检测电路设计

脑血氧检测作为大脑功能检测之一,是认知神经科学和生物医学领域必不可少的研究工具。其研究方法之一——功能性近红外光谱技术,利用组织中血液的主要成分对近红外光的良好吸收性和散射性,而获得组织内氧合血红蛋白和脱氧血红蛋白的变化情况,从而实现对脑血氧的检测。硅光电倍增器件是近几年兴起的光电探测器件,具有尺寸小、增益高、工作电压低、对磁场不敏感等特点。为了检测脑血氧的变化,设计一个基于近红外光谱技术与硅光电倍增管的新型脑血氧检测电路,并通过前臂阻断实验验证了电路设计的性能满足需求。     

线阵CCD非接触直径测量系统设计

为解决直径测量系统中存在的对工件有磨损、测量精度低、无法实现动态测量的问题,提出采用光电传感器件——电荷耦合器件线阵CCD光电检测方法,配合光学系统实现工件的非接触直径测量,满足了现代工业生产对直径测量系统提出的高精度、快速、非接触和实时反馈的需求。对线阵CCD的信号检测电路、调理电路及数据处理电路设计进行了研究,并进行了三种工件直径测量试验和误差分析。试验表明,该系统可对φ0.5 mm～φ30 mm的工件进行直径测量,测量精度为±5μm。     

基于单片机的光电检测电路设计

该文介绍在单片机最小系统基础上,设计了光电检测系统。该检测系统外围电路主要有指示二极管、发光二极管、光敏三极管组成。该文利用软硬件相结合的方法进行设计。为了验证设计的可行性,在设计中利用Protues进行仿真分析,仿真结果显示电路结构正确,达到设计的目的。     

基于分光光度法的水质氨氮检测系统设计

设计了一种基于纳氏试剂分光光度法的水质氨氮检测系统,阐述了系统的工作原理和总体设计,下位机数据采集系统采用硅光电二极管作为光电探测器,AVR单片机作为微控制器,上位机软件负责仪器的操作、数据显示和存储。经测试,系统工作稳定,界面友好,达到了设计要求,和其他同类设备相比有效降低了成本。     

基于单片机的光电检测电路设计

该文介绍在单片机最小系统基础上,设计了光电检测系统。该检测系统外围电路主要有指示二极管、发光二极管、光敏三极管组成。该文利用软硬件相结合的方法进行设计。为了验证设计的可行性,在设计中利用Protues进行仿真分析,仿真结果显示电路结构正确,达到设计的目的。     

用于SPR检测的自消噪光电二极管阵列驱动电路

以检测SPR现象为目的,设计了一种新型的具有自消噪功能的光电二极管阵列驱动电路.该电路可以精确检测矩形区域内的光强分布,从而确定SPR共振角.电路选用滨松光子学株式会社(Hamamatsu)生产的S3903-1024Q型光电二极管阵列线性图像传感器作为光电转换器件,并以改进型电流积分方式进行驱动,可以根据检测环境的噪声...     

硅光电二极管结构特性研究

为探讨光电二极管工作机理及其改进潜力,从一款常规光电二极管应用产品的设计入手,采用光敏区尺寸逐渐变大、呈规律性排列的硅光电二级管串联的结构,分析其特性与机理.在此基础上对同类产品进行优化,详细阐述新结构工艺原理与实现方式,分别从器件结构、工作原理、不同结构的优劣点等方面对比改进前后两种不同结构光电二极管的特性.从工艺参...