稀土配合物Eu(TTA)3Phen掺杂的PMMA树脂的制备及其发光性能研究

用新的合成方法合成了稀土配合物Eu(TTA) 3Phen。研究了该配合物的IR、UV、TGA、元素分析和荧光光谱。该配合物具有良好的发光性能和热稳定性。采用加热方法将Eu(TTA) 3Phen掺入PMMA树脂中 ,制成发光塑料树脂 ,并测定其发光性能。结果表明 ,Eu(TTA) 3Phen掺入PMMA树脂后仍保持该稀土配合物原有的发光特性 ,制成的Eu(TTA) 3Phen -PMMA树脂复合材料具有良好的发光性能 ,其发光强度与Eu(TTA) 3Phen掺入的含量有关。     

铕铽配合物/甲基丙烯酸酯型聚合物复合材料的制备及表征

采用原位合成法制备了一系列不同铕铽比例的稀土配合物/甲基丙烯酸酯型聚合物复合材料.利用红外光谱、SEM图像、紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱表征了材料的结构、微观形貌、光学带隙及发光性能.结果表明,铕铽稀土配合物/甲基丙烯酸酯型聚合物复合材料在365nm紫外光激发下,均能产生发光峰在613nm附近的红光发射,发光亮度高,色纯度高,且发光强度与共聚物中MAA的含量有关;Tb3+对Eu3+荧光性能的影响与Tb3+所占比例有关,即当Tb3+比例较小时,对Eu3+产生荧光猝灭作用,当Tb3+比例较大时,对Eu3+产生荧光敏化作用.     

稀土离子掺杂硼酸钙发光材料的合成与光谱性质

以硼砂和氯化钙为原料,主要采用化学共沉淀法成功合成了稀土离子Eu3+、Tb3+掺杂的硼酸钙发光材料。通过X射线衍射、荧光光谱对样品物相和发光性能进行了表征。探究了不同的实验条件(即不同煅烧温度、稀土离子浓度)对其发光性能的影响,样品的激发光谱表明,在800℃时,CaB2O4∶Tb3+的发光能力最强;掺杂稀土Tb3+离子的发光材料在5%时发光性能最强。在221nm紫外光激发下,样品在612nm和543nm处有Eu3+和Tb3+离子明显的特征发射峰,而且掺杂Eu3+离子的发光材料的发光性能随着Eu3+浓度的增加而增强。     

电致发光稀土高分子的研究进展

稀土高分子材料不仅具有小分子稀土离子配合物优异的发光特性,而且具备高分子聚合物的易弯曲和加工等性能。本文介绍了稀土高分子材料的研究历程,并综述了Eu3+、Tb3+高分子电致发光材料的国内外研究现状。     

Gd_2O_3∶RE~(3+)(RE:Eu,Tb)纳米棒的合成与表征

掺杂Eu和Tb离子的一维稀土氧化物发光材料因具有与其体相材料不同的光谱特性在近年来引起了人们的极大研究兴趣。(Gd0.9Eu0.1)(OH)3和(Gd0.9Tb0.1)(OH)3纳米棒前驱物通过水热法首先被合成,然后经退火处理得到Gd2O3∶RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒。FE-SEM的形貌测试结果表明,Gd2O3∶RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒有约为20～60nm直径和200～500nm长度。XRD的结构测试证实,所得到的Gd2O3∶RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒样品均属于立方晶系。光谱测试结果表明,同体相材料相比,Gd2O3∶RE3+(RE:Eu,Tb)纳米棒的Eu3+和Tb3+的特征发光峰出现了宽化现象,样品的纳米表面效应可能是导致其发光峰宽化的主要原因。     

含稀土配合物的甲基丙烯酸甲酯荧光性能研究

含稀土有机配合物的高分子材料综合了稀土材料和高分子材料的优异性能,在制备光学器件方面有广泛的应用前景.本文制备了含铕的噻吩甲酰三氟丙酮(TTA)和二苯甲酰甲烷(DBM)配合物的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)体系,并考察了配合物含量、配体、小分子掺杂剂和PMMA分子量对体系荧光性能的影响.分析表明要想获得高效发光的稀土配合物高分子体系需要选用对称性较差,含氟取代基较多的配体,并找到合适的配体或小分子掺杂剂的含量,且尽量增大基体的分子量.     

Eu3+掺杂β-NaYF4∶20%Yb3+, 0.5%Tm3+的合成与双频光转换性能

采用高温溶剂热法合成了Eu3+掺杂的双频转换发光材料β-NaYF4∶20%Yb3+,0.5%Tm3+,并使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和光致发光谱(PL)仪对所制备样品的物相结构、形貌特征和发光性质进行了表征,通过分析发光原理,解释了上、下转换发光的竞争机制,并探讨了稀土离子Tm3+与Eu3+之间的能量转移。结果表明:所合成的β-NaYF4∶20%Yb3+,0.5%Tm3+,xEu3+为纯六方相晶体,结晶良好,颗粒尺寸在200nm左右。改变Eu3+的掺杂浓度后晶格结构没有发生明显变化,样品可在394nm和980nm光的激发下,分别发生下转换和上转换发光。     

稀土离子RE(RE=Pr,Nb,Eu)在Sr2CeO4基质中的发光性质

通过燃烧法合成了Sr2CeO4:RE材料,研究了Sr2CeO4材料的结晶过程和发光性质及Pr3+,Nd3+和Eu3+稀土离子在Sr2CeO4基质中的发光性能.实验通过燃烧法制得的前驱体在1200℃焙烧2 h可得均一的Sr2CeO4相,较传统方法的合成时间大为降低.稀土离子Pr3+,Nd3+和Eu3+的在基质中的少量掺杂(0.02%)均可使Sr2CeO4在475 nm左右的特征发射谱峰明显变宽增强,且Eu3+离子的掺杂可使材料在510 nm,540nm,610 nm左右产生多个明显的稀土离子的特征发射峰.实验合成的发光材料具有良好的发光性能,证明Sr2CeO4材料可作为一种优良的发光材料的基质使用,为寻找新型的发光材料提供了一条新的途径.     

PMMA/硅铝包覆铝酸锶复合发光材料的制备和发光性能

采用原位乳液聚合法制备了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/硅铝包覆(SrAl2O4:Eu,Dy)复合发光材料。通过傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和热失重(TGA)测定,研究了复合发光材料的结构,结果表明,复合发光材料中聚合物分子与硅铝包覆(SrAl2O4:Eu,Dy)之间是通过键合的方式结合;通过荧光光谱和发光亮度测试,研究了复合发光材料的发光特性和余辉性能,结果表明,在硅铝包覆(SrAl2O4:Eu,Dy)表面共价结合上PMMA后仍能保持SrAl2O4:Eu,Dy原有的发光性能。     

铕掺杂聚甲基丙烯酸甲酯的光致发光性能

利用不饱和二元羧酸3-己烯二酸(H2L)、1,10-邻菲咯啉(Phen)与稀土铕的氯化物EuCl3反应,合成了具有发光性能的稀土铕三元配合物Eu2L3Phen.4H2O。将铕配合物与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)掺杂后,研究了掺杂型高分子材料的光致发光性能。研究结果表明,Eu配合物能发出很强的铕离子特征荧光,当配合物Eu2L3Phen.4H2O与聚甲基丙烯酸甲酯掺杂后,高分子材料仍能发出配合物Eu2L3Phen.4H2O的特征荧光,高分子材料的发光强度随着配合物在聚甲基丙烯酸甲酯中掺杂量的增加而增加。     

BNT-BT和BNT-BKT基无铅压电陶瓷研究进展

综述了Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3系和Bi0.5Na0.5TiO3-Bi0.5K0.5TiO3系无铅压电陶瓷的最新研究进展.总结了各种添加剂对这两种无铅压电陶瓷体系压电性能的影响机理和规律,介绍了当前以各种工艺对其微观结构和压电性能进行改进的研究成果,并展望了这两种无铅压电陶瓷体系的发展趋势.     

脉冲激光沉积Ba0.5Sr0.5TiO3、Pb0.5Ba0.5TiO3和Pb0.5Sr0.5TiO3薄膜及其介电性质

采用脉冲激光沉积法,在Pt／Ti／SiO2／Si基底上分剐制备厚度为350nm的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)和Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)薄膜并研究了它们的介电性质。XRD显示,在相同的制备条件下三者具有不同的择优取向,PST具有(110)择优取向,PBT具有(111)择优取向,而BST则是混合取向。SEM显示三者样品表面均匀致密,颗粒尺寸大约在50nm至150nm之间。PST与BST、PBT相比有更高的介电常数,在频率为10kHz时,分别为874、334和355,而损耗都较低,分别为0．0378、0．0316和0．0423,同时PST漏电流也是最小的。测量薄膜的C-V特性扣铁电性能表明室温下BST呈现的是顺电相,PST和PBT则呈铁电相。本文也测量了薄膜在不同频率下的介电温度特性,BST、PBT和PST均表现出频率弥散现象,即随着频率的降低．居里温度降低而介电常数会升高。并测得BST和PST的居里温度分剐为-75和150℃。而PBT的居里温度在250℃以上。本文研究表明：与BST相比较,PBT的介电常数与之相近,漏电流较大;而PST具有高介电常数,较小的漏电流和较大的电容-电压调谐度,在相关半导体器件中的应用将有很大的潜力。     

Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的制备与性能

采用传统的干压成型法制备了Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了不同K0.5Bi0.5TiO3含量对Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3陶瓷的微观结构与电性能的影响规律.结果表明,Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷随K0.5Bi0.5TiO3含量增加,晶格常数增大,密度减小,晶粒尺寸减小,压电常数先增大后减小,介电常数增大,介电损耗增加,机械品质因数下降,而居里温度不断升高,在200℃附近存在由铁电相向反铁电相转变的一个相变点,组分为0.84 Na0.5Bi0.5TiO3-0.16 K0.5Bi0.5TiO3的陶瓷位于准同型相界附近,具有最佳的压电性能.     

Heat capacity, thermopower and magnetoresistance effects in multiferroic La0.5Bi0.5Mn0.5Fe0.5O3

We have carried out systematic investigations in perovskite multiferroic La_0.5Bi_0.5Mn_0.5Fe_0.5O₃ by means of X-ray diffraction, magnetisation, electrical resistivity, thermoelectric and heat capacity measurements. The magnetic behaviour of this composition is rather complex, though the magnetisation curve seems to be like a weak ferromagnetic material. However, there is no clear evidence of λ-anomaly in the heat capacity data down to 2 K, yet this behaviour corroborate the trends of semiconducting silicon below room temperature. The sensitivity of magnetic behaviour to the iron-manganese ratio is also demonstrated. In presence of an external field of 7 T, it exhibits a magnetoresistance of ?5 % at 130 K. The thermoelectric value increases linearly with decreasing temperature, and at room temperature the value is +85 μV/K, which is associated with the p-type polaronic conductivity.     

Na0.5 Bi0.5 TiO3-K0.5 Bi0.5 TiO3系铁电体的相变研究

研究了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系x分别为0、0.08、0.16和0.20时陶瓷不同频率下的介电温谱,发现材料为弛豫型铁电体,材料的介电谱在室温到500℃的温度范围内存在一个介电常数-温度"台阶",一个介电常数-温度峰和一个介电损耗-温度峰,通过分析陶瓷不同温度下的电滞回线验证陶瓷在升温过程中产生了铁电-反铁电-顺电相变,采用铁电体成分起伏理论和内电场理论解释了这类弛豫型铁电体相变的原因.     

Superconductivity in Layered CeO0.5F0.5BiS2

We report appearance of superconductivity in CeO_0.5F_0.5BiS₂. The bulk polycrystalline samples CeOBiS₂ and CeO_0.5F_0.5BiS₂ are synthesized by conventional solid state reaction route via vacuum encapsulation technique. Detailed structural analysis showed that the studied CeO_0.5F_0.5BiS₂ compound is crystallized in tetragonal P4/nmm space group with lattice parameters a=4.016(3) Å, c=13.604(2) Å. DC magnetization measurement (MT-curve) shows the ferromagnetic signal at the low temperature region. The superconductivity is established in CeO_0.5F_0.5BiS₂ at $T_{c}^{\mathrm{onset}}=2.5~\mbox{K}$ by electrical transport measurement. Under applied magnetic field, both T _c onset and T _c (ρ=0) decrease to lower temperatures and an upper critical field [H _c2(0)] above 1.2 Tesla is estimated. The results suggest coexistence of ferromagnetism and superconductivity for the CeO_0.5F_0.5BiS₂ sample.     

Positive delayed photoconductivity in double heterostructures Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As of the p-type

Positive delayed photoconductivity was observed for the first time in double p-type heterostructures Al_0.5Ga_0.5As/GaAs/Al_0.5Ga_0.5 As upon exposure to the radiation of a red light-emitting diode. In this state, the concentration and mobility of two-dimensional holes are increased 1.5 and 1.7 times, respectively, as compared to the initial dark values. The delayed photoconductivity can be explained by the presence of deep electron traps located above the Fermi level at the inverted heterointerface.     

Structure and electrical properties of Bi0.5Na0.5TiO3-Y0.5Na0.5TiO3-BaTiO3 lead-free piezoelectric ceramics

New (1 – x ? y)Bi_0.5Na_0.5TiO₃-xY_0.5Na_0.5TiO₃-yBaTiO₃ lead-free ceramics have been prepared by a conventional ceramic fabrication technique, and their structure and electrical properties have been studied. A morphotropic phase boundary (MPB) of rhombohedral and tetragonal phases is formed at 0.04 < y < 0.10. As compared to pure Bi_0.5Na_0.5TiO₃ ceramic, the partial substitutions of Y³⁺ for Bi³⁺ and Ba²⁺ for (Bi_0.5Na_0.5)²⁺ in the A-sites of Bi_0.5Na_0.5TiO₃ lower effectively the coercive field E _c and increase the remanent polarization P _r of the ceramics. Because of low E _c, large P _r and the MPB, the ceramics with x = 0–0.02 and y = 0.06 exhibit the optimum piezoelectric properties: d ₃₃ = 155–159 pC/N and k _p = 28.8–36.7%. The temperature dependences of dielectric properties of the ceramics show relaxor-like behaviors. The ferroelectric properties at different temperature suggest that the ceramics may contain both the polar and non-polar regions near/above T _d.