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本文报道七种磷酸甲酯化合物「(MeO)2P(O)(OH),(MeO)3P(O)(OH),(MeO)3P(O),(MeO)2P(o)Cl,(MeOI)P(O)Cl2,(MeO)3P(S),(MeO)2P(S)CL」的喇曼光谱数据,测量了各谱带的偏振度,并对谱带归属和讨论。 相似文献
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YBa2Cu3O7—x高温超导氧化物的氧及其催化性质的热分析 总被引:3,自引:0,他引:3
YBa2Cu3O(6+x)晶体上以O(1),O(2),O(3)和O(4)标记的氧原子的热稳定姓是不同的,O(1),O(2)和O(3),O(4)在特定条件下可以相互交换,由于这一独特的物理化学性质,使人们注意到它有可能成为一种氧化还原催化材料。 相似文献
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一、刀具中心几何速度及几何加速度计算函数凸轮的最大优点是:在运动过程中,始终保持厂速度、加速度及曲率半径的连续性。本文采用三次样条函数来计算刀具中心的几何速度及几何加速度。对三次样条函数S(X),在区间[X。-;,X。〕上y(X)是线性函数,用mi(i—0,1,…n)来表示函数S(x)的二阶导数*”(X)在X。处的值:S”(J)一m;(i—0,1,…n)………………()则在区间卜i.l,x。〕上S”(x)可写成:S\工)一i。_l(l。一l)/人十l。(l一x。-)/hi(2)式中九一X;一X,-1对*”(X)在区间【X;-;,X,… 相似文献
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五、直截直角锥的(侧)表面积直截直角锥(侧)表面积的计算,既是表面积的确定也是结构实重等计算的依据。1.截高为零时的(侧)表面积SR1当截高为零时,见图9,直截直角锥的(侧)表面积式中S1为直角锥(h、r)的(侧)表面积,S0为直截直角锥顶的(侧)表面积。2.直截直角锥顶的(侧)表面积S0Se称为直截直角锥顶(侧)表面系数,它仅为直角锥几何特性(h/r)的函数。3.截高为H—h时的S0当截高为H—h时,见图10,r=hR/H,由式(20)导出:4.直截直角锥的(侧)表面积SR5.Se的数值式(21)为Se的积分式,可对不同的直角锥(… 相似文献
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测定了5个不对称型多官能团分子2,4[(CnH2n+1)2NCH2](n—C12H25)C6H39OH(n=1、2、3、4、5)的化学电离正离子谱,主要结论如下:(1)M+多有10%以上丰度,且多随烷链(CnH2n+1)的增长(n增加)而减小;(2)质子化分子离子峰多为基峰,且可用通式320+28(n—1)表示,其中n=1、2、3、4;(3)5种化合物的均有弱丰度(≤5%)的M—H峰;(4)峰强比随CnH2n+1中n的增加呈良好的线性递减特征;(5)I%[m/z(M+αH)]~α曲线表明,质子化数目愈多(α增多),相应质子化峰愈弱,愈不稳定;(6)测得弱丰度2M+αH1+峰,α=1、2、3,表示相应峰的存在。 相似文献
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切削件结构设计准则(2)(十二)杨文彬(南京化工大学210009)(续第6期)1引言在切削件结构设计准则(1)一文中,作者提出了四条切削件结构设计准则:便于退刀准则,减少加工量准则,可靠夹紧准则,同一夹紧工序准则。本文是上文的续篇,继续阐述切削件的... 相似文献
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论述了微电子封装技术的发展状况,介绍了微电子封装的代表性技术,包括带载封装(TCP)、栅阵列封装(BGA)、倒装芯片(FCT)、芯片规模封装(CSP)、多芯片模式(MCM)、三维(3D)封装等,并概述了其发展趋势。 相似文献
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赵婷婷 《机械工人(热加工)》2006,(3):36-38,42
在三维CAD软件的支持下,冲模的设计方法有下述几种:
(1)自下向顶(DOWN-TOP)设计,即先设计零件,再把零件装配产生冲模。
(2)自顶向下(TOP-DOWN)设计,即在装配环境下,以凹模周界为参照,直接设计冲模零件。
(3)自动装配设计,先制定装配框架,再设计各零件,然后自动装配。
(4)先建立模架库,通过变更零件或参数,达到新模具的设计。 相似文献